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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压-峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
DMP22D5UDJ-7A	0.0473	RFQ	9297	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-963	DMP22	MOSFET （金属 o化物）	380MW（TA）	SOT-963	下载			到达不受影响	31-DMP22D5UDJ-7ATR	Ear99	8541.21.0095	10,000	2（p 通道（双）			20V	360ma（ta）		1.9OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 250µA	0.3NC @ 4.5V		17pf @ 15V	-
DMN2710UW-7	0.0481	RFQ	9740	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	DMN2710	MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	31-DMN2710UW-7TR	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	20 v	900mA（ta）	1.8V，4.5V	450MOHM @ 600mA，4.5V	1V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±6V	42 pf @ 16 V	-	470MW（TA）
BZX84C6V2Q-7-F	0.0357	RFQ	6190	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.45％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3	下载			到达不受影响	31-BZX84C6V2Q-7-FTR	Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		3 µA @ 4 V									6.2 v	10欧姆
B250-13-F-2477	-	RFQ	5961	二极管合并	-	大部分	上次购买			表面安装	DO-214AA，SMB		肖特基		SMB	-				31-B250-13-F-2477			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													50 V		700 mv @ 2 a		500 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	2a	200pf @ 4V，1MHz
MMSZ5221BQ-7-F	0.0365	RFQ	7208	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123			370兆	SOD-123	下载			到达不受影响	31-mmsz5221BQ-7-FTR	Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		100 µA @ 1 V									2.4 v	30欧姆
DMN2053UVTQ-7	0.1020	RFQ	7054	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMN2053	MOSFET （金属 o化物）	700MW（TA）	TSOT-26	下载			到达不受影响	31-DMN2053UVTQ-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			20V	4.6a（ta）		35mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	3.6nc @ 4.5V		369pf @ 10V	-
DSC08C065FP	3.4300	RFQ	4836	二极管合并	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2完整包，隔离选项卡		SIC （碳化硅）		ITO-220AC（WX）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		31-DSC08C065FP	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													650 v		1.7 V @ 8 A		200 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	8a	273pf @ 100mV，1MHz
BAV21WSQ-7-F-52	0.0432	RFQ	2384	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SC-76，SOD-323	BAV21	标准		SOD-323	下载				31-BAV21WSQ-7-F-52	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													200 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 V	-55°C〜150°C	200mA	5pf @ 0v，1MHz
DMT64M2LPSW-13	0.4054	RFQ	9664	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMT64	MOSFET （金属 o化物）		PowerDi5060-8（Q）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	31-DMT64M2LPSW-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	60 V	20.7a（ta），100a（tc）	4.5V，10V	4.4mohm @ 50a，10v	2.5V @ 250µA	46.7 NC @ 10 V	±20V	2799 PF @ 30 V	-	2.8W（ta），83.3W（tc）
DMT3020LDT-7	0.2105	RFQ	3690	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	DMT3020	MOSFET （金属 o化物）	670MW（TA）	V-DFN3030-8（k型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DMT3020LDT-7TR			1,500	2 n 通道（双）			30V	8.5A（TC）		20mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	7NC @ 10V		393pf @ 15V	-
S10JC-13	0.2488	RFQ	3346	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC		标准		SMC	下载			到达不受影响	31-S10JC-13TR	Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													600 v		1.1 V @ 10 A		10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	10a	45pf @ 4V，1MHz
DDTC114TE-7-F	0.0605	RFQ	3839	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-523	DDTC114		150兆	SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma			500NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 100µA，1mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
DMTH6016LFVWQ-13	0.6500	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMTH6016	MOSFET （金属 o化物）		PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	60 V	41A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	15.1 NC @ 10 V	±20V	939 PF @ 30 V	-	1.17W（TA）
DMP3012LPS-13	0.3497	RFQ	4143	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMP3012	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道	30 V	13.2a（ta）	4.5V，10V	9mohm @ 10a，10v	2.1V @ 250µA	139 NC @ 10 V	±20V	6807 PF @ 15 V	-	1.29W（TA）
MURS460C-13-F	0.2575	RFQ	1483	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC		标准		SMC	下载			到达不受影响	31-MURS460C-13-FTR	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.28 V @ 4 A	50 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	4a	40pf @ 4V，1MHz
DDTA123EKA-7-F	-	RFQ	2305	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DDTA123		200兆	SC-59-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma			500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 20mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
MMSZ5251BQ-7-F	-	RFQ	9246	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123	MMSZ5251		370兆	SOD-123	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31 MMSZ5251BQ-7-FTR	Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		100 na @ 17 V									22 v	29欧姆
DMP4047SSD-13	0.6900	RFQ	51	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMP4047	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）			40V	5.1a		45MOHM @ 4.4A，10V	3V @ 250µA	21.5nc @ 10V		1154pf @ 20V	逻辑级别门
SBR2M100SAF-13	0.0774	RFQ	4179	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，sma平面线索	SBR2M100	超级障碍		SMAF	下载			到达不受影响	31-SBR2M100SAF-13TR	Ear99	8541.10.0080	10,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													100 v		780 mv @ 2 a		1 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	2a	-
ZXMP6A17E6QTA	0.7200	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZXMP6A17	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	60 V	2.3a（ta）	4.5V，10V	125mohm @ 2.3a，10v	3V @ 250µA	17.7 NC @ 10 V	±20V	637 PF @ 30 V	-	1.1W（TA）
RDBF36-13	0.2456	RFQ	6483	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	RDBF36	标准		DBF	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000																	1.3 V @ 2.5 A		5 µA @ 600 V		3 a				单相	600 v
B130-13-F-2477	-	RFQ	9002	二极管合并	-	大部分	上次购买			表面安装	do-214ac，SMA		肖特基		SMA	-				31-B130-13-F-2477			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		500 mv @ 1 A		500 µA @ 30 V	-65°C〜150°C	1a	110pf @ 4V，1MHz
SDM2100S1F-7-2477	-	RFQ	6630	二极管合并	-	大部分	上次购买			表面安装	SOD-123F		肖特基		SOD-123F	-				31-SDM2100S1F-7-2477			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v		830 mv @ 2 a		150 na @ 100 V	-55°C 〜175°C	2a	42pf @ 4V，1MHz
MMBZ5251BW-7-F	0.0630	RFQ	7096	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MMBZ5251BW-FDITR	Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		100 na @ 17 V									22 v	29欧姆
BZT585B6V8TQ-7	0.0564	RFQ	1493	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BZT585		350兆	SOD-523	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-BZT585B6V8TQ-7TR	Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.1 V @ 100 mA		2 µA @ 4 V									6.8 v	15欧姆
ZXTN08400BNS-7	0.3500	RFQ	3830	二极管合并	PowerDi®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装		ZXTN08400		830MW		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-ZXTN08400BNS-7TR	Ear99	8541.21.0095	2,000																							400V	500mA			50NA（iCBO）			2 NPN （双）	175mv @ 100mA，500mA	10 @ 500mA，5V	40MHz
PBPC1006	-	RFQ	8650	二极管合并	-	盒子	过时的		-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，PBPC-8		标准		PBPC-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	150																	1.1 V @ 5 A		10 µA @ 800 V		8 a				单相	800 v
DMN26D0UT-7	0.3300	RFQ	160	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	DMN26	MOSFET （金属 o化物）		SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	20 v	230ma（ta）	1.2V，4.5V	3ohm @ 100mA，4.5V	1V @ 250µA		±10V	14.1 pf @ 15 V	-	300MW（TA）
BAS40-5-7-F	-	RFQ	4695	二极管合并	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS40	肖特基		SOT-23-3	-				31-BAS40-5-7-F			1		小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对普通阴极	40 V	200mA	1 V @ 40 mA	5 ns	200 na @ 30 V	-55°C〜125°C
DMP610DL-13	0.0289	RFQ	7476	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMP610	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			P通道	60 V	180mA（TA）	5V	10ohm @ 100mA，5v	2V @ 1mA	0.56 NC @ 10 V	±30V	24.6 pf @ 25 V	-	310MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²