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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
DMN31D5L-13	0.0474	RFQ	9497	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN31	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道	30 V	500mA（ta）	2.5V，4V	1.5OHM @ 10mA，4V	1.6V @ 250µA	1.2 NC @ 10 V	±20V	50 pf @ 15 V	-	350MW（TA）
DMN2450UFD-7	0.3300	RFQ	4	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-udfn	DMN2450	MOSFET （金属 o化物）		X1-DFN1212-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	20 v	900mA（ta）	1.5V，4.5V	600mohm @ 200ma，4.5V	1V @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V	±12V	52 pf @ 16 V	-	400MW（TA）
DMTH6006SPS-13	0.3837	RFQ	6310	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMTH6006	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMTH6006SPS-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	60 V	17.8A（TA），100A（tc）	10V	6.2MOHM @ 10.5A，10V	4V @ 250µA	27.9 NC @ 10 V	±20V	1721 PF @ 30 V	-	2.94W（ta），107W（tc）
DMTH6005LFG-7	0.5078	RFQ	2590	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMTH6005	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	31-DMTH6005LFG-7TR	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	60 V	19.7a（ta），100a（tc）	4.5V，10V	4.1MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	48.7 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 30 V	-	2.38W（ta），75W（（（（（（（（（（
S5AC-13	-	RFQ	2262	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	DO-214AB，SMC	S5A	标准		SMC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													50 V		1.15 V @ 5 A		10 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	5a	40pf @ 4V，1MHz
QZX363C12-7-G	-	RFQ	3209	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					QZX363				-		（1 （无限）	到达不受影响	QZX363C12-7-GDI	Ear99	8541.10.0050	3,000
SBR20A300CTB-13	1.7700	RFQ	290	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SBR20	超级障碍		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	300 v	10a	920 MV @ 10 A	45 ns	100 µA @ 300 V	-65°C〜175°C
DSC10065	5.1540	RFQ	8420	二极管合并	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	DSC10	SIC （碳化硅）		TO220AC（WX）	下载			到达不受影响	31-DSC10065	Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v		1.7 V @ 10 A	0 ns	250 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	10a	400pf @ 100mV，1MHz
BC847CDLP-7	0.3700	RFQ	13	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫	BC847		350MW	x2-dfn1310-6（b型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							45V	100mA	15NA			2 NPN （双）	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
DMN6140L-7	0.3900	RFQ	183	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN6140	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	60 V	1.6a（ta）	4.5V，10V	140MOHM @ 1.8A，10V	3V @ 250µA	8.6 NC @ 10 V	±20V	315 pf @ 40 V	-	700MW（TA）
DMP2101UCP9-7	0.2639	RFQ	3921	二极管合并	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-XFBGA，DSBGA	DMP2101	MOSFET （金属 o化物）	970MW（TA）	X2-DSN1515-9（B型）	-				31-DMP2101UCP9-7	Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	2.5a（ta）		100mohm @ 1A，4.5V	900mv @ 250µA	3.2nc @ 4.5V		392pf @ 10V	标准
PDU340-13	0.9400	RFQ	12	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerDi™5	PDU340	标准		PowerDi™5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													400 v		1.25 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-
BZX84C27-7	-	RFQ	1023	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	±7％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		100 na @ 18.9 V							27 V	80欧姆
SDM40E20LA-7	0.5800	RFQ	8	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SDM40	肖特基		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	20 v	400mA（DC）	310 MV @ 100 mA		250 µA @ 20 V	-65°C〜125°C
SDT20100GCTFP	0.7096	RFQ	1266	二极管合并	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	SDT20100	肖特基		ITO220AB（wx类型）	下载			到达不受影响	31-SDT20100GCTFP	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	100 v	10a	720 MV @ 10 A		30 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
DMP2004DWK-7	0.4900	RFQ	2167	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMP2004	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	430mA		900MOHM @ 430mA，4.5V	1V @ 250µA	-		175pf @ 16V	逻辑级别门
ZXMP4A57E6TA	0.6300	RFQ	31	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZXMP4A57	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	40 V	2.9a（ta）	4.5V，10V	80mohm @ 4A，10V	3V @ 250µA	15.8 NC @ 10 V	±20V	833 PF @ 20 V	-	1.1W（TA）
SBR10200CT	-	RFQ	5038	二极管合并	SBR®	管子	在sic中停产			通过洞	TO-220-3	SBR10200	超级障碍		TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	200 v	5a	900 mv @ 5 a	20 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
SBL1030	-	RFQ	5615	二极管合并	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2	SBL1030	肖特基		TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		600 mv @ 10 a		1 ma @ 30 V	-65°C〜150°C	10a	-
BS107P	0.6300	RFQ	1762年	二极管合并	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BS107	MOSFET （金属 o化物）		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000			n通道	200 v	120mA（ta）	2.6V，5V	30ohm @ 100mA，5V	-		±20V		-	500MW（TA）
DMN2400UFB4-7	0.3700	RFQ	121	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMN2400	MOSFET （金属 o化物）		X2-DFN1006-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	20 v	750mA（TA）	1.8V，4.5V	550MOHM @ 600mA，4.5V	900mv @ 250µA	0.5 NC @ 4.5 V	±12V	36 pf @ 16 V	-	470MW（TA）
DXTP07060BFGQ-7	0.2175	RFQ	3409	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn			1.1 w	PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载			到达不受影响	31-DXTP07060BFGQ-7TR	Ear99	8541.29.0075	2,000																							60 V	3 a	20NA（ICBO）			PNP	500mv @ 300mA，3a	100 @ 500mA，2V	140MHz
DMT12H090LFDF4-7	0.3599	RFQ	9131	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-powerxdfn	DMT12	MOSFET （金属 o化物）		X2-DFN2020-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DMT12H090LFDF4-7TR	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	115 v	3.4a（ta）	3V，10V	90MOHM @ 3.5A，10V	2.2V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±12V	251 PF @ 50 V	-	900MW（TA）
APD245VGTR-E1	-	RFQ	9614	二极管合并	-	（TB）	过时的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向	APD245	肖特基		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													45 v		500 mv @ 2 a		500 µA @ 45 V	-65°C〜125°C	2a	-
BZX84C7V5-7-G	-	RFQ	5075	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					BZX84				-		（1 （无限）	到达不受影响	BZX84C7V5-7-GDI	Ear99	8541.10.0050	3,000
DMP21D0UFB-7B	0.3800	RFQ	20	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-UFDFN	DMP21	MOSFET （金属 o化物）		X1-DFN1006-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	10,000			P通道	20 v	770ma（ta）	1.8V，4.5V	495MOHM @ 400mA，4.5V	1V @ 250µA	1.5 NC @ 8 V	±8V	76.5 pf @ 10 V	-	430MW（TA）
BZX84C5V6Q-7-F	0.2000	RFQ	3	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±7.14％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		1 µA @ 2 V							5.6 v	40欧姆
DMP31D7LQ-13	0.0480	RFQ	3784	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMP31	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载				31-DMP31D7LQ-13	Ear99	8541.21.0095	10,000			P通道	30 V	580mA（ta）	4.5V，10V	900MOHM @ 420mA，10V	2.6V @ 250µA	0.36 NC @ 4.5 V	±20V	19 pf @ 15 V	-	430MW（TA）
DMC3016LNS-7	0.2475	RFQ	2535	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMC3016	MOSFET （金属 o化物）	1.3W（TA）	PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n和p通道互补			30V	（9A）（6.8a）（6.8a）（ta）		16mohm @ 7a，10v，28mohm @ 7a，10v	2V @ 250µA	9.5NC @ 4.5V		1184pf @ 15V，1188pf @ 15V	-
DMTH10H4M5LPSW	-	RFQ	5271	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	DMTH10	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8（type UX）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	100 v	20A（20A），107A（tc）	4.5V，10V	4.9mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	4843 PF @ 50 V	-	4.7W（TA），136W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²