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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压-峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BZX84C5V1S-7-F-79	-	RFQ	3919	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					BZX84				-		（1 （无限）	到达不受影响	BZX84C5V1S-7-F-79DI	Ear99	8541.10.0050	3,000
MMSZ5254BQ-13-F	0.0286	RFQ	3801	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123			370兆	SOD-123	下载			到达不受影响	31 MMSZ5254BQ-13-FTR	Ear99	8541.10.0050	10,000															900 mv @ 10 ma		100 na @ 21 V									27 V	41欧姆
DMN2011UFDE-13	0.2150	RFQ	7969	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	DMN2011	MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（e）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道	20 v	11.7a（ta）	1.5V，4.5V	9.5MOHM @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±12V	3372 PF @ 10 V	-	610MW（TA）
BZT585B33TQ-7	0.0806	RFQ	2976	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BZT585		350兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	BZT585B33TQ-7DI	Ear99	8541.10.0050	3,000															1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 23.1 V									33 V	80欧姆
DMP2900UW-13	0.0498	RFQ	2364	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	DMP2900	MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMP2900UW-13DI	Ear99	8541.21.0095	10,000			P通道	20 v	600mA（TA）	1.8V，4.5V	750MOHM @ 430mA，4.5V	1V @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V	±6V	49 pf @ 16 V	-	300MW
SBR05M60BLP-7	0.7900	RFQ	13	二极管合并	SBR®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-Powerudfn	SBR05M60	超级障碍		U-DFN3030-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000															490 mv @ 500 mA		100 µA @ 60 V		500 MA				单相	60 V
DMP2066LSN-7	0.4600	RFQ	143	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMP2066	MOSFET （金属 o化物）		SC-59-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	20 v	4.6a（ta）	2.5V，4.5V	40mohm @ 4.6A，4.5V	1.2V @ 250µA	10.1 NC @ 4.5 V	±12V	820 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
MBR3100VR-E1	-	RFQ	3685	二极管合并	-	大部分	过时的			-	-		-		-	-		（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		-																-	-	-
2A04-T	-	RFQ	3419	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向	2A04	标准		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	4,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												400 v	1.1 V @ 2 A		5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	2a	15pf @ 4V，1MHz
DFLR1800-7	-	RFQ	9721	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	PowerDi®123	DFLR1800	标准		PowerDi™123	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												800 v	1.1 V @ 1 A		10 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	1a	10pf @ 4V，1MHz
1N5822-B	-	RFQ	9344	二极管合并	-	大部分	过时的			通过洞	DO-201 AD，轴向	1N5822	肖特基		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	1N5822-BDI	Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												40 V	525 mv @ 3 a		2 ma @ 40 V	-65°C〜150°C	3a	-
SBR10U45SP5Q-13-52	0.3533	RFQ	2718	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	PowerDi™5		超级障碍		PowerDi™5	下载				31-SBR10U45SP5Q5Q5Q-13-52	Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												45 v	470 mv @ 10 A		300 µA @ 45 V	-	10a	-
DMN5L06DW-7	-	RFQ	6093	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMN5L06	MOSFET （金属 o化物）	200MW	SOT-363	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			50V	280mA		3ohm @ 200ma，2.7V	1.2V @ 250µA	-		50pf @ 25V	逻辑级别门
DMN2990UFA-7B	0.5100	RFQ	49	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMN2990	MOSFET （金属 o化物）		X2-DFN0806-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道	20 v	510mA（ta）	1.2V，4.5V	990MOHM @ 100mA，4.5V	1V @ 250µA	0.5 NC @ 4.5 V	±8V	27.6 pf @ 16 V	-	400MW（TA）
FMMT455TC	-	RFQ	4115	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FMMT455		500兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																					140 v	1 a			100NA（ICBO）			NPN	700MV @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	100MHz
FZT600TA-79	-	RFQ	8223	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-	Rohs符合条件	（1 （无限）		31-FZT600TA-79TR	过时的		3,000
di9400t	1.2500	RFQ	1	二极管合并	*	（CT）	积极的					DI9400				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	di9400tr	Ear99	8541.29.0095	2,500
DMC1028UFDB-7	0.7900	RFQ	5	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMC1028	MOSFET （金属 o化物）	1.36W	U-DFN2020-6（B型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道			12V，20V	6a，3.4a		25mohm @ 5.2A，4.5V	1V @ 250µA	18.5nc @ 8v		787pf @ 6V	-
BAS19-7-F	0.2100	RFQ	21	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS19	标准		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												100 v	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 100 V	-65°C〜150°C	200mA	5pf @ 0v，1MHz
1N4936-T	0.2000	RFQ	30	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4936	标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												400 v	1.2 V @ 1 A	200 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
MMBZ5250B-7	-	RFQ	2315	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ5250B		350兆	SOT-23-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		100 na @ 15 V									20 v	25欧姆
DLLFSD01T-7	0.2900	RFQ	59	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523	DLLFSD01	标准		SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												80 V	1.2 V @ 100 ma	4 ns	200 na @ 80 V	-65°C〜150°C	100mA	2.5pf @ 0v，1MHz
ZXMN6A07FQTA	0.5100	RFQ	1	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	ZXMN6	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	60 V	1.2A（TA）	4.5V，10V	250MOHM @ 1.8A，10V	3V @ 250µA	3.2 NC @ 10 V	±20V	166 pf @ 40 V	-	625MW（TA）
BZT52C3V6Q-7-F	0.0384	RFQ	8633	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5.56％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123	BZT52		370兆	SOD-123	下载			到达不受影响	31-BZT52C3V6Q-7-FTR	Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V									3.6 v	90欧姆
B130B-13	-	RFQ	2462	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	DO-214AA，SMB	B130	肖特基		SMB	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												30 V	500 mv @ 1 A		500 µA @ 30 V	-65°C〜150°C	1a	110pf @ 4V，1MHz
PD3Z284C13-7	0.1479	RFQ	7106	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	PowerDi™323	PD3Z284		500兆	PowerDi™323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															1.1 V @ 100 mA		100 na @ 8 V									13 V	10欧姆
DMNH6065SSDQ-13	0.4410	RFQ	9009	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMNH6065	MOSFET （金属 o化物）	1.5W（TA）	8-so	下载			到达不受影响	31-DMNH6065SSDQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			60V	3.8A（TA）		65mohm @ 3a，10v	3V @ 250µA	11.3nc @ 10V		446pf @ 30V	-
DMN32D0LVQ-13	0.0682	RFQ	2141	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMN32	MOSFET （金属 o化物）	480MW（TA）	SOT-563	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		31-DMN32D0LVQ-13TR	Ear99	8541.21.0095	10,000	2 n通道			30V	680mA（ta）		1.2OHM @ 100mA，4V	1.2V @ 250µA	0.62NC @ 4.5V		44.8pf @ 15V	标准
DDZ16Q-7	0.3300	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-123	DDZ16		310 MW	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		50 na @ 12 V									16 V	18欧姆
DDZ9686AT-7	-	RFQ	4099	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOD-123	DDZ9686			SOD-123	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²