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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GSR3000 | 0.3700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 3000 v | 3000 V @ 200 V | v | 200 ma @ 4 V | 通过洞 | 200mA | 15pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GN1P20 | 0.4000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2000 v | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 2000 V | -55°C〜150°C | 1a | 5.4pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBAS40LP | 0.2300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 0402((1006公制) | 肖特基 | DFN1006-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 na @ 30 V | -55°C〜125°C | 200mA | 2.5pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPC802 | 0.8500 | ![]() | 400 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | kbpc8xx | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4平方,KBPC-8 | 标准 | KBPC8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-KBPC802 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 4 A | 10 µA @ 200 V | 3 a | 单相 | 200 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTA92 | 0.2000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 300 v | 200 ma | 250NA(ICBO) | PNP | 200mv @ 2mA,20mA | 100 @ 10mA,10v | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF2215 | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | 1.25W(TA) | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2个p通道 | 20V | 3A(3A) | 85MOHM @ 3A,4.5V | 1V @ 250µA | 8NC @ 4.5V | 510pf @ 15V | 标准 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5401G | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 3 A | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK3C0A | 0.3900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 850 mv @ 3 a | 30 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 3a | 80pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | es1g | 0.2200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜125°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C9V1 | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZT52CXXXS | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.04% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 500兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 500 na @ 6 V | 9.1 v | 15欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR1560 | 1.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 标准 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-MUR1560 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.9 V @ 15 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 15a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK13 | 0.2100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 1 A | 500 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 1a | 110pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX784B11 | 0.2400 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-723 | 100兆 | SOD-723 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 20欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSGP0160SD | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 肖特基 | SOD-323F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 700 mv @ 1 A | 100 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 1a | 60pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS299 | 0.2000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 标准 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 45,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 100 v | 420mA | 1.25 V @ 300 mA | 6 ns | 1 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFK0502 | 0.3800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET (金属 o化物) | 900MW(TA) | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 50V | 300mA(TA) | 4ohm @ 300mA,10v | 1.5V @ 250µA | 0.58NC @ 4.5V | 12pf @ 30V | 标准 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS516 | 0.1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 标准 | SOD-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 75 v | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | 250mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBCP54-16 | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 1.5 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | 45 v | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 63 @ 150mA,2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFL0954 | 0.4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 100 v | 1.7A(TC) | 4.5V,10V | 310MOHM @ 1A,10V | 2.5V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 800 pf @ 25 V | - | 1.76W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFP1080 | 1.1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(4.9x5.75) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 5,000 | n通道 | 100 v | 80a(ta) | 10V | 7mohm @ 40a,10v | 4V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ±20V | 3070 pf @ 50 V | - | 105W(TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFC0603 | 0.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 60 V | 3A(3A) | 4.5V,10V | 95MOHM @ 2A,10V | 2.5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 1178 PF @ 30 V | - | 1.56W(TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4148WS | 0.1000 | ![]() | 57 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 1N4148 | 标准 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 75 v | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | 150mA | 2pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFH6538 | 2.9500 | ![]() | 991 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-SSFH6538 | Ear99 | 8541.21.0080 | 500 | n通道 | 650 v | 38A(TC) | 10V | 99mohm @ 19a,10v | 4V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±30V | 3200 PF @ 50 V | - | 322W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFC0204 | 0.3300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 20 v | 4A(TC) | 1.8V,4.5V | 65mohm @ 3A,4.5V | 1V @ 250µA | 7.2 NC @ 4.5 V | ±10V | 360 pf @ 15 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV21W | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123 | BAV21 | 标准 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | -65°C〜150°C | 200mA | 5pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFP03602 | 0.7400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 52W(TC) | 8-ppak(5x5.8) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 5,000 | 2 n通道 | 30V | 60a(TC) | 7mohm @ 30a,10v | 2.5V @ 250µA | 23.5nc @ 10V | 1335pf @ 15V | 标准 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSPSL33 | 0.4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123H | 肖特基 | SOD-123HS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 450 mv @ 2 a | 150 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 3a | 210pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFN3904 | 0.6300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 80A(TC) | 4.5V,10V | 3.8mohm @ 24a,10v | 2.5V @ 250µA | 34 NC @ 4.5 V | ±20V | 3190 pf @ 25 V | - | 66W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54 | 0.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 1 V @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -65°C〜150°C | 200mA | 10pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV23S | 0.1300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BAV23X | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 250 v | 225mA | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 NA @ 250 V | -55°C〜150°C |
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