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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BC858CW-7-F	0.2000	RFQ	16	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC858		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							30 V	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	200MHz
MMSZ5258BS-7-F	0.0483	RFQ	4098	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123	MMSZ5258		200兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		100 na @ 27 V							36 V	70欧姆
DMN62D4LDW-7	0.0600	RFQ	6493	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMN62	MOSFET （金属 o化物）	330MW（TA）	SOT-363	下载			到达不受影响	31-DMN62D4LDW-7TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			60V	261ma（ta）		3ohm @ 200ma，10v	2V @ 250µA	1.04NC @ 10V		41pf @ 30V	-
BZX84C5V1T-7-F	0.4000	RFQ	3	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5.88％	-65°C〜150°C	表面安装	SOT-523	BZX84		150兆	SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		2 µA @ 2 V							5.1 v	60欧姆
BZT585B2V7T-7	0.2300	RFQ	17	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523	BZT585		350兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.1 V @ 100 mA		20 µA @ 1 V							2.7 v	100欧姆
APD245VG-G1	-	RFQ	1369	二极管合并	-	大部分	过时的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向	APD245	肖特基		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													45 v		500 mv @ 2 a		500 µA @ 45 V	-65°C〜125°C	2a	-
DMN2710UWQ-7	0.0564	RFQ	4236	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	DMN2710	MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DMN2710UWQ-7TR	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	20 v	900mA（ta）	1.8V，4.5V	450MOHM @ 600mA，4.5V	1V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±6V	42 pf @ 16 V	-	470MW（TA）
SBR10U300CT	1.6590	RFQ	50	二极管合并	SBR®	管子	积极的			通过洞	TO-220-3	SBR10	超级障碍		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	300 v	5a	920 MV @ 10 A	35 ns	200 µA @ 300 V	-65°C〜175°C
DMTH12H007SK3-13	0.7541	RFQ	7659	二极管合并	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMTH12	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载				31-DMTH12H007SK3-13	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	120 v	86A（TC）	10V	8.9MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	3142 PF @ 60 V	-	2W（TA）
DMHC10H170SFJ-13	1.2400	RFQ	4	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-vdfn裸露的垫子	DMHC10	MOSFET （金属 o化物）	2.1W	V-DFN5045-12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2n和2p通道（半桥）			100V	2.9a，2.3a		160MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	9.7nc @ 10V		1167pf @ 25V	-
PDR5K-13	-	RFQ	8847	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	PowerDi™5	PDR5	标准		PowerDi™5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													750 v		990 mv @ 5 a	3 µs	10 µA @ 750 V	-65°C〜155°C	5a	-
BSS123K-13	0.1266	RFQ	3802	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS123	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	31-BSS123K-13TR	Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道	100 v	230ma（ta）	4.5V，10V	6ohm @ 170mA，10v	2V @ 1mA	1.3 NC @ 10 V	±20V	38 pf @ 50 V	-	500MW（TA）
ZXT10P12DE6TA	0.2175	RFQ	7809	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZXT10P12		1.1 w	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																							12 v	3 a	100NA			PNP	300mv @ 50mA，3a	300 @ 100mA，2V	110MHz
BS870-7-F	0.3500	RFQ	18	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BS870	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	60 V	250mA（ta）	10V	5ohm @ 200mA，10v	3V @ 250µA		±20V	50 pf @ 10 V	-	300MW（TA）
SBR40U100CT-2223	-	RFQ	6762	二极管合并	SBR®	大部分	上次购买			通过洞	TO-220-3		超级障碍		TO-220-3	-				31-SBR40U100CT-2223			1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1对普通阴极	100 v	40a	720 mv @ 20 a		500 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
DDA142JH-7	-	RFQ	8156	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	DDA142		150MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50V	100mA	500NA			2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	56 @ 10mA，5v	200MHz	470ohms	10KOHMS
ZXMP10A17GTA	0.3360	RFQ	1944年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ZXMP10	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道	100 v	1.7A（TA）	6V，10V	350MOHM @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	10.7 NC @ 10 V	±20V	424 pf @ 50 V	-	2W（TA）
MMST4401-7	-	RFQ	4397	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	MMST4401		200兆	SOT-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							40 V	600 MA	-			NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
2DB1132Q-13	-	RFQ	1567年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2DB1132		1 w	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																							32 v	1 a	500NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，3v	190MHz
SBR30A120CT-G-E1	-	RFQ	3579	二极管合并	SBR®	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	SBR30	超级障碍		TO-220-3	下载		（1 （无限）		31-SBR30A120CT-G-E1	Ear99	8541.10.0080	50		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1对普通阴极	120 v	15a	830 MV @ 15 A		100 µA @ 120 V	-65°C〜175°C
ZXMN7A11GQTA	0.4598	RFQ	5116	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载			到达不受影响	31-ZXMN7A11GQTATR	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	70 v	2.7a（ta）	4.5V，10V	130MOHM @ 4.4A，10V	1V @ 250µA	7.4 NC @ 10 V	±20V	298 pf @ 50 V	-	2W（TA）
BS870-7	-	RFQ	8997	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BS870	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	60 V	250mA（ta）	10V	5ohm @ 200mA，10v	3V @ 250µA		±20V	50 pf @ 10 V	-	300MW（TA）
ZXMN10A08E6TC	0.2280	RFQ	3966	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZXMN10	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000			n通道	100 v	1.5A（TA）	6V，10V	250MOHM @ 3.2A，10V	4V @ 250µA	7.7 NC @ 10 V	±20V	405 pf @ 50 V	-	1.1W（TA）
BZT585B5V6TQ-13	0.0417	RFQ	9602	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BZT585		350兆	SOD-523	下载			到达不受影响	31-BZT585B5V6TQ-13TR	Ear99	8541.10.0050	10,000																	1.1 V @ 100 mA		1 µA @ 2 V							5.6 v	40欧姆
DDZ24DSF-7	0.0286	RFQ	3691	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±3％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	DDZ24		500兆	SOD-323F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-DDZ24DSF-7DICT	Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		70 NA @ 22.4 V							24.24 v	60欧姆
ZXTC2063E6TA	0.7600	RFQ	2359	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZXTC2063		1.1W	SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																							40V	3.5a，3a	50NA（iCBO）			NPN，PNP	195mv @ 350mA，3.5a / 175mv @ 300mA，3a	300 @ 10mA，2v / 200 @ 1A，2V	190MHz，270MHz
DMN33D8LT-13	0.3600	RFQ	255	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	DMN33	MOSFET （金属 o化物）		SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道	30 V	115ma（ta）	2.5V，4V	5ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	0.55 NC @ 10 V	±20V	48 pf @ 5 V	-	240MW（TA）
DDZ14BQ-7	-	RFQ	5874	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±3％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-123	DDZ14		310 MW	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		50 na @ 11 V							14.26 v	16欧姆
DMN10H099SK3-13	0.6100	RFQ	1	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMN10	MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	100 v	17a（TC）	6V，10V	80mohm @ 3.3a，10v	3V @ 250µA	25.2 NC @ 10 V	±20V	1172 PF @ 50 V	-	34W（TC）
BCP68TA	-	RFQ	1269	二极管合并	-	Digi-Reel®	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP68		2 w	SOT-223-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																							20 v	1 a	-			NPN	500mv @ 100mA，1a	63 @ 500mA，1V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²