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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAV23C | 0.1300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BAV23X | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 250 v | 225mA | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 NA @ 250 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFD8005 | 0.8100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n通道 | 800 v | 5.5A(TC) | 10V | 2.7OHM @ 2.5A,10V | 4V @ 250µA | 15.16 NC @ 10 V | ±30V | 678 PF @ 25 V | - | 132W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS516 | 0.1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 标准 | SOD-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 75 v | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | 250mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3J | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 3a | 40pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSL24 | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | 肖特基 | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 430 mv @ 2 a | 1 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 2a | 120pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS716 | 0.2700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 标准 | SOD-523 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 75 v | 1.25 V @ 1 mA | 3 µs | 5 na @ 75 V | -55°C〜150°C | 200mA | 2pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU810 | 0.8300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-GBU810 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 1000 V | 8 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBC817-40 | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 700mv @ 50mA,500mA | 250 @ 100mA,1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B3V0 | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZT52BXXX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES2BA | 0.3900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 920 mv @ 2 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜125°C | 2a | 25pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSGC1545SA | 0.5000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | 肖特基 | TO-277 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 490 mv @ 15 A | 200 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | 15a | 950pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | gr1k | 0.2000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 7.6pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB210 | 0.4300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | TO-269AA,4-Besop | 肖特基 | TO-269AA(MBS) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 840 mv @ 2 a | 500 µA @ 100 V | 2 a | 单相 | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPC1506 | 1.8800 | ![]() | 498 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | KBPC15 | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 4平方,KBPC | 标准 | KBPC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-KBPC1506 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 600 V | 15 a | 单相 | 600 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFH0980 | 2.1600 | ![]() | 989 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-GSFH0980 | Ear99 | 8541.21.0080 | 50 | n通道 | 100 v | 150a(TC) | 4.5V,10V | 3.7MOHM @ 20A,10V | 2.5V @ 250µA | 165 NC @ 10 V | +20V,-12V | 13300 PF @ 25 V | - | 275W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFR0603 | 0.4900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 60 V | 3.3a(ta) | 4.5V,10V | 96mohm @ 2a,10v | 2.5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 1080 pf @ 30 V | - | 2W(TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSRB525F-30 | 0.1900 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 0201(0603公制) | 肖特基 | DFN0603 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 440 mv @ 10 mA | 500 NA @ 30 V | 150°C | 100mA | 7pf @ 5V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMB5953B | 0.4200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 3 W | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 114 V | 150 v | 600欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSTP0130S | 0.2700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 肖特基 | SOD-323HS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 1 A | 20 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 1a | 54pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT619 | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 50 V | 2 a | 100NA(ICBO) | NPN | 220mv @ 100mA,2a | 300 @ 200ma,2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBC857CW | 0.1700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 150兆 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 420 @ 2mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFC0306 | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 5.5A(TC) | 4.5V,10V | 25mohm @ 4A,10V | 2.5V @ 250µA | 7 NC @ 4.5 V | ±20V | 520 pf @ 15 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B12 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZT52BXXX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 8 V | 12 v | 25欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK14E | 0.2800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 1 A | 200 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 1a | 110pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF3611E | 0.5300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 4,000 | P通道 | 30 V | 12A(TC) | 4.5V,10V | 13mohm @ 10a,10v | 2V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 3224 pf @ 15 V | - | 2W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT5551 | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 160 v | 600 MA | 50NA(iCBO) | NPN | 200mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,5v | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF6912 | 0.4300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 60 V | 2.9a(ta) | 4.5V,10V | 75MOHM @ 2A,10V | 2.5V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 725 PF @ 15 V | - | 1W(ta) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFP0356 | 0.4500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 55A(TC) | 4.5V,10V | 7.9MOHM @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1350 pf @ 15 V | - | 47W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX784B10 | 0.2400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-723 | 100兆 | SOD-723 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 900 mv @ 10 ma | 200 na @ 7 V | 10 v | 20欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFC0304 | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 5.3a(ta) | 2.5V,4.5V | 36mohm @ 4A,4.5V | 900mv @ 250µA | 12 nc @ 4.5 V | ±12V | 1000 pf @ 10 V | - | 1.56W(TA) |
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