SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 电容比 电容比条件 q @ vr,f
B250AF-13 Diodes Incorporated B250AF-13 0.4600
RFQ
ECAD 3233 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-221ac,sma平面线索 B250 肖特基 SMAF 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 650 mv @ 2 a 100 µA @ 50 V -55°C〜150°C 2a 80pf @ 4V,1MHz
UF5A600D1-13 Diodes Incorporated UF5A600D1-13 -
RFQ
ECAD 3315 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 标准 TO-252-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 UF5A600D1-13DI Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.9 V @ 5 A 30 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜175°C 5a 50pf @ 10V,1MHz
RH06-T Diodes Incorporated RH06-T 0.6700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 RH06 标准 4微米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 1.15 V @ 400 mA 5 µA @ 600 V 500 MA 单相 600 v
MB154-F Diodes Incorporated MB154-F -
RFQ
ECAD 5928 0.00000000 二极管合并 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方,MB MB154 标准 MB 下载 (1 (无限) 到达受影响 MB154-FDI Ear99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 400 V 15 a 单相 400 v
RH04-T Diodes Incorporated RH04-T 0.7500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 RH04 标准 4微米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 1.15 V @ 400 mA 5 µA @ 400 V 500 MA 单相 400 v
DF06S Diodes Incorporated DF06 0.8820
RFQ
ECAD 4220 0.00000000 二极管合并 - 管子 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 DF06 标准 DF-S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 DF06SDI Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 600 V 1 a 单相 600 v
MB352W Diodes Incorporated MB352W -
RFQ
ECAD 5609 0.00000000 二极管合并 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,MB-W MB352 标准 MB-W 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 MB352WDI Ear99 8541.10.0080 100 1.2 V @ 17.5 A 10 µA @ 200 V 35 a 单相 200 v
DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated DMN61D8LVTQ-7 0.4900
RFQ
ECAD 4035 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 DMN61 MOSFET (金属 o化物) 820MW TSOT-26 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 60V 630mA 1.8ohm @ 150mA,5v 2V @ 1mA 0.74NC @ 5V 12.9pf @ 12V 逻辑级别门
GBJ2510-F Diodes Incorporated GBJ2510-F 2.3200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 二极管合并 - 管子 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBJ GBJ2510 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 1000 V 25 a 单相 1 kV
GBPC2504 Diodes Incorporated GBPC2504 -
RFQ
ECAD 3867 0.00000000 二极管合并 - 托盘 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC2504 标准 GBPC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 GBPC2504DI Ear99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 400 V 25 a 单相 400 v
1N5236B-T Diodes Incorporated 1N5236B-T -
RFQ
ECAD 1966年 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5236 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 6 V 7.5 v 6欧姆
KBJ604G Diodes Incorporated KBJ604G 1.0220
RFQ
ECAD 9915 0.00000000 二极管合并 - 管子 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBJ KBJ604 标准 KBJ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 3 A 5 µA @ 400 V 6 a 单相 400 v
DMC4050SSDQ-13 Diodes Incorporated DMC4050SSDQ-13 0.8300
RFQ
ECAD 13 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DMC4050 MOSFET (金属 o化物) 1.8W 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道互补 40V 5.3a 45mohm @ 3a,10v 1.8V @ 250µA 37.56NC @ 10V 1790.8pf @ 20v -
ZC833BTC Diodes Incorporated ZC833BTC -
RFQ
ECAD 2747 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 ZC833B SOT-23-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 34.65pf @ 2V,1MHz 单身的 25 v 6.5 C2/C20 200 @ 3V,50MHz
GBJ804-F Diodes Incorporated GBJ804-F 1.5600
RFQ
ECAD 36 0.00000000 二极管合并 - 管子 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBJ GBJ804 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 15 1 V @ 4 A 5 µA @ 400 V 8 a 单相 400 v
GBJ1501 Diodes Incorporated GBJ1501 -
RFQ
ECAD 8683 0.00000000 二极管合并 - 管子 在sic中停产 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBJ GBJ1501 标准 GBJ 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 GBJ1501DI Ear99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 7.5 A 10 µA @ 100 V 15 a 单相 100 v
HD02-T Diodes Incorporated HD02-T 0.4300
RFQ
ECAD 91 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 HD02 标准 4微米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 400 MA 5 µA @ 200 V 800 MA 单相 200 v
HD04-T Diodes Incorporated HD04-T 0.4300
RFQ
ECAD 76 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 HD04 标准 4微米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 400 MA 5 µA @ 400 V 800 MA 单相 400 v
GBJ2502 Diodes Incorporated GBJ2502 -
RFQ
ECAD 6004 0.00000000 二极管合并 - 管子 在sic中停产 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBJ GBJ2502 标准 GBJ 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 GBJ2502DI Ear99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 200 V 25 a 单相 200 v
DF1510S-T Diodes Incorporated DF1510S-T 0.6200
RFQ
ECAD 186 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 DF1510 标准 DF-S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 1000 V 1.5 a 单相 1 kV
KBP202G Diodes Incorporated KBP202G 0.5100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 二极管合并 - 管子 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBP KBP202 标准 KBP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 KBP202GDI Ear99 8541.10.0080 35 1.1 V @ 2 A 5 µA @ 200 V 2 a 单相 200 v
DF1502S-T Diodes Incorporated DF1502S-T 0.5100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 DF1502 标准 DF-S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 200 V 1.5 a 单相 200 v
RH02-T Diodes Incorporated RH02-T 0.2436
RFQ
ECAD 3127 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 RH02 标准 4微米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1.15 V @ 400 mA 5 µA @ 200 V 500 MA 单相 200 v
GBJ1002 Diodes Incorporated GBJ1002 -
RFQ
ECAD 9282 0.00000000 二极管合并 - 管子 在sic中停产 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBJ GBJ1002 标准 GBJ 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 GBJ1002DI Ear99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 5 A 10 µA @ 200 V 10 a 单相 200 v
GBPC1501 Diodes Incorporated GBPC1501 -
RFQ
ECAD 5309 0.00000000 二极管合并 - 托盘 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC1501 标准 GBPC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 GBPC1501DI Ear99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 100 V 15 a 单相 100 v
GBJ2010-F Diodes Incorporated GBJ2010-F 2.1700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 二极管合并 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBJ GBJ2010 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 10 A 10 µA @ 1000 V 20 a 单相 1 kV
GBPC2502 Diodes Incorporated GBPC2502 -
RFQ
ECAD 5143 0.00000000 二极管合并 - 托盘 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC2502 标准 GBPC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 GBPC2502DI Ear99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 200 V 25 a 单相 200 v
DF1506S-T Diodes Incorporated DF1506S-T 0.5800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 DF1506 标准 DF-S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 600 V 1.5 a 单相 600 v
KBP005G Diodes Incorporated KBP005G 0.5100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 二极管合并 - 管子 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBP KBP005 标准 KBP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 35 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 50 V 1.5 a 单相 50 V
GBJ1510 Diodes Incorporated GBJ1510 -
RFQ
ECAD 3300 0.00000000 二极管合并 - 管子 在sic中停产 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBJ GBJ1510 标准 GBJ 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 GBJ1510DI Ear99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 7.5 A 10 µA @ 1000 V 15 a 单相 1 kV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库