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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
DMP2110U-7	0.3700	RFQ	551	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMP2110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	80MOHM @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±10V	443 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
MMBD4448HAQW-7-G	-	RFQ	7485	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-		（1 （无限）	到达不受影响	MMBD4448HAQW-7-GDI	Ear99	8541.10.0070	3,000
SBR05M100BLP-7	0.7900	RFQ	2	二极管合并	SBR®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-Powerudfn	SBR05	超级障碍		U-DFN3030-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																	630 MV @ 500 mA		25 µA @ 100 V		500 MA				单相	100 v
DXT5551P5Q-13	0.5900	RFQ	4163	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerDi™5	DXT5551		2.25 w	PowerDi™5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	5,000																							160 v	600 MA			50NA（iCBO）			NPN	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	130MHz
ZXTP2039FTA	0.4000	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	ZXTP2039		350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							60 V	1 a			100NA			PNP	600mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，5V	150MHz
DMP2110UFDBQ-7	0.4600	RFQ	1496年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMP2110	MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（B型）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	80MOHM @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±10V	443 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
DMN2310UFB4-7B	0.0425	RFQ	4685	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMN2310	MOSFET （金属 o化物）		X2-DFN1006-3	下载			到达不受影响	31-DMN2310UFB4-7BTR	Ear99	8541.29.0095	10,000			n通道	20 v	2.1a（ta）	1.5V，4.5V	175MOHM @ 1A，4.5V	950mv @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V	±8V	38 pf @ 10 V	-	710MW（TA）
STPR1240	0.6900	RFQ	48	二极管合并	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3		标准		TO220AB（wx类型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-STPR1240	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	400 v	6a	1.3 V @ 6 A	35 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C
S5acf	-	RFQ	2578	二极管合并	-	大部分	过时的			表面安装	DO-214AB，SMC		标准		SMC	-			到达不受影响	31-S5ACF	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													50 V		1.15 V @ 5 A		10 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	5a	40pf @ 4V，1MHz
DMT12H065LFDF-7	0.3605	RFQ	3639	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMT12	MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（f型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DMT12H065LFDF-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	115 v	4.3a（ta）	3V，10V	65mohm @ 3a，10v	2.2V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±12V	252 PF @ 50 V	-	1W（ta）
DMNH6012SPS-13	0.5513	RFQ	6134	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMNH6012	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	60 V	50A（TC）	10V	11mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	35.2 NC @ 10 V	±20V	1926 PF @ 30 V	-	1.6W（TA）
BZT52C13LPQ-7	0.0672	RFQ	3950	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.53％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	0402（（1006公制）	BZT52		250兆	X1-DFN1006-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	BZT52C13LPQ-7DI	Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V									13 V	30欧姆
ZXTN2031FTA	0.7900	RFQ	8562	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	ZXTN2031		1.2 w	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																							50 V	5 a			20NA（ICBO）			NPN	170MV @ 250mA，5a	200 @ 500mA，2V	125MHz
DMN61D9UWQ-13	0.3500	RFQ	212	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	DMN61	MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道	60 V	400mA（TA）	1.8V，5V	2ohm @ 50mA，5v	1V @ 250µA	0.4 NC @ 4.5 V	±20V	28.5 pf @ 30 V	-	440MW（TA）
PD3S160-7-2477	-	RFQ	2794	二极管合并	-	大部分	上次购买			表面安装	PowerDi™323		肖特基		PowerDi™323	-				31-PD3S160-7-2477			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													60 V		640 mv @ 1 a		50 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	1a	38pf @ 10V，1MHz
DMTH6002LPSWQ-13	1.0319	RFQ	9232	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8（SWP）	下载			到达不受影响	31-DMTH6002LPSWQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	60 V	205a（TC）	4.5V，10V	2mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	131 NC @ 10 V	±20V	8289 PF @ 30 V	-	（3W（ta），167W（tc）
APD260VDTR-E1	-	RFQ	3794	二极管合并	-	（TB）	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	APD260	肖特基		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													60 V		500 mv @ 2 a		500 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	2a	-
SDT20120GCT	0.6954	RFQ	1026	二极管合并	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3	SDT20120	肖特基		TO-220-3	下载			到达不受影响	31-SDT20120GCT	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	120 v	10a	830 MV @ 10 A		30 µA @ 120 V	-55°C〜150°C
SMAZ24-13-F	0.4700	RFQ	296	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	Smaz24		1 w	SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																	1.2 V @ 200 ma		500 na @ 18.2 V									24 V	15欧姆
DFLU1400-7	0.4100	RFQ	169	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerDi®123	DFLU1400	标准		PowerDi™123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													400 v		1.25 V @ 1 A	25 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	1a	14pf @ 4V，1MHz
GBPC25005	-	RFQ	7968	二极管合并	-	托盘	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC	GBPC25005	标准		GBPC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	GBPC25005DI	Ear99	8541.10.0080	100																	1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 50 V		25 a				单相	50 V
DMP2110UVT-13	0.0817	RFQ	8647	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMP2110	MOSFET （金属 o化物）	740MW（TA）	TSOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	2（p 通道（双）			20V	1.8A（ta）		150MOHM @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	6NC @ 4.5V		443pf @ 6V	-
DMP3056LDMQ-7	0.1634	RFQ	3	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	DMP3056	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DMP3056LDMQ-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	30 V	4.3a（ta）	4.5V，10V	45mohm @ 5a，10v	2.1V @ 250µA	21.1 NC @ 10 V	±20V	948 PF @ 25 V	-	1.25W（TA）
DDZ5V6BSF-7	0.2100	RFQ	96	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	DDZ5V6		500兆	SOD-323F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		7.5 µA @ 2 V									5.6 v	80欧姆
DMP3045LVT-13	0.1150	RFQ	7170	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMP3045	MOSFET （金属 o化物）		TSOT-26	下载			到达不受影响	31-DMP3045LVT-13TR	Ear99	8541.29.0095	10,000			P通道	30 V	5.4A（ta）	4.5V，10V	42MOHM @ 4.9A，10V	2.1V @ 250µA	14.3 NC @ 10 V	±20V	749 pf @ 15 V	-	1.2W（TA）
DMNH6011LK3-13	0.5723	RFQ	1587年	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMNH6011	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	55 v	80A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 25a，10v	2V @ 250µA	49.1 NC @ 10 V	±12V	3077 PF @ 30 V	-	1.6W（TA）
DMTH6005LPSQ-13	1.5000	RFQ	4056	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMTH6005	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	60 V	20.6a（TA），100A（tc）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 50a，10v	3V @ 250µA	47.1 NC @ 10 V	±20V	2962 PF @ 30 V	-	3.2W（ta），150W（TC）
B130BE-13	-	RFQ	6886	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	DO-214AA，SMB	B130	肖特基		SMB	下载	rohs3符合条件		到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		500 mv @ 1 A		100 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
DMT3009UFVW-7	0.1719	RFQ	7313	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMT3009	MOSFET （金属 o化物）		PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DMT3009UFVW-7TR	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	30 V	10.6a（ta），30a	4.5V，10V	11MOHM @ 11a，10v	1.8V @ 250µA	7.4 NC @ 10 V	±12V	894 pf @ 15 V	-	1.2W（ta），2.6W（TC）
DMP6018LPSQ-13	1.5200	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道	60 V	60a（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 17a，10v	2.5V @ 250µA	13.7 NC @ 10 V	±20V	3505 PF @ 30 V	-	2.6W（ta），113W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²