电话:+86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FSL34 | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-123F | 肖特基 | SOD-123FL | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 460毫伏 @ 3安 | 1毫安@30伏 | -55℃~125℃ | 3A | 160pF @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSR3000 | 0.3700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-204AC、DO-15、极性 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | DO-204AC (DO-15) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 3000伏 | 3000V@200V|V | 200毫安@4V | 通孔 | 200毫安 | 15pF @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB16S | 0.4300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | TO-269AA,4-BESOP | 肖特基 | TO-269AA (MBS) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 700毫伏@1安 | 500μA@60V | 1A | 单相 | 60V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK3C0A | 0.3900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 固锝半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 肖特基 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 850毫伏@3安 | 200V时为30μA | -55℃~150℃ | 3A | 80pF @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SL110A | 0.4900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 肖特基 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 680 毫伏 @ 1 安 | 100V时为200nA | -55℃~150℃ | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SL23B | 0.4700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 肖特基 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 400毫伏@2安 | 1毫安@30伏 | -55℃~150℃ | 2A | 175pF @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFU6511 | 1.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全包 | MOSFET(金属O化物) | TO-220F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 4786-SSFU6511 | EAR99 | 8541.21.0080 | 50 | N沟道 | 650伏 | 11.5A(温度) | 10V | 360毫欧@7A,10V | 4V@250μA | 19nC@10V | ±30V | 870pF@50V | - | 32.6W(温度) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFW0202 | 0.2200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-101、SOT-883 | MOSFET(金属O化物) | SOT-883 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 10,000 | N沟道 | 20V | 1.4A(塔) | 1.8V、4.5V | 230mOhm@550mA,4.5V | 1V@250μA | 2nC@4.5V | ±8V | 10V时为43pF | - | 700毫W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF0910S | 0.3800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MOSFET(金属O化物) | SOT-23 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 3,000 | N沟道 | 100伏 | 2A(温度) | 4.5V、10V | 200毫欧@2A,10V | 2.5V@250μA | 21nC@10V | ±20V | 1190pF@50V | - | 1.56W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF7120 | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOT-563、SOT-666 | MOSFET(金属O化物) | 312mW(温度) | SOT-563 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 3,000 | N 和 P 沟道 | 20V | 800mA(温度)、400mA(温度) | 300毫欧@500毫安,4.5伏,600毫欧@300毫安,4.5伏 | 1V@250μA | 2nC@4.5V | 10V时为75pF,10V时为78pF | 标准 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 短信Z4689 | 0.1800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | 汽车、AEC-Q101、SMSZ4xxx | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOD-123 | 500毫W | SOD-123 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900毫伏@10毫安 | 10μA@3V | 5.1V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPC802 | 0.8500 | ![]() | 400 | 0.00000000 | 固锝半导体 | KBPC8xx | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 4方,KBPC-8 | 标准 | KBPC8 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 4786-KBPC802 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@4A | 10μA@200V | 3A | 单相 | 200V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSGPD540S | 0.2800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-90、SOD-323F | 肖特基 | SOD-323F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 500毫伏@500毫安 | 40V时为80μA | -55℃~150℃ | 500毫安 | 25pF @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C10 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 固锝半导体 | BZX84Cx | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±6% | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 350毫W | SOT-23 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900毫伏@10毫安 | 7V时为200nA | 10V | 20欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF2320Y | 0.2600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55℃~150℃ | 表面贴装 | SOT-523 | MOSFET(金属O化物) | SOT-523 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 3,000 | N沟道 | 20V | 800mA(温度) | 1.2V、4.5V | 300毫欧@500毫安,4.5伏 | 1V@250μA | 1nC@4.5V | ±8V | 75pF@10V | - | 312mW(温度) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV23S | 0.1300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 固锝半导体 | BAV23x | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对中央 | 250伏 | 225毫安 | 1.25V@200mA | 50纳秒 | 100nA@250V | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSTP0140S | 0.2700 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-90、SOD-323F | 肖特基 | SOD-323HS | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 15,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 500毫伏@1安 | 40V时为20μA | -55℃~150℃ | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B5817W | 0.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-123 | 肖特基 | SOD-123 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 450毫伏@1安 | 1毫安@20伏 | -50℃~150℃ | 1A | 120pF @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS2N7002KW | 0.2400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | MOSFET(金属O化物) | SOT-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 3,000 | N沟道 | 60V | 340mA(塔) | 4.5V、10V | 2.5欧姆@300mA,10V | 2.5V@250μA | 10V时为2.4nC | ±20V | 18pF@30V | - | 350毫W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSGP0260SD | 0.3400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-90、SOD-323F | 肖特基 | SOD-323F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 700毫伏@2安 | 60V时为200μA | -55℃~150℃ | 2A | 85pF @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SL510B | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 肖特基 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 700 毫伏 @ 5 安 | 100V时为50μA | -55℃~150℃ | 5A | 350pF @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GN1K | 0.2100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1V@1A | 1.8微秒 | 800V时为5μA | -55℃~150℃ | 1A | 6.7pF @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GDB5818WS | 0.2200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-76、SOD-323 | 肖特基 | SOD-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 600毫伏@1安 | 1毫安@30伏 | -65℃~125℃ | 1A | 120pF @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFK0501 | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 | MOSFET(金属O化物) | 300毫W(塔) | SOT-363 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 3,000 | - | 50V | 130mA(塔) | 10欧姆@100mA,5V | 2V@1mA | - | 56pF@20V | 标准 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFP3806 | 0.8100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | MOSFET(金属O化物) | 46W(温度) | 8-PPAK (5x6) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 N 沟道 | 30V | 40A(温度) | 6.5毫欧@20A,10V | 2.5V@250μA | 22nC@4.5V | 1750pF@25V | 标准 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3904 | 0.1000 | ![]() | 628 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | SOT-23-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 200毫安 | 50纳安 | NPN | 300毫伏@5毫安,50毫安 | 100@10mA,1V | 300兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFL1003 | 0.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-261-4、TO-261AA | MOSFET(金属O化物) | SOT-223 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P沟道 | 100伏 | 2A(塔) | 4.5V、10V | 200毫欧@2A,10V | 2.2V@250μA | 30nC@10V | ±20V | 2000pF@50V | - | 1.78W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS2BH | 0.3000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-123F | 肖特基 | SOD-123FL | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 850毫伏@2安 | 100V时为200μA | -55℃~175℃ | 2A | 71pF @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPC1506W | 1.8800 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 固锝半导体 | KBPC15 | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,KBPC-W | 标准 | KBPC-W | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 4786-KBPC1506W | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@7.5A | 600V时为10μA | 15A | 单相 | 600伏 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C5V1S | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 固锝半导体 | BZT52CxxxS | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5.88% | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-76、SOD-323 | 500毫W | SOD-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 2V时为2μA | 5.1V | 60欧姆 |

日平均询价量

标准产品单位

全球制造商

智能仓库