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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRB3060CT | 0.9500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 肖特基 | TO-263 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 60 V | 30mA | 780 mv @ 30 ma | 200 na @ 60 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSGP0230S | 0.3100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 肖特基 | SOD-323F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 620 mv @ 2 a | 1 ma @ 30 V | -55°C〜150°C | 2a | 120pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPC1506W | 1.8800 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | KBPC15 | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,KBPC-W | 标准 | KBPC-W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-KBPC1506W | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 600 V | 15 a | 单相 | 600 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Smurp1040 | 0.6400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | 标准 | 8-Powerqfn(4.9x5.8) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.4 V @ 10 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Murb1620Ct | 0.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 标准 | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 8a | 1 V @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK34 | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 肖特基 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 550 mv @ 3 a | 200 NA @ 40 V | -55°C〜150°C | 3a | 250pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5244BS | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | - | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 200兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 10 V | 14 V | 600欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV19W | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123 | 标准 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 120 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 100 V | -65°C〜150°C | 200mA | 5pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSPS24 | 0.3300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123H | 肖特基 | SOD-123HS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 510 mv @ 2 a | 50 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 2a | 120pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSTP0230S | 0.3400 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 肖特基 | SOD-323HS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 600 mv @ 2 a | 250 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBAS40LP | 0.2300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 0402((1006公制) | 肖特基 | DFN1006-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 na @ 30 V | -55°C〜125°C | 200mA | 2.5pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5401G | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 3 A | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS1O | 0.2400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 1.7 V @ 500 mA | 75 ns | 5 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C9V1 | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZT52CXXXS | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.04% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 500兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 500 na @ 6 V | 9.1 v | 15欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBAS21C | 0.2700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 标准 | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 200 v | 200mA | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTA92 | 0.2000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 300 v | 200 ma | 250NA(ICBO) | PNP | 200mv @ 2mA,20mA | 100 @ 10mA,10v | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSTP0140S | 0.2700 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 肖特基 | SOD-323HS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 1 A | 20 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSR3000 | 0.3700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 3000 v | 3000 V @ 200 V | v | 200 ma @ 4 V | 通过洞 | 200mA | 15pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK29A | 0.3100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 850 mv @ 2 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 2a | 200pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F3A | 0.2200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | 标准 | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 1.8 µs | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 6pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK13 | 0.2100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 1 A | 500 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 1a | 110pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFB12N05 | 0.4700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | 1.9W(TA) | 6-DFN(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 4,000 | n和p通道互补 | 12V | 5A(5A) | 32MOHM @ 5A,4.5V,74MOHM @ 4.5A,4.5V | 1V @ 250µA | 6.6nc @ 4.5V,9.2NC @ 4.5V | 495pf @ 6v,520pf @ 6v | 标准 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C2V4 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZT52CXXX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±8.33% | - | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFL1003 | 0.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 100 v | 2A(TA) | 4.5V,10V | 200mohm @ 2a,10v | 2.2V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 2000 pf @ 50 V | - | 1.78W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSGP0260SD | 0.3400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 肖特基 | SOD-323F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 700 mv @ 2 a | 200 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 2a | 85pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR1560 | 1.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 标准 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-MUR1560 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.9 V @ 15 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 15a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS1K | 0.2400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 800 V | 150°C | 1a | 6.5pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | gn1k | 0.2100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1 V @ 1 A | 1.8 µs | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 6.7pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFP1080 | 1.1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(4.9x5.75) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 5,000 | n通道 | 100 v | 80a(ta) | 10V | 7mohm @ 40a,10v | 4V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ±20V | 3070 pf @ 50 V | - | 105W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSL34 | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | 肖特基 | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 460 mv @ 3 a | 1 ma @ 30 V | -55°C〜125°C | 3a | 160pf @ 4V,1MHz |
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