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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比	电容比条件	q @ vr，f
DMP2104V-7	0.4300	RFQ	15	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMP2104	MOSFET （金属 o化物）		SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	20 v	2.1a（ta）	1.8V，4.5V	150MOHM @ 950mA，4.5V	1V @ 250µA		±12V	320 pf @ 16 V	-	850MW（TA）
DMC2038LVT-7	0.4200	RFQ	9	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMC2038	MOSFET （金属 o化物）	800MW	TSOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			20V	3.7a，2.6a		35MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	17NC @ 10V		530pf @ 10V	逻辑级别门
DMPH6050SK3Q-13	0.9100	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMPH6050	MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道	60 V	7.2A（ta），23.6a tc）	4.5V，10V	50mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1377 PF @ 30 V	-	1.9W（TA）
DMMT3904WQ-7-F	0.4800	RFQ	12	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMMT3904		200MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							40V	200mA			-			2 NPN （双）	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
SBR3045SCTB-13	-	RFQ	7314	二极管合并	SBR®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SBR3045	超级障碍		TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	SBR3045SCTB-13DI	Ear99	8541.10.0080	800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	45 v	15a	700 MV @ 15 A		500 µA @ 45 V	-
AZ23C7V5-7-F	0.3300	RFQ	4882	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	AZ23C7V5		300兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000	1对公共阳极																											7.5 v	7欧姆
ZMV829BTA	-	RFQ	7247	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323	ZMV829			SOD-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000																						8.61pf @ 2V，1MHz			单身的	25 v								5.8	C2/C20	250 @ 3V，50MHz
DMT35M4LFVW-13	0.1983	RFQ	2115	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMT35M4LF	MOSFET （金属 o化物）		PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载			到达不受影响	31-DMT35M4LFVW-13TR	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	30 V	（16a）（60a），60a （TC）	4.5V，10V	6mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	16.1 NC @ 10 V	±20V	982 PF @ 15 V	-	1.5W（TA）
BZX84C12TS-7-F	0.0945	RFQ	9237	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	-65°C〜150°C	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BZX84		200兆	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000	3独立																900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V									12 v	25欧姆
BZT52C12-13-G	-	RFQ	1051	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					BZT52				-		（1 （无限）	到达不受影响	BZT52C12-13-GDI	Ear99	8541.10.0050	10,000
DMN2400UV-7	0.4700	RFQ	97	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMN2400	MOSFET （金属 o化物）	530MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			20V	1.33a		480MOHM @ 200MA，5V	900mv @ 250µA	0.5NC @ 4.5V		36pf @ 16V	逻辑级别门
DMT10H032LSS-13	0.2198	RFQ	4307	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMT10	MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载			到达不受影响	31-DMT10H032LSS-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	100 v	5A（5A）	4.5V，10V	32mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	11.9 NC @ 10 V	±20V	683 PF @ 50 V	-	1.3W（TA）
ZXMN10B08E6TA	0.7500	RFQ	1913年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZXMN10	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	100 v	1.6a（ta）	4.3V，10V	230MOHM @ 1.6A，10V	3V @ 250µA	9.2 NC @ 10 V	±20V	497 PF @ 50 V	-	1.1W（TA）
DFLS160Q-7-2478	-	RFQ	9492	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	上次购买			表面安装	PowerDi®123		肖特基		PowerDi™123	-				31-DFLS160Q-7-2478			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													60 V		500 mv @ 1 A	12 ns	100 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	1a	67pf @ 10V，1MHz
MMBD4448DW-7-F-79	-	RFQ	7843	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-		（1 （无限）	到达不受影响	MMBD4448DW-7-F-79DI	Ear99	8541.10.0070	3,000
DMN2009UC4-7	0.2732	RFQ	6090	二极管合并	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，DSBGA	DMN2009	MOSFET （金属 o化物）	900MW	X4-DSN1717-4	下载				31-DMN2009UCA4-7	Ear99	8541.21.0095	3,000	-			20V	10.3a（ta）		11.9mohm @ 2.5a，4.5V	1.4V @ 640µA	17.5nc @ 4V		1780pf @ 10V	标准
BCP5510TA	0.1000	RFQ	8789	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP5510		2 w	SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-BCP5510TADICT	Ear99	8541.29.0075	1,000																							60 V	1 a			100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	150MHz
BS170PSTOB	-	RFQ	5168	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3	BS170	MOSFET （金属 o化物）		to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000			n通道	60 V	270mA（ta）	10V	5ohm @ 200mA，10v	3V @ 1mA		±20V	60 pf @ 10 V	-	625MW（TA）
SBL2035PT	-	RFQ	3338	二极管合并	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	SBL2035	肖特基		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	35 v	20a	550 mv @ 10 a		1 mA @ 35 V	-65°C〜150°C
DMNH6042SPSQ-13	0.7400	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMNH6042	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	60 V	24A（TC）	4.5V，10V	50MOHM @ 5.1A，10V	3V @ 250µA	8.8 NC @ 10 V	±20V	584 pf @ 25 V	-	2.9W（TA）
ZTX449	-	RFQ	6516	二极管合并	-	大部分	过时的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	E-Line-3			1 w	to-92兼容）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																							30 V	1 a			100NA（ICBO）			NPN	1V @ 200mA，2a	100 @ 500mA，2V	150MHz
ZMM5242B-7	-	RFQ	5864	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80	ZMM5242		500兆	迷你梅尔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																	1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V									12 v	30欧姆
RS1J-13-G	-	RFQ	3924	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-		（1 （无限）	到达不受影响	RS1J-13-GDI	Ear99	8541.10.0080	5,000
D3Z16BF-7	0.2000	RFQ	7	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	D3Z16		400兆	SOD-323F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.1 V @ 100 mA		50 na @ 12 V									16.18 v	20欧姆
ZVP3306ASTOB	-	RFQ	6162	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3		MOSFET （金属 o化物）		to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000			P通道	60 V	160mA（TA）	10V	14ohm @ 200ma，10v	3.5V @ 1mA		±20V	50 pf @ 18 V	-	625MW（TA）
GBPC3504W	-	RFQ	2742	二极管合并	-	托盘	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC3504	标准		GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	gbpc3504wdi	Ear99	8541.10.0080	100																	1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 400 V		35 a				单相	400 v
MBR4040PT	-	RFQ	4042	二极管合并	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		肖特基		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	40 V	40a	700 mv @ 20 a		1 mA @ 40 V	-65°C〜150°C
BZT52C2V4LP-7B-G	-	RFQ	8172	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					BZT52				-		（1 （无限）	到达不受影响	BZT52C2V4LP-7B-GDI	Ear99	8541.10.0050	3,000
BZX84B9V1Q-7-F	0.0382	RFQ	3391	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3	下载			到达不受影响	31 BZX84B9V1Q-7-FTR	Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		500 na @ 6 V									9.1 v	15欧姆
SBL3060CT_HF	-	RFQ	4082	二极管合并	-	大部分	过时的			通过洞	TO-220-3完整包	SBL3060	肖特基		TO-220AB	下载				31-SBL3060CT_HF	过时的		1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	60 V	30a	700 MV @ 15 A		100 µA @ 60 V	-55°C〜125°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²