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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
DMP4026LSDQ-13	0.4078	RFQ	4354	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	1.3W（TA）	8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		31-DMP4026LSDQ-13TR			2,500	2个p通道			40V	6.5A（TA）		25mohm @ 3a，10v	1.8V @ 250µA	45.8NC @ 10V		2064pf @ 20V	标准
BAS40-5-7-F	-	RFQ	4695	二极管合并	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS40	肖特基		SOT-23-3	-				31-BAS40-5-7-F			1		小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对普通阴极	40 V	200mA	1 V @ 40 mA	5 ns	200 na @ 30 V	-55°C〜125°C
B130LB-13-F-2477	-	RFQ	5956	二极管合并	-	大部分	上次购买			表面安装	DO-214AA，SMB		肖特基		SMB	-				31-B130LB-13-F-2477			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		445 mv @ 2 a		1 ma @ 30 V	-55°C〜125°C	2a	90pf @ 4V，1MHz
SDM2100S1F-7-2477	-	RFQ	6630	二极管合并	-	大部分	上次购买			表面安装	SOD-123F		肖特基		SOD-123F	-				31-SDM2100S1F-7-2477			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v		830 mv @ 2 a		150 na @ 100 V	-55°C 〜175°C	2a	42pf @ 4V，1MHz
SBR40U100CT-2223	-	RFQ	6762	二极管合并	SBR®	大部分	上次购买			通过洞	TO-220-3		超级障碍		TO-220-3	-				31-SBR40U100CT-2223			1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1对普通阴极	100 v	40a	720 mv @ 20 a		500 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
PD3S130H-7-2477	-	RFQ	4771	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	上次购买			表面安装	PowerDi™323		肖特基		PowerDi™323	-				31-PD3S130H-7-2477			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		450 mv @ 700 mA		100 µA @ 30 V	-65°C〜150°C	1a	40pf @ 10V，1MHz
PD3S230H-7-2477	-	RFQ	6458	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	上次购买			表面安装	PowerDi™323		肖特基		PowerDi™323	-				31-PD3S230H-7-2477			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		600 mv @ 2 a		100 µA @ 30 V	-65°C〜150°C	2a	40pf @ 10V，1MHz
SDM02U30LP3-7B-2477	-	RFQ	1733年	二极管合并	-	大部分	上次购买			表面安装	0201（0603公制）		肖特基		X3-DFN0603-2	-				31-SDM02U30LP3-7B-2477			1		小信号= <200ma（io（io），任何速度													30 V		370 mv @ 10 mA		4 µA @ 30 V	-65°C〜150°C	100mA	-
SBR60A60CT-2223	-	RFQ	5441	二极管合并	SBR®	大部分	上次购买			通过洞	TO-220-3		超级障碍		TO-220-3	-				31-SBR60A60CT-2223			1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1对普通阴极	60 V	30a	650 mv @ 30 a		200 µA @ 60 V	-65°C〜150°C
BAT54LP-7-2477	-	RFQ	9463	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	上次购买			表面安装	0402（（1006公制）		肖特基		X1-DFN1006-2	-			到达不受影响	31-BAT54LP-7-2477	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度													30 V		1 V @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	-65°C〜125°C	200mA	10pf @ 1V，1MHz
B130-13-F-2477	-	RFQ	9002	二极管合并	-	大部分	上次购买			表面安装	do-214ac，SMA		肖特基		SMA	-				31-B130-13-F-2477			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		500 mv @ 1 A		500 µA @ 30 V	-65°C〜150°C	1a	110pf @ 4V，1MHz
PD3S220L-7-2477	-	RFQ	3063	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	上次购买			表面安装	PowerDi™323		肖特基		PowerDi™323	-				31-PD3S220L-7-2477			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													20 v		490 mv @ 2 a		160 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	2a	46pf @ 10V，1MHz
DMT8008LFG-7	1.3700	RFQ	1	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT8008	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	80 V	（16a）（ta），48a（tc）	4.5V，10V	6.9mohm @ 20a，10v	2.5V @ 1mA	37.7 NC @ 10 V	±20V	2254 PF @ 40 V	-	1W（TA），23.5W（TC）
AZ23C2V7-7-G	-	RFQ	4359	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					AZ23C2V7				-		（1 （无限）	到达不受影响	AZ23C2V7-7-GDI	Ear99	8541.10.0050	3,000
BZT52C11-7-F-79	-	RFQ	8008	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					BZT52				-		（1 （无限）	到达不受影响	BZT52C11-7-F-79DI	Ear99	8541.10.0050	3,000
BZX84C5V1-13-F-79	-	RFQ	3459	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					BZX84				-		（1 （无限）	到达不受影响	BZX84C5V1-13-F-79DI	Ear99	8541.10.0050	10,000
BZX84C5V1-7-G	-	RFQ	9799	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					BZX84				-		（1 （无限）	到达不受影响	BZX84C5V1-7-GDI	Ear99	8541.10.0050	3,000
BZX84C6V2-7-G	-	RFQ	5960	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					BZX84				-		（1 （无限）	到达不受影响	BZX84C6V2-7-GDI	Ear99	8541.10.0050	3,000
MMBZ5221BT-7-G	-	RFQ	5446	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-		（1 （无限）	到达不受影响	MMBZ5221BT-7-GDI	Ear99	8541.10.0050	3,000
MMBZ5229B-7-G	-	RFQ	3379	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-		（1 （无限）	到达不受影响	MMBZ5229B-7-GDI	Ear99	8541.10.0050	3,000
MMBZ5239B-7-G	-	RFQ	5607	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-		（1 （无限）	到达不受影响	MMBZ5239B-7-GDI	Ear99	8541.10.0050	3,000
MMBZ5248B-7-G	-	RFQ	5351	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-		（1 （无限）	到达不受影响	MMBZ5248B-7-GDI	Ear99	8541.10.0050	3,000
MMBZ5255BT-7-G	-	RFQ	2214	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-		（1 （无限）	到达不受影响	MMBZ5255BT-7-GDI	Ear99	8541.10.0050	3,000
BZT52C20LP-7B-79	-	RFQ	5774	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					BZT52				-		（1 （无限）	到达不受影响	BZT52C20LP-7B-79DI	Ear99	8541.10.0050	3,000
BZT52C33-7-G	-	RFQ	7064	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					BZT52				-		（1 （无限）	到达不受影响	BZT52C33-7-GDI	Ear99	8541.10.0050	3,000
BZX84C3V6-7-G	-	RFQ	2815	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					BZX84				-		（1 （无限）	到达不受影响	BZX84C3V6-7-GDI	Ear99	8541.10.0050	3,000
BZX84C3V9-7-G	-	RFQ	6842	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					BZX84				-		（1 （无限）	到达不受影响	BZX84C3V9-7-GDI	Ear99	8541.10.0050	3,000
BZX84B7V5-7-F	0.1900	RFQ	10	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		1 µA @ 5 V						7.5 v	15欧姆
1SMB5936B-13	0.1257	RFQ	6309	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	1SMB5936		550兆	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	1SMB5936B-13DI	Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V						30 V	28欧姆
DF10	0.9702	RFQ	4076	二极管合并	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	DF10	标准		DF-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	50																	1.1 V @ 1 A		10 µA @ 1000 V		1 a		单相	1 kV

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²