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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压-峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SDM2M60S1F-7	-	RFQ	5421	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOD-123F		肖特基		SOD-123F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													60 V		760 mv @ 2 a		150 µA @ 60 V	-65°C〜175°C	2a	8pf @ 4V，1MHz
DDZ9711Q-13	-	RFQ	6821	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123	DDZ9711		500兆	SOD-123	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DDZ9711Q-13TR	Ear99	8541.10.0050	10,000																	900 mv @ 10 ma		50 NA @ 20.4 V									27 V
DXTN10060DFJBQ-7	0.4800	RFQ	1	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子			1.8 w	U-DFN202020-3（B型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							60 V	4 a			100NA			NPN	320mv @ 200mA，4a	340 @ 200ma，2V	125MHz
DMN2027UP-13	0.2436	RFQ	6777	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMN2027	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	20 v	10a（10a），36a （TC）	2.5V，4.5V	12.5MOHM @ 9.4a，4.5V	1.3V @ 250µA	11.6 NC @ 4.5 V	±12V	1091 PF @ 10 V	-	1.1W（TA）
S3DB-13-F	0.4900	RFQ	154	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	S3D	标准		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													200 v		1.15 V @ 3 A		10 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	3a	40pf @ 4V，1MHz
DMN62D2UQ-7	0.0669	RFQ	7008	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		31-DMN62D2UQ-7TR	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	60 V	390mA（ta）	1.8V，5V	2ohm @ 50mA，5v	1V @ 250µA	0.8 NC @ 10 V	±20V	41 pf @ 30 V	-	500MW（TA）
DFLZ20Q-7	0.1417	RFQ	1270	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	PowerDi®123	DFLZ20		1 w	PowerDi™123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 15 V									20 v	3欧姆
ZVP1320ASTOA	-	RFQ	1879年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3		MOSFET （金属 o化物）		to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000			P通道	200 v	70mA（ta）	10V	80ohm @ 50mA，10v	3.5V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	625MW（TA）
DZ23C16-7	-	RFQ	7902	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DZ23C16		300兆	SOT-23-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000	1对普通阴极																											16 V	40欧姆
DMP3021SFVWQ-13	0.6900	RFQ	1	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMP3021	MOSFET （金属 o化物）		PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	30 V	（11a）（ta），42a（tc）	5V，10V	15mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	1799 pf @ 15 V	-	1W（ta）
UF1003_HF-A52	-	RFQ	8032	二极管合并	-	大部分	上次购买			通过洞	do-204al，do-41，轴向	UF1003	标准		do-41	-				31-UF1003_HF-A52	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v		1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	1a	20pf @ 4V，1MHz
DMTH6010SK3Q-13	1.1700	RFQ	16	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMTH6010	MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	60 V	16.3a（ta），70A（tc）	10V	8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	38.1 NC @ 10 V	±20V	2841 PF @ 30 V	-	3.1W（TA）
MMBZ5236BQ-7-F	0.0337	RFQ	2491	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3	下载			到达不受影响	31-MMBZ5236BQ-7-FTR	Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		3 µA @ 6 V									7.5 v	6欧姆
BZT52C11-7-G	-	RFQ	3512	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					BZT52				-		（1 （无限）	到达不受影响	BZT52C11-7-GDI	Ear99	8541.10.0050	3,000
DMN1260UFA-7B	0.3700	RFQ	65	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMN1260	MOSFET （金属 o化物）		X2-DFN0806-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道	12 v	500mA（ta）	1.5V，4.5V	366MOHM @ 200mA，4.5V	1V @ 250µA	0.96 NC @ 4.5 V	±8V	60 pf @ 10 V	-	360MW（TA）
STPS1640	0.7266	RFQ	3997	二极管合并	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	STPS16	标准		ITO220AB（（类型WX2）	下载				31-STPS1640	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	400 v	8a	1.3 V @ 8 A	35 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C
SDT15150P5-13D	-	RFQ	8114	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	PowerDi™5		肖特基		PowerDi™5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													150 v		860 mv @ 15 A		100 µA @ 150 V	-55°C〜150°C	15a	-
SDT5H100LP5-13D	0.1614	RFQ	1778年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerDi™5	SDT5H100	肖特基		PowerDi™5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v		660 mv @ 5 a		3.5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	5a	-
DMJ70H1D4SV3	-	RFQ	5183	二极管合并	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	DMJ70	MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	不适用	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道	700 v	5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	342 PF @ 50 V	-	78W（TC）
DDC144th-7-f	0.1266	RFQ	9598	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	DDC144		150MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50V	100mA			500NA（ICBO）			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 100µA，1mA	100 @ 1mA，5V	250MHz	47kohms	-
DMN29M9UFDF-13	0.1392	RFQ	6870	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMN29	MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（f型）	下载			到达不受影响	31-DMN29M9UFDF-13TR	Ear99	8541.29.0095	10,000			n通道	20 v	11a（11a）	1.8V，4.5V	13.5MOHM @ 5A，4.5V	1.2V @ 250µA	14.6 NC @ 10 V	±12V	655 pf @ 8 V	-	1.2W（TA）
BZX84C11-7	-	RFQ	5494	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V									11 V	20欧姆
DMN2991UT-13	0.0544	RFQ	8611	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	DMN2991	MOSFET （金属 o化物）		SOT-523	下载			到达不受影响	31-DMN2991UT-13TR	Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道	20 v	300mA（TA）	1.5V，4.5V	3ohm @ 100mA，4.5V	1V @ 250µA	0.35 NC @ 4.5 V	±10V	21.5 pf @ 15 V	-	280MW（TA）
RS2BA-13	-	RFQ	2496	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	do-214ac，SMA	RS2B	标准		SMA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v		1.3 V @ 1.5 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1.5a	30pf @ 4V，1MHz
SBL4035PT	-	RFQ	2250	二极管合并	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	SBL4035	肖特基		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	35 v	40a	580 mv @ 20 a		1 mA @ 35 V	-55°C〜125°C
DMN4034SSSQ-13	0.2741	RFQ	5476	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMN4034	MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载			到达不受影响	31-DMN4034SSSQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	40 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	34mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	920 PF @ 20 V	-	1.4W（TA）
1N4936G-T	0.0756	RFQ	8723	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4936	标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													400 v		1.2 V @ 1 A	200 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	1a	-
GBJ35JL-F	10.0007	RFQ	5352	二极管合并	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ		标准		GBJ	下载			到达不受影响	31 GBJ35JL-F	Ear99	8541.10.0080	15																	920 MV @ 17.5 A		10 µA @ 600 V		35 a				单相	600 v
BC847CDLP-7	0.3700	RFQ	13	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫	BC847		350MW	x2-dfn1310-6（b型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							45V	100mA			15NA			2 NPN （双）	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
DMN6140L-7	0.3900	RFQ	183	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN6140	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	60 V	1.6a（ta）	4.5V，10V	140MOHM @ 1.8A，10V	3V @ 250µA	8.6 NC @ 10 V	±20V	315 pf @ 40 V	-	700MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²