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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
DXT5551P5Q-13	0.5900	RFQ	4163	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerDi™5	DXT5551		2.25 w	PowerDi™5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	5,000																							160 v	600 MA			50NA（iCBO）			NPN	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	130MHz
BZT52C3V6T-7	0.2100	RFQ	8	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523	BZT52		300兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V									3.6 v	90欧姆
ZXTP2039FTA	0.4000	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	ZXTP2039		350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							60 V	1 a			100NA			PNP	600mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，5V	150MHz
DMP2110UFDBQ-7	0.4600	RFQ	1496年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMP2110	MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（B型）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	80MOHM @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±10V	443 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
DMN2041L-7	0.3800	RFQ	206	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN2041	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	20 v	6.4a（ta）	2.5V，4.5V	28mohm @ 6a，4.5V	1.2V @ 250µA	15.6 NC @ 10 V	±12V	550 pf @ 10 V	-	780MW（TA）
DXT690BP5Q-13	0.2700	RFQ	4173	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerDi™5	DXT690		740兆w	PowerDi™5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																							45 v	3 a			20NA			NPN	350mv @ 150mA，3a	400 @ 1A，2V	150MHz
DMN2310UFB4-7B	0.0425	RFQ	4685	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMN2310	MOSFET （金属 o化物）		X2-DFN1006-3	下载			到达不受影响	31-DMN2310UFB4-7BTR	Ear99	8541.29.0095	10,000			n通道	20 v	2.1a（ta）	1.5V，4.5V	175MOHM @ 1A，4.5V	950mv @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V	±8V	38 pf @ 10 V	-	710MW（TA）
STPR1240	0.6900	RFQ	48	二极管合并	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3		标准		TO220AB（wx类型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-STPR1240	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	400 v	6a	1.3 V @ 6 A	35 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C
S5acf	-	RFQ	2578	二极管合并	-	大部分	过时的			表面安装	DO-214AB，SMC		标准		SMC	-			到达不受影响	31-S5ACF	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													50 V		1.15 V @ 5 A		10 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	5a	40pf @ 4V，1MHz
DMT12H065LFDF-7	0.3605	RFQ	3639	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMT12	MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（f型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DMT12H065LFDF-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	115 v	4.3a（ta）	3V，10V	65mohm @ 3a，10v	2.2V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±12V	252 PF @ 50 V	-	1W（ta）
DMNH6012SPS-13	0.5513	RFQ	6134	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMNH6012	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	60 V	50A（TC）	10V	11mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	35.2 NC @ 10 V	±20V	1926 PF @ 30 V	-	1.6W（TA）
BZT52C13LPQ-7	0.0672	RFQ	3950	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.53％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	0402（（1006公制）	BZT52		250兆	X1-DFN1006-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	BZT52C13LPQ-7DI	Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V									13 V	30欧姆
BZX84C16-7	-	RFQ	1295	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	±6％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		100 na @ 11.2 V									16 V	40欧姆
MMBZ5242BQ-7-F	0.1900	RFQ	5794	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		1 µA @ 9.1 V									12 v	30欧姆
ZXTN2031FTA	0.7900	RFQ	8562	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	ZXTN2031		1.2 w	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																							50 V	5 a			20NA（ICBO）			NPN	170MV @ 250mA，5a	200 @ 500mA，2V	125MHz
MMBZ5242BTS-7-F	0.1300	RFQ	7570	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MMBZ5242		200兆	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000	3独立																900 mv @ 10 ma		1 µA @ 9.1 V									12 v	30欧姆
DMN61D9UWQ-13	0.3500	RFQ	212	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	DMN61	MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道	60 V	400mA（TA）	1.8V，5V	2ohm @ 50mA，5v	1V @ 250µA	0.4 NC @ 4.5 V	±20V	28.5 pf @ 30 V	-	440MW（TA）
PD3S160-7-2477	-	RFQ	2794	二极管合并	-	大部分	上次购买			表面安装	PowerDi™323		肖特基		PowerDi™323	-				31-PD3S160-7-2477			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													60 V		640 mv @ 1 a		50 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	1a	38pf @ 10V，1MHz
1N4148WT-7-G	-	RFQ	3950	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					1N4148				-		（1 （无限）	到达不受影响	1N4148WT-7-GDI	Ear99	8541.10.0070	3,000
DMTH6002LPSWQ-13	1.0319	RFQ	9232	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8（SWP）	下载			到达不受影响	31-DMTH6002LPSWQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	60 V	205a（TC）	4.5V，10V	2mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	131 NC @ 10 V	±20V	8289 PF @ 30 V	-	（3W（ta），167W（tc）
MBR20100CTP	-	RFQ	5334	二极管合并	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3隔离选项卡	MBR20100CT	肖特基		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	100 v	10a	850 mv @ 10 A		100 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
APD260VDTR-E1	-	RFQ	3794	二极管合并	-	（TB）	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	APD260	肖特基		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													60 V		500 mv @ 2 a		500 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	2a	-
SDT20120GCT	0.6954	RFQ	1026	二极管合并	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3	SDT20120	肖特基		TO-220-3	下载			到达不受影响	31-SDT20120GCT	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	120 v	10a	830 MV @ 10 A		30 µA @ 120 V	-55°C〜150°C
SMAZ24-13-F	0.4700	RFQ	296	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	Smaz24		1 w	SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																	1.2 V @ 200 ma		500 na @ 18.2 V									24 V	15欧姆
DFLU1400-7	0.4100	RFQ	169	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerDi®123	DFLU1400	标准		PowerDi™123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													400 v		1.25 V @ 1 A	25 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	1a	14pf @ 4V，1MHz
GBPC25005	-	RFQ	7968	二极管合并	-	托盘	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC	GBPC25005	标准		GBPC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	GBPC25005DI	Ear99	8541.10.0080	100																	1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 50 V		25 a				单相	50 V
DMP2110UVT-13	0.0817	RFQ	8647	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMP2110	MOSFET （金属 o化物）	740MW（TA）	TSOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	2（p 通道（双）			20V	1.8A（ta）		150MOHM @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	6NC @ 4.5V		443pf @ 6V	-
SBR30E45CTB-13	-	RFQ	3125	二极管合并	SBR®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SBR30	超级障碍		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	800		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1对普通阴极	45 v	15a	550 mv @ 15 A		480 µA @ 45 V	-65°C〜150°C
DMN3300U-7	0.4600	RFQ	14	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN3300	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	30 V	2A（TA）	1.5V，4.5V	150MOHM @ 4.5A，4.5V	1V @ 250µA		±12V	193 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
DMP3056LDMQ-7	0.1634	RFQ	3	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	DMP3056	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DMP3056LDMQ-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	30 V	4.3a（ta）	4.5V，10V	45mohm @ 5a，10v	2.1V @ 250µA	21.1 NC @ 10 V	±20V	948 PF @ 25 V	-	1.25W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²