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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
B180AE-13	-	RFQ	1653	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	do-214ac，SMA	B180	肖特基		SMA	下载	rohs3符合条件		到达受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												80 V	790 mv @ 1 a	200 µA @ 80 V	-55°C〜150°C	1a	27pf @ 4V，1MHz
SB190-T	0.1008	RFQ	2313	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	SB190	肖特基		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												90 v	800 mv @ 1 A	500 µA @ 90 V	-65°C〜125°C	1a	-
DMP34M4SPS-13	1.1200	RFQ	9	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMP34	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道	30 V	135a（TC）	5V，10V	3.8mohm @ 20a，10v	2.6V @ 250µA	127 NC @ 10 V	±25V	3775 pf @ 15 V	-	1.5W
DMPH33M8SPSW-13	0.8078	RFQ	4637	二极管合并	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMPH33	MOSFET （金属 o化物）		PowerDi5060-8（Q）	-				31-DMPH33M8SPSW-13	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道	30 V	100A（TC）	6V，10V	3.8mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	127 NC @ 10 V	±20V	3775 pf @ 15 V	-	1.7W（TA）
DDZ9697T-7	0.4600	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	DDZ9697		150兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma	100 na @ 7.6 V							10 v
DMG3415UFY4-7	-	RFQ	8712	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMG3415	MOSFET （金属 o化物）		DFN2015H4-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	16 V	2.5a（ta）	1.8V，4.5V	39mohm @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	281.9 pf @ 10 V	-	400MW（TA）
BZX84C18-7-F-31	-	RFQ	6659	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6.39％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响	31-BZX84C18-7-F-31TR	Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma	100 na @ 12.6 V							18 V	45欧姆
AZ23C3V9-7-G	-	RFQ	4000	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					AZ23C3V9				-		（1 （无限）	到达不受影响	AZ23C3V9-7-GDI	Ear99	8541.10.0050	3,000
AC817-40Q-7	0.0483	RFQ	3417	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	AC817		310 MW	SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				45 v	500 MA	100NA			NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
DMN2022Un-7	0.5900	RFQ	5044	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMN2022	MOSFET （金属 o化物）	1.2W	PowerDI3333-8（UXB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）公共排水			20V	10.7a（ta）		10.8mohm @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	20.3nc @ 4.5V		1870pf @ 10V	-
DMP2200UDW-13	0.4100	RFQ	67	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMP2200	MOSFET （金属 o化物）	450MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	2（p 通道（双）			20V	900mA		260MOHM @ 880mA，4.5V	1.2V @ 250µA	2.1nc @ 4.5V		184pf @ 10V	-
MMBZ5248BTS-7-F	0.1300	RFQ	7154	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MMBZ5248		200兆	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000	3独立														900 mv @ 10 ma	100 na @ 14 V							18 V	21欧姆
DMT10H025LK3-13	0.2981	RFQ	4157	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMT10	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	100 v	47.2A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	1477 PF @ 50 V	-	2.6W（ta）
DMC4028SSD-13	0.8300	RFQ	1717年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMC4028	MOSFET （金属 o化物）	1.8W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道			40V	6.5a，4.8a		28mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	12.9nc @ 10V		604pf @ 20V	逻辑级别门
BSS138WQ-13-F	0.0362	RFQ	1001	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BSS138	MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	31-BSS138WQ-13-FTR	Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道	50 V	280mA（TA）	10V	3.5OHM @ 220mA，10V	1.5V @ 250µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	48 pf @ 25 V	-	400MW（TA）
SMAZ18-13-F	0.4700	RFQ	1	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAZ18		1 w	SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000															1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 13.7 V							18 V	15欧姆
SDM5U45EP3-7	0.6400	RFQ	5	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	0606 （1616公制）		肖特基		X3-TSN1616-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												45 v	580 mv @ 5 a	140 µA @ 45 V	-55°C〜150°C	5a	189pf @ 5V，1MHz
DDTA144VKA-7-F	-	RFQ	9303	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DDTA144		200兆	SC-59-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 10mA，5V	250 MHz	47科姆斯	10 kohms
DMTH43M8LPSQ-13	1.2300	RFQ	12	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMTH43	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	40 V	22a（22A），100A（tc）	5V，10V	3.3mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±20V	3367 PF @ 20 V	-	2.7W（TA）
DDZ9699-7	0.2800	RFQ	209	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123	DDZ9699		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma	50 NA @ 9.1 V							12 v
BZT52C16LP-7B-79	-	RFQ	5165	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					BZT52				-		（1 （无限）	到达不受影响	BZT52C16LP-7B-79DI	Ear99	8541.10.0050	3,000
BZX84B12-7-F	0.1800	RFQ	3	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma	100 na @ 8 V							12 v	25欧姆
BZX84C4V7-7	-	RFQ	3518	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	±6％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma	3 µA @ 2 V							4.7 v	80欧姆
FMMT720TC	-	RFQ	8403	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FMMT720		625兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																				40 V	1.5 a	100NA			PNP	330mv @ 100mA，1.5a	300 @ 100mA，2V	190MHz
DMT10H052LFDF-13	0.1469	RFQ	4117	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMT10	MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（f型）	下载			到达不受影响	31-DMT10H052LFDF-13TR	Ear99	8541.29.0095	10,000			n通道	100 v	5A（5A）	4.5V，10V	52MOHM @ 4A，10V	3V @ 250µA	5.4 NC @ 10 V	±20V	258 pf @ 50 V	-	800MW（TA）
BZX84C3V0T-7-F	0.0630	RFQ	1326	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±7％	-65°C〜150°C	表面安装	SOT-523	BZX84		150兆	SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma	20 µA @ 1 V							3 V	95欧姆
DZ23C8V2-7	-	RFQ	4838	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOT-23-3平线	DZ23C8V2		300兆	SOT-23F	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000	1对普通阴极																						8.2 v	7欧姆
DMP2042UCB4-7	-	RFQ	6418	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，Wlbga	DMP2042	MOSFET （金属 o化物）		U-WLB1010-4	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	20 v	4.6a（ta）	2.5V，4.5V	45mohm @ 1A，4.5V	1.2V @ 250µA	2.5 NC @ 4.5 V	-6V	218 PF @ 10 V	-	1.4W
BZT52C10SQ-7-F	0.0359	RFQ	7837	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323	BZT52		200兆	SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-BZT52C10SQ-7-FTR	Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma	100 na @ 7 V							10 v	20欧姆
BC847C-7-F	0.1700	RFQ	18	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847		300兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				45 v	100 ma	15NA			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²