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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
DMG1012TQ-7	0.3500	RFQ	985	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	DMG1012	MOSFET （金属 o化物）		SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	630ma（ta）	1.8V，4.5V	400mohm @ 600mA，4.5V	1V @ 250µA	0.74 NC @ 4.5 V	±6V	60.67 pf @ 16 V	-	280MW（TA）
2A07-T	-	RFQ	5205	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向	2A07	标准		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	4,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1000 v	1.1 V @ 2 A		5 µA @ 1000 V	-65°C〜150°C	2a	15pf @ 4V，1MHz
SBR8U60P5-13-2169	-	RFQ	5598	二极管合并	SBR®	大部分	上次购买			表面安装	PowerDi™5		超级障碍		PowerDi™5	-				31-SBR8U60P5-13-2169			1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												60 V	530 mv @ 8 a		600 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	8a	-
DXTP3C100PD-13	0.2411	RFQ	9012	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DXTP3C100		1.76W	PowerDI5060-8（type UXD）	下载			到达不受影响	31-DXTP3C100PD-13TR	Ear99	8541.29.0075	2,500																				100V	3a	100NA			2 PNP （双）	325mv @ 200mA，2a	170 @ 500mA，10v	100MHz
1SMB5923B-13	0.4400	RFQ	210	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	1SMB5923		3 W	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 6.5 V							8.2 v	3.5欧姆
DFLZ12-7	0.4900	RFQ	51	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	PowerDi®123	DFLZ12		1 w	PowerDi™123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 9.1 V							12 v	7欧姆
PR3007-A52	-	RFQ	4676	二极管合并	-	大部分	过时的			表面安装	6-SMD，没有铅		标准		6-SMD	-				31 PR3007-A52	过时的		1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1000 v	1.3 V @ 3 A	500 ns	5 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	3a	50pf @ 4V，1MHz
DMP27M1UPSW-13	0.3271	RFQ	4488	二极管合并	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	DMP27	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8（type UX）	下载				31-DMP27M1UPSW-13	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	84A（TC）	2.5V，10V	5.5MOHM @ 15A，10V	1.3V @ 250µA	123 NC @ 10 V	±12V	4777 PF @ 10 V	-	1.95W（TA），3.57W（tc）
DMTH3004LFGQ-13	0.2629	RFQ	8133	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMTH3004	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	（15a）（ta），75a tc（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±16V	2370 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
DMTH10H009SPSQ-13	0.4648	RFQ	9686	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMTH10	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载			到达不受影响	31-DMTH10H009SPSQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	14a（14A），86A （TC）	10V	8.9mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	2085 PF @ 50 V	-	1.6W（TA），100W（TC）
DDZ8V2CSF-7	0.1900	RFQ	3	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±3％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	DDZ8V2		500兆	SOD-323F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														900 mv @ 10 ma		7.5 µA @ 7.63 V							8.24 v	30欧姆
DDZ9697Q-13	-	RFQ	3026	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123	DDZ9697		500兆	SOD-123	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DDZ9697Q-13TR	Ear99	8541.10.0050	10,000														900 mv @ 10 ma		100 na @ 7.6 V							10 v
SBRT05U20LP-7B	-	RFQ	3907	二极管合并	Trechsbr®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	0402（（1006公制）	SBRT05	超级障碍		X1-DFN1006-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												20 v	390 mv @ 500 mA	6 ns	50 µA @ 20 V	-65°C〜150°C	500mA	14pf @ 20V，1MHz
DDZX33-13	0.0321	RFQ	8099	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±3％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DDZX33		300兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DDZX33-13DI	Ear99	8541.10.0050	10,000														900 mv @ 10 ma		50 na @ 27 V							33 V	75欧姆
DDZ30D-7	0.0435	RFQ	7441	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-123	DDZ30		310 MW	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														900 mv @ 10 ma		50 na @ 23 V							30 V	55欧姆
DCP51-13	-	RFQ	9049	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	DCP51		1 w	SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																				45 v	1 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	200MHz
PR1006GL-T	-	RFQ	8013	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	-		（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												800 v	1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	1a	8pf @ 4V，1MHz
BZT585B43TQ-7	0.0806	RFQ	2613	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BZT585		350兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	BZT585B43TQ-7DI	Ear99	8541.10.0050	3,000														1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 30.1 V							43 V	150欧姆
DMN61D9U-13	-	RFQ	1141	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN61	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN61D9U-13DI	Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	60 V	380mA（ta）	1.8V，5V	2ohm @ 50mA，5v	1V @ 250µA	0.4 NC @ 4.5 V	±20V	28.5 pf @ 30 V	-	370MW（TA）
DMP1011LFVQ-7	0.2024	RFQ	9225	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMP1011	MOSFET （金属 o化物）		PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载			到达不受影响	31-DMP1011LFVQ-7TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	12 v	13A（13A），19a （TC）	2.5V，4.5V	11.7MOHM @ 12A，4.5V	1.2V @ 250µA	9.5 NC @ 6 V	-6V	913 PF @ 6 V	-	1.05W
DMN2005LPK-7	0.4700	RFQ	64	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-UFDFN	DMN2005	MOSFET （金属 o化物）		X1-DFN1006-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	440mA ta）	1.5V，4V	1.5OHM @ 10mA，4V	1.2V @ 100µA		±10V		-	450MW（TA）
BZT585B13TQ-7	0.0806	RFQ	6064	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BZT585		350兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	BZT585B13TQ-7DI	Ear99	8541.10.0050	3,000														1.1 V @ 100 mA		100 na @ 8 V							13 V	10欧姆
BZT52C12Q-7-F	0.0384	RFQ	6	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5.42％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123	BZT52		370兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-BZT52C12Q-7-FTR	Ear99	8541.10.0050	3,000														900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V							12 v	25欧姆
DDTC123TE-7-F	0.0605	RFQ	4009	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-523	DDTC123		150兆	SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DDTC123TE-FDITR	Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma	500NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	2.2 kohms
FZT651QTC	0.7500	RFQ	7	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FZT651		2 w	SOT-223-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																				60 V	3 a	100NA（ICBO）			NPN	600mv @ 300mA，3a	100 @ 500mA，2V	175MHz
DMNH10H028SK3-13	0.5880	RFQ	2569	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMNH10	MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	55A（TC）	10V	28mohm @ 20a，10v	3.3V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	2245 PF @ 50 V	-	2W（TA）
MMDT3906Q-7	0.0898	RFQ	7125	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MMDT3906		200MW	SOT-363	下载				31-MMDT3906Q-7	Ear99	8541.21.0075	3,000																				40V	200mA	50NA			2 PNP （双）	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
B390BE-13	-	RFQ	7911	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	DO-214AA，SMB	B390	肖特基		SMB	下载	rohs3符合条件		到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												90 v	790 mv @ 3 a		200 µA @ 90 V	-55°C〜150°C	3a	105pf @ 4V，1MHz
SBR2060CTI	-	RFQ	6245	二极管合并	-	管子	过时的			通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SBR2060	标准		TO-251	下载	rohs3符合条件		到达受影响		Ear99	8541.10.0080	75	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												60 V	700 mv @ 10 a		150 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	10a	-
BZX84C3V9T-7-F	0.0630	RFQ	4902	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOT-523	BZX84		150兆	SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														900 mv @ 10 ma		3 µA @ 1 V							3.9 v	90欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²