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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SBR10U45SP5Q-13-52	0.3533	RFQ	2718	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	PowerDi™5		超级障碍		PowerDi™5	下载				31-SBR10U45SP5Q5Q5Q-13-52	Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													45 v		470 mv @ 10 A		300 µA @ 45 V	-	10a	-
DMN2990UFA-7B	0.5100	RFQ	49	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMN2990	MOSFET （金属 o化物）		X2-DFN0806-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道	20 v	510mA（ta）	1.2V，4.5V	990MOHM @ 100mA，4.5V	1V @ 250µA	0.5 NC @ 4.5 V	±8V	27.6 pf @ 16 V	-	400MW（TA）
1N5258B-T	-	RFQ	7446	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5258		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																	1.1 V @ 200 ma		100 na @ 27 V									36 V	70欧姆
DMN3032LFDB-7	0.4000	RFQ	16	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMN3032	MOSFET （金属 o化物）	1W	U-DFN2020-6（B型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	6.2a		30mohm @ 5.8A，10V	2V @ 250µA	10.6nc @ 10V		500pf @ 15V	-
DMT12H060LFDF-7	0.2284	RFQ	5990	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMT12	MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（f型）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	31-DMT12H060LFDF-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	115 v	4.4a（ta）	1.5V，4.5V	65mohm @ 3A，4.5V	1.4V @ 250µA	7.8 NC @ 4.5 V	±8V	475 pf @ 50 V	-	1.1W（TA）
1N5259B-T	-	RFQ	9916	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5259		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																	1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 30 V									39 v	80欧姆
UDZ9V1BQ-13	0.3300	RFQ	4819	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-			UDZ9V1				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000
SDT8A120P5Q-7D	-	RFQ	2971	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	PowerDi™5		肖特基		PowerDi™5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													120 v		840 mv @ 8 a		300 µA @ 120 V	-55°C〜150°C	8a	-
DMG1016VQ-13	0.1418	RFQ	8468	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMG1016	MOSFET （金属 o化物）	530MW	SOT-563	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMG1016VQ-13DI	Ear99	8541.21.0095	10,000	n和p通道			20V	870mA，640mA		400mohm @ 600mA，4.5V	1V @ 250µA	0.74NC @ 4.5V		60.67pf @ 16V	逻辑级别门
RS2KA-13	-	RFQ	9953	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	do-214ac，SMA	RS2K	标准		SMA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													800 v		1.3 V @ 1.5 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	1.5a	30pf @ 4V，1MHz
DMN2046U-13	0.0555	RFQ	6807	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN2046	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN2046U-13DI	Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道	20 v	3.4a（ta）	2.5V，4.5V	72MOHM @ 3.6A，4.5V	1.4V @ 250µA	3.8 NC @ 4.5 V	±12V	292 PF @ 10 V	-	760MW（TA）
BZX84C8V2TS-7-F	-	RFQ	5801	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-65°C〜150°C	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BZX84		200兆	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000	3独立																900 mv @ 10 ma		700 na @ 5 V									8.2 v	15欧姆
BZX84C3V3W-7-F	0.3400	RFQ	11	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	-65°C〜125°C	表面安装	SC-70，SOT-323	BZX84		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V									3.3 v	95欧姆
BC847BLD-7	-	RFQ	4875	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847		300兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							45 v	200 MA			50NA			NPN	400mv @ 5mA，100mA	150 @ 10mA，5V	100MHz
BCV46QTA	0.0981	RFQ	9822	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCV46		310 MW	SOT-23-3	下载			到达不受影响	31-BCV46QTATR	Ear99	8541.21.0075	3,000																							60 V	500 MA			100NA（ICBO）			pnp-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	200MHz
BAS16VV-7	0.4500	RFQ	5	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	BAS16	标准		SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												3独立	100 v	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	-55°C〜150°C
ZTX953STZ	0.4970	RFQ	6930	二极管合并	-	（TB）	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	e-line-3，形成的铅	ZTX953		1.2 w	to-92兼容）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																							100 v	3.5 a			50NA（iCBO）			PNP	330mv @ 400mA，4a	100 @ 1A，1V	125MHz
SDM10U45LP-7	0.4400	RFQ	56	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	0402（（1006公制）	SDM10	肖特基		X1-DFN1006-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													40 V		800 mv @ 100 ma		1 µA @ 25 V	-40°C〜125°C	100mA	15pf @ 10V，1MHz
MMBZ5252BTS-7-F	-	RFQ	5209	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			200兆	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000	3独立																900 mv @ 10 ma		100 na @ 18 V									24 V	33欧姆
1N4740A-T	-	RFQ	7229	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4740		1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																	1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 7.6 V									10 v	7欧姆
DMTH8001STLW-13	2.7342	RFQ	6321	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI1012-8	下载			到达不受影响	31-DMTH8001STLW-13TR	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道	80 V	270a（TC）	10V	1.7MOHM @ 30a，10V	4V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	8894 PF @ 50 V	-	6W（6W），250W（TC）
DMP31D7LWQ-7	0.0685	RFQ	5000	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		31-DMP31D7LWQ-7TR	Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	30 V	380mA（ta）	4.5V，10V	900MOHM @ 420mA，10V	2.6V @ 250µA	0.36 NC @ 10 V	±20V	19 pf @ 15 V	-	290MW
SBR05U20LP-7	-	RFQ	1255	二极管合并	SBR®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	0402（（1006公制）	SBR05	超级障碍		X1-DFN1006-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													20 v		500 mv @ 500 mA		50 µA @ 20 V	-65°C〜150°C	500mA	-
SDM02M30DCP3-7	0.0554	RFQ	9557	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-XFDFN	SDM02	肖特基		X3-DSN1006-3	下载			到达不受影响	31-SDM02M30DCP3-7TR	Ear99	8541.10.0070	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	30 V	400mA	750 mv @ 200 ma	2.99 ns	2 µA @ 30 V	-55°C〜150°C
DMNH6042SK3Q-13	0.8900	RFQ	3	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMNH6042	MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	60 V	25A（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	8.8 NC @ 10 V	±20V	584 pf @ 25 V	-	2W（TA）
BAV21WSQ-7-F-52	0.0432	RFQ	2384	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SC-76，SOD-323	BAV21	标准		SOD-323	下载				31-BAV21WSQ-7-F-52	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													200 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 V	-55°C〜150°C	200mA	5pf @ 0v，1MHz
DMN2024UVT-13	0.1395	RFQ	1563年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMN2024	MOSFET （金属 o化物）	1W	TSOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN2024UVT-13DI	Ear99	8541.29.0095	10,000	2 n 通道（双）公共排水			20V	7a（ta）		24mohm @ 6.5a，4.5V	900mv @ 250µA	7.1nc @ 4.5V		647pf @ 10V	-
BAT54-7-G	-	RFQ	6909	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT54	肖特基		SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响	31-bat54-7-gtr	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													30 V		800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	-65°C〜150°C	200mA	10pf @ 1V，1MHz
MB356W	-	RFQ	7420	二极管合并	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，MB-W		标准		MB-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	MB356WDI	Ear99	8541.10.0080	100																	1.2 V @ 17.5 A		10 µA @ 600 V		35 a				单相	600 v
DMP1009UFDFQ-7	0.6200	RFQ	5	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMP1009	MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（f型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	12 v	11a（11a）	1.8V，4.5V	11MOHM @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	44 NC @ 8 V	±8V	1860 pf @ 10 V	-	2W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²