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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比	电容比条件	q @ vr，f
2DC4672-13-79	-	RFQ	6076	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的					2DC4672				-	Rohs符合条件	（1 （无限）		31-2DC4672-13-79TR	过时的		2,500
GBJ2506	-	RFQ	4537	二极管合并	-	管子	在sic中停产		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ2506	标准		GBJ	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	GBJ2506DI	Ear99	8541.10.0080	15																	1.05 V @ 12.5 A		10 µA @ 600 V		25 a				单相	600 v
SBR3045CTB	-	RFQ	9887	二极管合并	SBR®	管子	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SBR3045	超级障碍		TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	45 v	15a	700 MV @ 15 A		500 µA @ 45 V	-65°C〜150°C
1N4448WQ-7-F	0.2200	RFQ	84	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123	1N4448	标准		SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													75 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	25 na @ 20 V	-65°C〜150°C	250mA	4pf @ 0v，1MHz
BZX84C12TS-7-F	0.0945	RFQ	9237	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	-65°C〜150°C	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BZX84		200兆	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000	3独立																900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V									12 v	25欧姆
ZXMN10B08E6TA	0.7500	RFQ	1913年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZXMN10	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	100 v	1.6a（ta）	4.3V，10V	230MOHM @ 1.6A，10V	3V @ 250µA	9.2 NC @ 10 V	±20V	497 PF @ 50 V	-	1.1W（TA）
DMHT3006LFJ-13	0.5153	RFQ	1606	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-Powervdfn	DMHT3006	MOSFET （金属 o化物）	1.3W（TA）	V-DFN5045-12（C型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	4（n n 通道（半桥）			30V	13A（TA）		10mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	17NC @ 10V		1171pf @ 15V	-
DMT10H032LSS-13	0.2198	RFQ	4307	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMT10	MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载			到达不受影响	31-DMT10H032LSS-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	100 v	5A（5A）	4.5V，10V	32mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	11.9 NC @ 10 V	±20V	683 PF @ 50 V	-	1.3W（TA）
DMN3032LFDBQ-13	0.1559	RFQ	3807	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMN3032	MOSFET （金属 o化物）	1W	U-DFN2020-6（B型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000	2 n 通道（双）			30V	6.2a（ta）		30mohm @ 5.8A，10V	2V @ 250µA	10.6nc @ 10V		500pf @ 15V	-
DMT35M4LFVW-13	0.1983	RFQ	2115	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMT35M4LF	MOSFET （金属 o化物）		PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载			到达不受影响	31-DMT35M4LFVW-13TR	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	30 V	（16a）（60a），60a （TC）	4.5V，10V	6mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	16.1 NC @ 10 V	±20V	982 PF @ 15 V	-	1.5W（TA）
2DD2652-7	0.3200	RFQ	3	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2DD2652		300兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							12 v	1.5 a			100NA（ICBO）			NPN	200mv @ 25mA，500mA	270 @ 200ma，2V	260MHz
BZT52C30-7-F-79	-	RFQ	9762	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					BZT52				-		（1 （无限）	到达不受影响	BZT52C30-7-F-79DI	Ear99	8541.10.0050	3,000
DF1508	1.1172	RFQ	4452	二极管合并	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	DF1508	标准		DF-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DF1508SDI	Ear99	8541.10.0080	50																	1.1 V @ 1.5 A		10 µA @ 800 V		1.5 a				单相	800 v
B120B-13-F-52	0.0896	RFQ	9014	二极管合并	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	B120	肖特基		SMB	下载				31-B120B-13-F-52	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													20 v		500 mv @ 1 A		500 µA @ 20 V	-65°C〜150°C	1a	110pf @ 4V，1MHz
DMG4N60SJ3	-	RFQ	6229	二极管合并	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	DMG4	MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道	600 v	3A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	14.3 NC @ 10 V	±30V	532 PF @ 25 V	-	41W（TC）
RS1DB-13-G	-	RFQ	7639	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-		（1 （无限）	到达不受影响	RS1DB-13-GDI	Ear99	8541.10.0080	3,000
BAV199DWQ-7-F-52	0.0626	RFQ	1055	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BAV199	标准		SOT-363	下载				31-BAV199DWQ-7-F-52	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												2对系列连接	85 v	160mA	1.25 V @ 150 mA	3 µs	5 na @ 75 V	-65°C〜150°C
B2100SAF-13	-	RFQ	1586年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	do-221ac，sma平面线索	B2100	肖特基		SMAF	下载	rohs3符合条件		到达受影响		Ear99	8541.10.0080	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v		790 mv @ 2 a		10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	2a	93pf @ 4V，1MHz
SMAZ15-13-F	0.4700	RFQ	515	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAZ15		1 w	SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																	1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 11.4 V									15 v	10欧姆
BZT52C3V6TQ-7-F	-	RFQ	3669	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5.56％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BZT52		300兆	SOD-523	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-BZT52C3V6TQ-7-FTR	Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V									3.6 v	90欧姆
ZC829ATC	-	RFQ	5673	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	ZC829A			SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000																						9.02pf @ 2V，1MHz			单身的	25 v								5.8	C2/C20	250 @ 3V，50MHz
ZMM5233B-7	-	RFQ	6577	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80	ZMM5233		500兆	迷你梅尔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																	1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V									6 V	7欧姆
2N7002KQ-7-52	0.0458	RFQ	5108	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载				31-2N7002KQ-7-52	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	60 V	380mA（ta）	5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 1mA	0.3 NC @ 4.5 V	±20V	50 pf @ 25 V	-	370MW（TA）
LLSD103A-13	-	RFQ	4582	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	do-213aa		肖特基		迷你梅尔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	LLSD103A-13DI	Ear99	8541.10.0070	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		600 mv @ 200 ma	10 ns	5 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	350mA	50pf @ 0v，1MHz
DMP2900UT-7	0.0734	RFQ	4546	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	DMP2900	MOSFET （金属 o化物）		SOT-523	下载			到达不受影响	31-DMP2900UT-7TR	Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	20 v	500mA（ta）	1.8V，4.5V	700MOHM @ 430mA，4.5V	1V @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V	±6V	49 pf @ 16 V	-	250MW（TA）
DFLS1200-7-2477	-	RFQ	7402	二极管合并	-	大部分	上次购买			表面安装	PowerDi®123		肖特基		PowerDi™123	-				31-DFLS1200-7-2477			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v		850 mv @ 1 a		2 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	23pf @ 5V，1MHz
BZT52C5V6Q-7-F	0.2200	RFQ	1	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±7.14％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123	BZT52		370兆	SOD-123	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		1 µA @ 2 V									5.6 v	40欧姆
1SMB5946B-13	0.4600	RFQ	6	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	1SMB5946		3 W	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 56 V									75 v	140欧姆
FSD273TA	0.7800	RFQ	1	二极管合并	*	（CT）	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
ZVP3306ASTOB	-	RFQ	6162	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3		MOSFET （金属 o化物）		to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000			P通道	60 V	160mA（TA）	10V	14ohm @ 200ma，10v	3.5V @ 1mA		±20V	50 pf @ 18 V	-	625MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²