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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
DDZ9678Q-13	-	RFQ	1858年	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123	DDZ9678		500兆	SOD-123	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DDZ9678Q-13TR	Ear99	8541.10.0050	10,000																	900 mv @ 10 ma		7.5 µA @ 1 V									1.8 v
SBR2U10LP-7	-	RFQ	5037	二极管合并	SBR®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	3-udfn	SBR2U10	超级障碍		X1-DFN1411-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													10 v		460 mv @ 2 a	60 ns	2 ma @ 10 V	-65°C〜150°C	2a	102pf @ 5V，1MHz
DMN6013LFG-7	0.7300	RFQ	31	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMN6013	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	60 V	10.3a（ta），45a（tc）	4.5V，10V	13mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	55.4 NC @ 10 V	±20V	2577 PF @ 30 V	-	1W（ta）
MMDT2222VQ-7	0.4000	RFQ	2196	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	MMDT2222		150MW	SOT-563	下载				31-MMDT222222VQ-7	Ear99	8541.21.0095	3,000																							40V	600mA			10NA			2 NPN （双）	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
DMN2013UFDEQ-7	0.2465	RFQ	9944	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	DMN2013	MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（e）	下载			到达不受影响	31-DMN2013UFDEQ-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	20 v	10.5a（ta）	1.5V，4.5V	11mohm @ 8.5a，4.5V	1.1V @ 250µA	25.8 NC @ 8 V	±8V	2453 PF @ 10 V	-	660MW（TA）
DMC4029SSD-13	0.2893	RFQ	8763	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMC4029	MOSFET （金属 o化物）	1.8W（TA）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道互补			40V	（9A）（6.5A）（6.5A）		24mohm @ 6a，10v，45mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	8.8nc @ 4.5V，10.6NC @ 4.5V		1060pf @ 20v，1154pf @ 20V	-
DZT956-13	-	RFQ	2119	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-	Rohs符合条件	（1 （无限）		31-DZT956-13TR	过时的		3,000
DMTH6005LK3-13	1.1200	RFQ	3913	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMTH6005	MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	60 V	90A（TC）	4.5V，10V	5.6mohm @ 50a，10v	3V @ 250µA	47.1 NC @ 10 V	±20V	2962 PF @ 30 V	-	2.1W（TA），100W（TC）
DMN6040SSSQ-13	0.1688	RFQ	9118	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		31-DMN6040SSSQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	60 V	5.5A（ta）	4.5V，10V	40mohm @ 4.5A，10V	3V @ 250µA	22.4 NC @ 10 V	±20V	1287 PF @ 25 V	-	1.5W（TA）
DMTH6010LK3-13	1.1600	RFQ	1244	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMTH6010	MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	60 V	14.8a（ta），70a（tc）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	41.3 NC @ 10 V	±20V	2090 pf @ 30 V	-	3.1W（TA）
ZV832BV2TA	-	RFQ	2638	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	ZV832			SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000																						23.1pf @ 2V，1MHz			单身的	25 v										6.5	C2/C20	200 @ 3V，50MHz
DMP3017SFV-13	-	RFQ	7515	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMP3017	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 11.5a，10v	3V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±25V	2246 pf @ 15 V	-	31W（TA）
MMBZ5259BT-7-F	0.0736	RFQ	2750	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOT-523	MMBZ5259		150兆	SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		100 na @ 30 V									39 v	80欧姆
DSS30101L-7	0.4400	RFQ	4	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DSS30101		600兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							30 V	1 a			100NA（ICBO）			NPN	200mv @ 100mA，1a	300 @ 500mA，5V	250MHz
BAT64C-7-F	0.0660	RFQ	5733	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT64	肖特基		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	BAT64C-7-FDI	Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		750 mv @ 100 ma	3 ns	2 µA @ 40 V	-65°C〜150°C	250mA	6pf @ 1V，1MHz
BZT52C33S-7-F-79	-	RFQ	9726	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					BZT52				-		（1 （无限）	到达不受影响	BZT52C33S-7-F-79DI	Ear99	8541.10.0050	3,000
BZT585B16T-7	0.2300	RFQ	5700	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523	BZT585		350兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 11.2 V									16 V	40欧姆
2N7002DW-7-F-79	-	RFQ	1541年	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					2N7002	-			-		（1 （无限）	到达不受影响	2N7002DW-7-F-79DI	Ear99	8541.21.0095	3,000												-
DMC2025UFDB-7	0.4400	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMC2025	MOSFET （金属 o化物）	700MW（TA）	U-DFN2020-6（B型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道互补			20V	6a（6a），3.5a ta（3.5a）		25mohm @ 4A，4.5V，75MOHM @ 2.9a，4.5V	1V @ 250µA，1.4V @ 250µA	12.3nc @ 10v，15nc @ 8v		486pf @ 10v，642pf @ 10V	-
ADTC124EUAQ-13	0.0393	RFQ	2523	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	ADTC124		330兆	SOT-323	下载			到达不受影响	31-ADTC124EUAQ-13TR	Ear99	8541.21.0075	10,000																							50 V	100 ma			500NA			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
MBR10200CTF-E1	-	RFQ	7027	二极管合并	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包	MBR10200	肖特基		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	200 v	5a	950 mv @ 5 a		150 µA @ 200 V	150°C （最大）
DZ9F8V2S92-7	0.3500	RFQ	19	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-923	DZ9F8		200兆	SOD-923	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																	900 mv @ 10 ma		500 na @ 5 v									8.2 v	30欧姆
DMT6005LCT	1.4438	RFQ	7940	二极管合并	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	DMT6005	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	60 V	100A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	47.1 NC @ 10 V	±20V	2962 PF @ 30 V	-	2.3W（TA），104W（tc）
MMSZ5236BS-7	0.4500	RFQ	194	二极管合并	*	（CT）	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1034-mmsz5236bs-7dkr	Ear99	8541.10.0050	3,000
STPS1660	0.5016	RFQ	5681	二极管合并	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	STPS16	标准		ITO220AB（（类型WX2）	下载				31-STPS1660	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	600 v	8a	1.5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
DMP58D1LV-13	0.4100	RFQ	6952	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMP58	MOSFET （金属 o化物）	490MW（TA）	SOT-563	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	10,000	2（p 通道（双）			50V	220mA（ta）		8ohm @ 100mA，5v	2V @ 250µA	1.2NC @ 10V		37pf @ 25V	标准
MBR1550CT	-	RFQ	1232	二极管合并	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	MBR1550CT	肖特基		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	MBR1550CTDI	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	50 V	15a	900 mv @ 15 A		1 ma @ 50 V	-65°C〜150°C
BZT52C18TQ-7-F	0.0474	RFQ	7379	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.39％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BZT52		300兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		100 na @ 12.6 V									18 V	45欧姆
DMP2004DMK-7	0.2279	RFQ	7896	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	DMP2004	MOSFET （金属 o化物）	500MW	SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	550mA		900MOHM @ 430mA，4.5V	1V @ 250µA	-		175pf @ 16V	逻辑级别门
DMN67D8L-7	0.2000	RFQ	171	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN67	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	60 V	210mA（ta）	5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	0.82 NC @ 10 V	±30V	22 pf @ 25 V	-	340MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²