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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
TT6M	0.2185	RFQ	6851	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		TTL	下载			到达不受影响	31-tt6mtr	Ear99	8541.10.0080	1,500															1 V @ 3 A		5 µA @ 1000 V		6 a				单相	1 kV
DMP3097L-13	0.0789	RFQ	4949	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMP3097	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载			到达不受影响	31-DMP3097L-13TR	Ear99	8541.29.0095	10,000			P通道	30 V	3.9a（ta）	4.5V，10V	65mohm @ 3.8A，10V	2.1V @ 250µA	13.4 NC @ 10 V	±20V	563 pf @ 25 V	-	1W
DMN2053UVTQ-13	0.0896	RFQ	2060	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMN2053	MOSFET （金属 o化物）	700MW（TA）	TSOT-26	下载			到达不受影响	31-DMN2053UVTQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	10,000	2 n 通道（双）			20V	4.6a（ta）		35mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	3.6nc @ 4.5V		369pf @ 10V	-
DMN65D8LV-13	0.0496	RFQ	3115	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN65	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	-			到达不受影响	31-DMN65D8LV-13TR	Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道	60 V	310mA ta）	5V，10V	3ohm @ 115mA，10v	2V @ 250µA	0.87 NC @ 10 V	±20V	22 pf @ 25 V	-	370MW（TA）
DMN3016LFDFQ-7	0.1333	RFQ	9864	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMN3016	MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（f型）	下载			到达不受影响	31-DMN3016LFDFQ-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	30 V	10a（10a）	4.5V，10V	12mohm @ 11a，10v	2V @ 250µA	25.1 NC @ 10 V	±20V	1415 pf @ 15 V	-	730MW（TA）
DMC2025UFDBQ-7	0.1294	RFQ	1889年	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMC2025	MOSFET （金属 o化物）	700MW（TA）	U-DFN2020-6（B型）	下载			到达不受影响	31-DMC2025UFDBQ-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道互补			20V	6a（6a），3.5a ta（3.5a）		25mohm @ 4A，4.5V，75MOHM @ 2.9a，4.5V	1V @ 250µA，1.4V @ 250µA	12.3nc @ 10v，15nc @ 8v		486pf @ 10v，642pf @ 10V	-
SDT15150VP5-7	0.2610	RFQ	8782	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerDi™5		肖特基		PowerDi™5	下载			到达不受影响	31-SDT15150VP5-7TR	Ear99	8541.10.0080	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												150 v	1 V @ 15 A		80 µA @ 150 V	-55°C〜150°C	15a	-
RABS20M-13	0.1008	RFQ	9341	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		4-SOPA（WX）	下载			到达不受影响	31-RABS20M-13TR	Ear99	8541.10.0080	3,000															1.3 V @ 2 A		1 µA @ 1000 V		2 a				单相	1 kV
DMP2045UFDB-13	0.1196	RFQ	2226	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMP2045	MOSFET （金属 o化物）	740MW（TA）	U-DFN2020-6（B型）	下载			到达不受影响	31-DMP2045UFDB-13TR	Ear99	8541.29.0095	10,000	2（p 通道（双）			20V	3.1a（ta）		90MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	6.8NC @ 4.5V		634pf @ 10V	-
DMT64M8LCG-7	0.3973	RFQ	1257	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		V-DFN3333-8（B型）	下载			到达不受影响	31-DMT64M8LCG-7TR	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	60 V	16.1a（ta），77.8a tc）	4.5V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	47.5 NC @ 10 V	±20V	2664 PF @ 30 V	-	990MW（TA）
DMN2451UFB4Q-7R	0.0460	RFQ	6984	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMN2451	MOSFET （金属 o化物）		X2-DFN1006-3	下载			到达不受影响	31-DMN2451UFB4Q-7RTR	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	20 v	1.3a（ta）	1.8V，4.5V	400mohm @ 600mA，4.5V	1V @ 250µA	6.4 NC @ 10 V	±12V	32 pf @ 16 V	-	660MW（TA）
DMN2450UFB4Q-7B	0.0434	RFQ	7545	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMN2450	MOSFET （金属 o化物）		X2-DFN1006-3	下载			到达不受影响	31-DMN2450UFB4Q-7BTR	Ear99	8541.29.0095	10,000			n通道	20 v	1A（1A）	1.8V，4.5V	400mohm @ 600mA，4.5V	900mv @ 250µA	1.3 NC @ 10 V	±12V	56 pf @ 16 V	-	500MW（TA）
DMT4014LDV-13	0.3274	RFQ	2145	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT4014	MOSFET （金属 o化物）	1W（ta）	PowerDI3333-8（UXC）	下载			到达不受影响	31-DMT4014LDV-13TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			40V	8.5a（ta），26.5A（TC）		19mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	11.2nc @ 10V		750pf @ 20V	-
BCP53QTA	0.1198	RFQ	5698	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP53		2 w	SOT-223-3	下载			到达不受影响	31-BCP53QTATR	Ear99	8541.29.0075	1,000																					80 V	1 a			100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	150MHz
BAV3004WQ-7-F	0.0644	RFQ	6	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	SOD-123	BAV3004	标准		SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-BAV3004WQ-7-FTR	Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												300 v	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 NA @ 240 V	-65°C〜150°C	225mA	1pf @ 0v，1MHz
DMT8030LFDF-7	0.2915	RFQ	6806	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（f型）	下载			到达不受影响	31-DMT8030LFDF-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	80 V	7.5A（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	10.4 NC @ 10 V	±20V	641 PF @ 25 V	-	1.2W（TA）
BZX84B3V6Q-7-F	0.0382	RFQ	8924	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3	下载			到达不受影响	31 BZX84B3V6Q-7-FTR	Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V									3.6 v	90欧姆
DMT67M8LSS-13	0.3274	RFQ	5407	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载			到达不受影响	31-DMT67M8LSS-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	60 V	12a（12a）	4.5V，10V	6.6mohm @ 16.5a，10v	3V @ 250µA	37.5 NC @ 10 V	±20V	2130 PF @ 30 V	-	1.4W（TA）
DMTH4014LDVWQ-13	0.2771	RFQ	1053	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMTH4014	MOSFET （金属 o化物）	1.16W（TA）	PowerDI3333-8（类型UXD）	下载			到达不受影响	31-DMTH4014LDVWQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			40V	10.2A（ta），27.5a tc）		15mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	11.2nc @ 10V		750pf @ 20V	-
DMJ70H1D3SK3-13	-	RFQ	6218	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMJ70	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载			到达不受影响	31-DMJ70H1D3SK3-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	700 v	4.7A（TC）	10V	1.4OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	9.8 NC @ 10 V	±30V	264 pf @ 100 V	-	57W（TC）
BZT52C27Q-7-F	0.2200	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±7.04％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123	BZT52		370兆	SOD-123	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		100 na @ 18.9 V									27 V	80欧姆
DMN3069L-7	0.0760	RFQ	7158	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN3069	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载			到达不受影响	31-DMN3069L-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	30 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	30mohm @ 4A，10V	1.8V @ 250µA	8.1 NC @ 10 V	±20V	309 pf @ 15 V	-	800MW
2N7002DWK-7	0.0600	RFQ	8823	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	2N7002	MOSFET （金属 o化物）	330MW（TA）	SOT-363	下载			到达不受影响	31-2N7002DWK-7TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			60V	261ma（ta）		3ohm @ 200ma，10v	2V @ 250µA	1.04NC @ 10V		41pf @ 30V	-
DMC3060LVTQ-7	0.1521	RFQ	3613	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMC3060	MOSFET （金属 o化物）	830MW（TA）	TSOT-26	下载			到达不受影响	31-DMC3060LVTQ-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道			30V	3.6a（ta），2.8a ta（2.8a）		60mohm @ 3.1a，10v，95mohm @ 2.7a，10v	1.8V @ 250µA，2.1V @ 250µA	11.3nc @ 10v，8.6nc @ 10v		395pf @ 15V，324pf @ 15V	-
DCX114EUQ-13-F	0.0528	RFQ	9872	二极管合并	Automotive，AEC-Q101，DCX（xxxx）u	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DCX114		200MW	SOT-363	下载			到达不受影响	31-DCX114EUQ-13-FTR	Ear99	8541.21.0075	10,000																					50V	100mA			500NA（ICBO）			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250MHz	10KOHMS	10KOHMS
SDT10H50P5-13D	0.2010	RFQ	6332	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerDi™5		肖特基		PowerDi™5	下载			到达不受影响	31-SDT10H50P5-13DTR	Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												50 V	450 MV @ 10 A		300 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	10a	-
DMP26M1UFG-7	0.8400	RFQ	2198	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMP26	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			P通道	20 v	71A（TC）	1.5V，4.5V	5.5MOHM @ 15A，4.5V	1V @ 250µA	164 NC @ 10 V	±10V	5392 PF @ 10 V	-	1.67W（TA），3W（tc）
DMP31D7L-7	0.3700	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMP31	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	30 V	580mA（ta）	4.5V，10V	900MOHM @ 420mA，10V	2.6V @ 250µA	0.36 NC @ 4.5 V	±20V	19 pf @ 15 V	-	430MW（TA）
DMN61D9UDWQ-13	0.0381	RFQ	5620	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMN61	MOSFET （金属 o化物）	370MW（TA）	SOT-363	下载			到达不受影响	31-DMN61D9UDWQ-13TR	Ear99	8541.21.0095	10,000	2 n 通道（双）			60V	318ma（ta）		2ohm @ 50mA，5v	1V @ 250µA	0.6NC @ 4.5V		39pf @ 30V	-
DMT10H9M9SH3	0.8644	RFQ	3393	二极管合并	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	DMT10	MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载			到达不受影响	31-DMT10H9M9SH3	Ear99	8541.29.0095	75			n通道	100 v	84A（TC）	6V，10V	9mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	2085 PF @ 50 V	-	114W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²