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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SBR1045SP5-13	0.8400	RFQ	4	二极管合并	汽车，AEC-Q101，SBR®	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerDi™5	SBR1045		超级障碍		PowerDi™5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														45 v		550 mv @ 10 a		450 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	10a	500pf @ 4V，1MHz
B530C-13	-	RFQ	1930年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	DO-214AB，SMC	B530		肖特基		SMC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														30 V		550 mv @ 5 a		500 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	5a	300pf @ 4V，1MHz
DMT3003LFGQ-13	0.3660	RFQ	2228	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT3003		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMT3003LFGQ-13DI	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		30 V	22a（22A），100A（tc）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	2370 pf @ 15 V	-	2.4W（ta），62W（tc）
MBRF10100CT-JT	-	RFQ	6451	二极管合并	汽车，AEC-Q101	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	MBRF1010		肖特基		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	MBRF10100CT-JTDI	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	100 v	5a	840 mv @ 5 a		50 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C
ZXMC3A16DN8QTA	1.1233	RFQ	5272	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ZXMC3		MOSFET （金属 o化物）	1.25W（TA）	8-so	-			到达不受影响	31-ZXMC3A16DN8QTATR	Ear99	8541.29.0095	500	n和p通道互补				30V	6.4a（ta），5.4a（5.4a）（ta）		35MOHM @ 9A，10V，48MOHM @ 4.2A，10V	1V @ 250µA	17.5nc @ 10v，24.9nc @ 10v		796pf @ 25V，970pf @ 15V	-
DCP54-16-13	-	RFQ	7708	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	DCP54			1 w	SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																									45 v	1 a						100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
ZXMP10A17GQTC	0.4410	RFQ	9022	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ZXMP10		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道		100 v	1.7A（TA）	6V，10V	450MOHM @ 1.2A，6V	4V @ 250µA	10.7 NC @ 10 V	±20V	424 pf @ 50 V	-	2W（TA）
SBRT3U40P1-7-52	0.0824	RFQ	9607	二极管合并	-	大部分	积极的			表面安装	PowerDi®123	SBRT3		超级障碍		PowerDi™123	下载				31-SBRT3U40P1-7-52	Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														40 V		490 mv @ 3 a		180 µA @ 40 V	-65°C〜150°C	3a	-
FSD273TA	0.7800	RFQ	1	二极管合并	*	（CT）	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
DMN2013UFX-7	0.2665	RFQ	6985	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VFDFN暴露垫	DMN2013		MOSFET （金属 o化物）	2.14W	W-DFN5020-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水				20V	10a（10a）		11.5MOHM @ 8.5A，4.5V	1.1V @ 250µA	57.4NC @ 8V		2607pf @ 10V	-
BSS138K-13	0.3100	RFQ	278	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS138		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道		50 V	310mA ta）	10V	3.5OHM @ 220mA，10V	1.5V @ 250µA	0.95 NC @ 10 V	±20V	23.2 pf @ 25 V	-	380MW（TA）
ZVN1409ASTOB	-	RFQ	9403	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3	ZVN1409A		MOSFET （金属 o化物）		to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000			n通道		90 v	10mA（ta）	10V	250ohm @ 5mA，10v	2.4V @ 100µA		±20V	6.5 pf @ 25 V	-	625MW（TA）
UF5A600D1-13	-	RFQ	3315	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			标准		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	UF5A600D1-13DI	Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		1.9 V @ 5 A	30 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	5a	50pf @ 10V，1MHz
BAS116Q-13-F	0.0337	RFQ	1806年	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS116		标准		SOT-23-3	下载			到达不受影响	31-BAS116Q-13-FTR	Ear99	8541.10.0070	10,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														85 v		1.25 V @ 150 mA	3 µs	5 na @ 75 V	-65°C〜150°C	215ma	2pf @ 0v，1MHz
ZVN4306Avstoa	-	RFQ	5762	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3			MOSFET （金属 o化物）		to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000			n通道		60 V	1.1A（TA）	5V，10V	330mohm @ 3a，10v	3V @ 1mA		±20V	350 pf @ 25 V	-	850MW（TA）
DGTD65T60S2PT	-	RFQ	9492	二极管合并	-	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	DGTD65	标准		428 w	TO-247	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	450				400V，60a，7ohm，15V															205 ns					现场停止	650 v	100 a	180 a	2.4V @ 15V，60a	（920µJ）（在530µJ上）	95 NC	42NS/142NS
DMN2450UFB4Q-7B	0.0434	RFQ	7545	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMN2450		MOSFET （金属 o化物）		X2-DFN1006-3	下载			到达不受影响	31-DMN2450UFB4Q-7BTR	Ear99	8541.29.0095	10,000			n通道		20 v	1A（1A）	1.8V，4.5V	400mohm @ 600mA，4.5V	900mv @ 250µA	1.3 NC @ 10 V	±12V	56 pf @ 16 V	-	500MW（TA）
LS4148WT	-	RFQ	8501	二极管合并	-	大部分	上次购买			表面安装	0603（（1608））	LS4148		标准		0603	-				31-LS4148WT	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度														75 v		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	150mA	4pf @ 0v，1MHz
DMT12H090LFDF4-7	0.3599	RFQ	9131	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-powerxdfn	DMT12		MOSFET （金属 o化物）		X2-DFN2020-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DMT12H090LFDF4-7TR	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		115 v	3.4a（ta）	3V，10V	90MOHM @ 3.5A，10V	2.2V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±12V	251 PF @ 50 V	-	900MW（TA）
MMSZ5248B-7-F	0.2200	RFQ	89	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ5248			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		100 na @ 14 V													18 V	21欧姆
BS250p	0.8700	RFQ	3	二极管合并	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BS250		MOSFET （金属 o化物）		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000			P通道		45 v	230ma（ta）	10V	14ohm @ 200ma，10v	3.5V @ 1mA		±20V	60 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
BZX84C39T-7-F	0.0630	RFQ	5137	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOT-523	BZX84			150兆	SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		100 na @ 27.3 V													39 v	130欧姆
SD103CWS-7-F	0.3600	RFQ	13	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-76，SOD-323	SD103		肖特基		SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														20 v		600 mv @ 200 ma	10 ns	5 µA @ 10 V	-65°C〜125°C	350mA	28pf @ 0v，1MHz
ES2D-13	-	RFQ	2904	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	DO-214AA，SMB	ES2D		标准		SMB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														200 v		920 mv @ 2 a	25 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	2a	25pf @ 4V，1MHz
SBR3U60P5Q-7	0.2083	RFQ	8272	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerDi™5	SBR3U60		超级障碍		PowerDi™5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														60 V		620 mv @ 3 a		100 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	3a	-
DMP4025LSSQ-13	0.5054	RFQ	6386	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMP4025		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		40 V	6a（6a）	4.5V，10V	25mohm @ 3a，10v	1.8V @ 250µA	33.7 NC @ 10 V	±20V	1640 pf @ 20 V	-	1.52W（TA）
DZ23C3V3-7-F	0.4100	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DZ23			300兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000	1对普通阴极																																3.3 v	95欧姆
DMN2025U-7	0.0690	RFQ	9052	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					DMN2025					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
MBR10100CTL	-	RFQ	1044	二极管合并	*	管子	过时的					MBR1010					-		（1 （无限）	到达受影响	mbr10100ctldi	Ear99	8541.10.0080	50
B0520LWQ-7-F-52	0.0626	RFQ	6928	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SOD-123	B0520		肖特基		SOD-123	下载				31-B0520LWQ-7-F-52	Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														20 v		385 mv @ 500 mA		250 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	500mA	170pf @ 0v，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²