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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
KBP02G	0.5100	RFQ	404	二极管合并	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBP	KBP02	标准		KBP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	35																	1.1 V @ 1.5 A		5 µA @ 200 V		1.5 a				单相	200 v
ZXTN2018FTA	0.7900	RFQ	140	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	ZXTN2018		1.2 w	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																							60 V	5 a			20NA（ICBO）			NPN	210MV @ 300mA，6a	100 @ 2a，1V	130MHz
SBR0240LPW-7B	0.3000	RFQ	25	二极管合并	汽车，AEC-Q101，SBR®	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	0402（（1006公制）	SBR0240	标准		X1-DFN1006-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													40 V			3.8 ns	10 µA @ 40 V	-65°C〜150°C	200mA	8pf @ 5V，1MHz
BZX84C20-13-F-79	-	RFQ	1458	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					BZX84				-		（1 （无限）	到达不受影响	BZX84C20-13-F-79DI	Ear99	8541.10.0050	10,000
MMBZ5259BT-7-G	-	RFQ	6857	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-		（1 （无限）	到达不受影响	MMBZ5259BT-7-GDI	Ear99	8541.10.0050	3,000
FMMT491ATC	0.1088	RFQ	9854	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FMMT491		500兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																							40 V	1 a			100NA			NPN	500mv @ 100mA，1a	300 @ 500mA，5V	150MHz
DMG1026UV-7	0.4000	RFQ	156	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMG1026	MOSFET （金属 o化物）	580MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			60V	410mA		1.8Ohm @ 500mA，10v	1.8V @ 250µA	0.45NC @ 10V		32pf @ 25V	逻辑级别门
1SMB5927B-13	0.4500	RFQ	474	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	1SMB5927		550兆	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V									12 v	6.5欧姆
ZTX557STOB	-	RFQ	6049	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	e-line-3，形成的铅	ZTX557		1 w	to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																							300 v	500 MA			100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	75MHz
BZT52C10S-7-F	0.2800	RFQ	116	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	BZT52		200兆	SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		100 na @ 7 V									10 v	20欧姆
DMN3732UFB4-7	0.2800	RFQ	8671	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMN3732	MOSFET （金属 o化物）		X2-DFN1006-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		31-DMN3732UFB4-7CT	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	30 V	1.3a（ta）	1.8V，4.5V	460MOHM @ 200MA，4.5V	950mv @ 250µA	0.9 NC @ 4.5 V	±8V	40.8 pf @ 25 V	-	490MW（TA）
DMP3099L-13	0.3400	RFQ	31	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMP3099	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000			P通道	30 V	3.8A（TA）	4.5V，10V	65mohm @ 3.8A，10V	2.1V @ 250µA	5.2 NC @ 4.5 V	±20V	563 pf @ 25 V	-	1.08W（TA）
DMP32M6SPS-13	1.8400	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMP32	MOSFET （金属 o化物）		POWERDI5060-8（k型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.6mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	158 NC @ 10 V	±20V	8594 pf @ 15 V	-	1.3W
PDS5100H-13-2477	-	RFQ	7686	二极管合并	-	大部分	上次购买			表面安装	PowerDi™5		肖特基		PowerDi™5	-				31-PDS5100H-13-2477			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v		710 MV @ 5 A		3.5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	5a	-
ZXMD63N02XTA	-	RFQ	2892	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	ZXMD63	MOSFET （金属 o化物）	1.04W	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	2 n 通道（双）			20V	2.5a		130MOHM @ 1.7A，4.5V	3V @ 250µA	6NC @ 4.5V		700pf @ 15V	逻辑级别门
DDTB123TC-7-F	-	RFQ	5903	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DDTB123		200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	500 MA			500NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	100 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms
SBR1A400P1-7	0.4800	RFQ	11	二极管合并	SBR®	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerDi®123	SBR1A400	超级障碍		PowerDi™123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													400 v		1.1 V @ 1 A	85 ns	50 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	1a	-
ZDT6705TA	-	RFQ	5001	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-223-8	ZDT6705		2.75W	SM8	下载		（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																							120V	1a			10µA			NPN，PNP Darlington （双）	1.5V @ 1mA，1a	2000 @ 1A，5V	150MHz
DMP31D1U-13	0.0264	RFQ	3355	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		31-DMP31D1U-13TR	Ear99	8541.21.0095	10,000			P通道	30 V	620mA（ta）	1.8V，4.5V	1欧姆 @ 400mA，4.5V	1.1V @ 250µA	1.6 NC @ 8 V	±8V	54 pf @ 15 V	-	460MW（TA）
ZXTN25020DZTA	0.5700	RFQ	1	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	ZXTN25020		2.4 w	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																							20 v	6 a			50NA（iCBO）			NPN	270mv @ 300mA，6a	300 @ 10mA，2V	215MHz
SD101AWS-7	-	RFQ	3067	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	SC-76，SOD-323	SD101A	肖特基		SOD-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													60 V		1 V @ 15 ma	1 ns	200 µA @ 50 V	-65°C〜125°C	15mA	2pf @ 0v，1MHz
1N5819HWQ-7-F	0.4000	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123	1N5819	肖特基		SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		450 MV @ 1 A		1 mA @ 40 V	-65°C〜125°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
MBR2545CT	-	RFQ	8459	二极管合并	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	MBR2545	肖特基		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	MBR2545CTDI	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	45 v	30a	820 mv @ 30 a		200 µA @ 45 V	-65°C〜150°C
SD103ATW-7-F-2477	-	RFQ	3543	二极管合并	-	大部分	上次购买			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		肖特基		SOT-363	-				31-SD103ATW-7-F-2477			1		小信号= <200ma（io（io），任何速度												3独立	40 V	175ma	500 mv @ 100 ma	10 ns	5 µA @ 30 V	-55°C〜125°C
SB1100A-01	-	RFQ	6926	二极管合并	-	大部分	过时的			-	-		-		-	-	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达受影响	31-SB1100A-01	Ear99	8541.10.0080	1,000		-																		-	-	-
BAS70-06Q-7-F	0.3500	RFQ	3	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS70	肖特基		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对公共阳极	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 ma	2.5 ns	100 na @ 50 V	-55°C〜125°C
DMTH15H017LPSWQ-13	1.7900	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	DMTH15	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8（type UX）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	150 v	8a（8a ta），50a （TC）	4.5V，10V	17.5mohm @ 20a，10v	2.6V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3369 PF @ 75 V	-	1.5W（ta），107W（TC）
ZVN4306ASTZ	-	RFQ	6385	二极管合并	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3		MOSFET （金属 o化物）		to-92兼容）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000			n通道	60 V	1.1A（TA）	5V，10V	330mohm @ 3a，10v	3V @ 1mA		±20V	350 pf @ 25 V	-	850MW（TA）
2DB1386R-13	0.2093	RFQ	7092	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2DB1386		1 w	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																							20 v	5 a			500NA（ICBO）			PNP	1V @ 100mA，4a	180 @ 500mA，2V	100MHz
DZ9F18S92-7	0.2200	RFQ	8	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-923	DZ9F18		200兆	SOD-923	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																	900 mv @ 10 ma		100 na @ 14 V									18 V	50欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²