RFQ
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554）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
GSFW0202	0.2200	RFQ	20	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	MOSFET （金属 o化物）		SOT-883	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	10,000			n通道	20 v	1.4a（ta）	1.8V，4.5V	230MOHM @ 550mA，4.5V	1V @ 250µA	2 NC @ 4.5 V	±8V	43 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
FS36	0.3900	RFQ	6	好公园的半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	肖特基		SOD-123FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												60 V	650 mv @ 3 a		200 na @ 60 V	-55°C〜150°C	3a	135pf @ 4V，1MHz
GSFP03602	0.7400	RFQ	4	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MOSFET （金属 o化物）	52W（TC）	8-ppak（5x5.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	5,000	2 n通道			30V	60a（TC）		7mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	23.5nc @ 10V		1335pf @ 15V	标准
Smurp1040	0.6400	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	8-POWERTDFN	标准		8-Powerqfn（4.9x5.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												400 v	1.4 V @ 10 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	10a	-
GSRB751S-40	0.1500	RFQ	16	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523	肖特基		SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	8,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												30 V	370 mv @ 1 mA		500 NA @ 30 V	125°C	30mA	2pf @ 1V，1MHz
SK14E	0.2800	RFQ	15	好公园的半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	肖特基		DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	7,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												40 V	500 mv @ 1 A		200 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	1a	110pf @ 4V，1MHz
GSF3404B	0.3000	RFQ	5	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000			n通道	30 V	5.8A（ta）	4.5V，10V	31MOHM @ 5A，10V	2V @ 250µA	5.2 NC @ 10 V	±20V	255 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
BZT52B12	0.1300	RFQ	5	好公园的半导体	BZT52BXXX	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000															900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V									12 v	25欧姆
BAS716	0.2700	RFQ	12	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523	标准		SOD-523	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	8,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												75 v	1.25 V @ 1 mA	3 µs	5 na @ 75 V	-55°C〜150°C	200mA	2pf @ 0v，1MHz
MMSZ5246B	0.1200	RFQ	5	好公园的半导体	MMS52XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000															900 mv @ 10 ma		100 na @ 12 V									16 V	17欧姆
SK23A	0.3000	RFQ	15	好公园的半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	肖特基		DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	7,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												30 V	550 mv @ 2 a		500 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	2a	200pf @ 4V，1MHz
GSFQ6903	0.5800	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000			P通道	60 V	8.5A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	4.1W（TC）
MB26	0.4000	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-269AA，4-Besop	肖特基		TO-269AA（MBS）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000															700 mv @ 2 a		500 µA @ 60 V		2 a				单相	60 V
MMSZ5262B	0.1200	RFQ	6	好公园的半导体	MMS52XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000															900 mv @ 10 ma		100 na @ 39 V									51 v	125欧姆
SK22A	0.3000	RFQ	15	好公园的半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	肖特基		DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	7,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												20 v	550 mv @ 2 a		200 na @ 20 V	-55°C〜150°C	2a	200pf @ 4V，1MHz
FS12	0.2200	RFQ	5	好公园的半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	肖特基		SOD-123FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												20 v	500 mv @ 1 A		200 na @ 20 V	-55°C 〜175°C	1a	-
MB14	0.4200	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-269AA，4-Besop	肖特基		TO-269AA（MBS）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000															0.5 V @ 1 A		500 µA @ 40 V		1 a				单相	40 V
SSFT04N15	0.5000	RFQ	4	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	2,500			n通道	150 v	4A（ta）	10V	160MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	-
PZT2222A	0.4000	RFQ	4	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		1 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	2,500																					40 V	600 MA			10NA			NPN	300mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
GBJ15M	0.9300	RFQ	840	好公园的半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBJ	标准		GBJ（5s）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	4786-GBJ15M	Ear99	8541.10.0080	420															1 V @ 7.5 A		5 µA @ 1000 V		3.5 a				单相	1 kV
GSFP3984	0.8500	RFQ	3	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MOSFET （金属 o化物）		8-ppak（5.1x5.71）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000			n通道	30 V	150a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 15 V	-	122W（TC）
SSFN3907	0.5900	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	MOSFET （金属 o化物）		8-ppak（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000			P通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	2500 pf @ 15 V	-	27W（TC）
SSF6912	0.4300	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000			n通道	60 V	2.9a（ta）	4.5V，10V	75MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	725 PF @ 15 V	-	1W（ta）
SSF3912	0.4600	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000			n通道	30 V	6.5A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	8 NC @ 4.5 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	1.56W（TC）
GSBC857CW	0.1700	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		150兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000																					45 v	100 ma			15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
SSF3611E	0.5300	RFQ	8	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	4,000			P通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	3224 pf @ 15 V	-	2W（TC）
GSFD0460	0.7300	RFQ	5	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	2,500			n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	32 NC @ 4.5 V	±20V	2500 PF @ 25 V	-	62W（TC）
SSFP6904	0.6600	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MOSFET （金属 o化物）		8-ppak（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000			n通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	3050 pf @ 25 V	-	96W（TC）
MMBTA06	0.2100	RFQ	8	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		350兆	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000																					80 V	500 MA			100NA			NPN	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
GSFP0876	0.9300	RFQ	3	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MOSFET （金属 o化物）		8-ppak（5.1x5.71）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000			n通道	80 V	75A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	2580 pf @ 40 V	-	98W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

554）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²