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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	电容比	电容比条件	q @ vr，f
DF1502S-T	0.5100	RFQ	4	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-65°C 〜150°C（TJ）		表面安装	4-SMD，鸥翼	DF1502	标准		DF-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500																		1.1 V @ 1.5 A		10 µA @ 200 V		1.5 a		单相	200 v
DMC1030UFDBQ-13	0.1866	RFQ	3414	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-udfn暴露垫	DMC1030	MOSFET （金属 o化物）	1.36W	U-DFN2020-6（B型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000	n和p通道互补				12V	5.1a		34mohm @ 4.6A，4.5V	1V @ 250µA	23.1nc @ 10V		1003pf @ 6V	-
1N5236B-T	-	RFQ	1966年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-65°C 〜200°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5236		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																		1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6 V						7.5 v	6欧姆
ZC833BTC	-	RFQ	2747	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	ZC833B			SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000																							34.65pf @ 2V，1MHz	单身的	25 v				6.5	C2/C20	200 @ 3V，50MHz
KBJ604G	1.0220	RFQ	9915	二极管合并	-	管子	积极的			-65°C 〜150°C（TJ）		通过洞	4-SIP，KBJ	KBJ604	标准		KBJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	20																		1 V @ 3 A		5 µA @ 400 V		6 a		单相	400 v
DMC4050SSDQ-13	0.8300	RFQ	13	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMC4050	MOSFET （金属 o化物）	1.8W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道互补				40V	5.3a		45mohm @ 3a，10v	1.8V @ 250µA	37.56NC @ 10V		1790.8pf @ 20V	-
DMHT6016LFJ-13	1.5800	RFQ	19	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	12-vdfn裸露的垫子	DMHT6016	MOSFET （金属 o化物）		V-DFN5045-12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	4（n n 通道（半桥）				60V	14.8a（ta）		22mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	8.4nc @ 4.5V		864pf @ 30V	-
B250AF-13	0.4600	RFQ	3233	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					表面安装	do-221ac，sma平面线索	B250	肖特基		SMAF	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														50 V		650 mv @ 2 a		100 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	2a	80pf @ 4V，1MHz
KBJ6005G	-	RFQ	2729	二极管合并	-	管子	过时的			-65°C 〜150°C（TJ）		通过洞	4-SIP，KBJ		标准		KBJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	20																		1 V @ 3 A		5 µA @ 50 V		6 a		单相	50 V
MB152-F	-	RFQ	8634	二极管合并	-	大部分	在sic中停产			-55°C 〜150°C（TJ）		QC终端	4平方，MB	MB152	标准		MB	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	100																		1.1 V @ 7.5 A		10 µA @ 200 V		15 a		单相	200 v
GBU10005	1.3635	RFQ	4920	二极管合并	-	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	4-SIP，GBU	GBU10005	标准		gbu	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	20																		1 V @ 5 A		5 µA @ 50 V		10 a		单相	50 V
BZT585B6V2TQ-7	0.0564	RFQ	4626	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-65°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SC-79，SOD-523	BZT585		350兆	SOD-523	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-BZT585B6V2TQ-7TR	Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.1 V @ 100 mA		3 µA @ 4 V						6.2 v	10欧姆
DMG6898LSDQ-13	0.8900	RFQ	2285	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMG6898	MOSFET （金属 o化物）	1.28W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）				20V	9.5A		16mohm @ 9.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	26NC @ 10V		1149pf @ 10V	-
DSRHD02-13	-	RFQ	8666	二极管合并	Diodestar™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	4-SMD，平坦的铅	DSRHD02	标准		4-t	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000																		1.1 V @ 1 A		10 µA @ 200 V		1 a		单相	200 v
UF5A600D1-13	-	RFQ	3315	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的					表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	UF5A600D1-13DI	Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		1.9 V @ 5 A	30 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	5a	50pf @ 10V，1MHz
MMSZ5239B-7-F	0.2200	RFQ	503	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜150°C		表面安装	SOD-123	MMSZ5239		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		3 µA @ 7 V						9.1 v	10欧姆
GBJ1501	-	RFQ	8683	二极管合并	-	管子	在sic中停产			-65°C 〜150°C（TJ）		通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ1501	标准		GBJ	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	GBJ1501DI	Ear99	8541.10.0080	15																		1.05 V @ 7.5 A		10 µA @ 100 V		15 a		单相	100 v
KBP202G	0.5100	RFQ	3	二极管合并	-	管子	积极的			-65°C 〜150°C（TJ）		通过洞	4-SIP，KBP	KBP202	标准		KBP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	KBP202GDI	Ear99	8541.10.0080	35																		1.1 V @ 2 A		5 µA @ 200 V		2 a		单相	200 v
DF1506S-T	0.5800	RFQ	5	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-65°C 〜150°C（TJ）		表面安装	4-SMD，鸥翼	DF1506	标准		DF-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500																		1.1 V @ 1.5 A		10 µA @ 600 V		1.5 a		单相	600 v
DMB53D0UV-13	-	RFQ	6204	二极管合并	-	大部分	过时的		45V NPN，50V n通道		通用目的	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMB53			SOT-563	下载				31-DMB53D0UV-13	Ear99	8541.21.0095	1				100mA npn，160mA n通道																								npn，n通道
FMMV105GTA	-	RFQ	3879	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FMMV105G			SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000																							2.8pf @ 25V，1MHz	单身的	30 V				6	C3/C25	350 @ 3V，50MHz
DMC2057UVT-7	0.1084	RFQ	9515	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMC2057	MOSFET （金属 o化物）	700MW（TA）	TSOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道互补				20V	4A（4A），3.3a（ta）		42MOHM @ 5A，4.5V，70MOHM @ 3.5A，4.5V	1.2V @ 250µA，1V @ 250µA	10.5nc @ 10V，6.5NC @ 4.5V		416pf @ 10V，536pf @ 10V	-
BZX84B12Q-7-F	0.0382	RFQ	3521	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-65°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3	下载			到达不受影响	31-BZX84B12Q-7-FTR	Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V						12 v	25欧姆
BZX84C10Q-13-F	0.0280	RFQ	9398	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％		-65°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3	下载			到达不受影响	31-BZX84C10Q13-FTR	Ear99	8541.10.0050	10,000																		900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V						10 v	20欧姆
GBPC15005W	-	RFQ	2776	二极管合并	-	托盘	过时的			-65°C 〜150°C（TJ）		通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC15005	标准		GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	GBPC15005WDI	Ear99	8541.10.0080	100																		1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 50 V		15 a		单相	50 V
BAT54A-7-G	-	RFQ	4155	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的					表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT54	肖特基		SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响	31-bat54a-7-gtr	过时的		3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对公共阳极	30 V	200mA	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	-65°C〜150°C
DMTH4004SCTBQ-13	1.6300	RFQ	730	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	DMTH4004	MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		40 V	100A（TC）	10V	3MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	68.6 NC @ 10 V	±20V	4305 PF @ 25 V	-	4.7W（TA），136W（tc）
DMS2085LSD-13	0.3500	RFQ	8244	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMS2085	MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		20 v	3.3a（ta）	4.5V，10V	85MOHM @ 3.05a，10V	2.2V @ 250µA	7.8 NC @ 10 V	±20V	353 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	1.1W（TA）
BZT52HC18WFQ-7	0.0616	RFQ	2174	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.38％		-65°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	BZT52HC18WFQ-7DI	Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		50 NA @ 12.6 V						18 V	20欧姆
DMNH6042SPSQ-13	0.7400	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	8-POWERTDFN	DMNH6042	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		60 V	24A（TC）	4.5V，10V	50MOHM @ 5.1A，10V	3V @ 250µA	8.8 NC @ 10 V	±20V	584 pf @ 25 V	-	2.9W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²