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554）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
SK29 Good-Ark Semiconductor SK29 0.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 do-214ac，SMA 肖特基 DO-214AC（SMA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 90 v 790 mv @ 2 a 30 µA @ 90 V -55°C〜150°C 2a 200pf @ 4V，1MHz
MBRF20200CT Good-Ark Semiconductor MBRF20200CT 0.7600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 好公园的半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 肖特基 ITO-220-AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 4786-MBRF20200CT Ear99 8541.10.0080 1,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 1对普通阴极 200 v 10a 200 na @ 200 V -
MMSZ5229B Good-Ark Semiconductor MMSZ5229B 0.1200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 好公园的半导体 MMS52XXB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOD-123 500兆 SOD-123 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 900 mv @ 10 ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 22欧姆
GBU4J Good-Ark Semiconductor GBU4J 0.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 好公园的半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 4786-GBU4J Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 2 A 5 µA @ 600 V 3 a 单相 600 v
FS24 Good-Ark Semiconductor FS24 0.2600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 好公园的半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-123F 肖特基 SOD-123FL 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 520 mv @ 2 a 500 NA @ 40 V -55°C〜150°C 2a 120pf @ 4V，1MHz
GBU4A Good-Ark Semiconductor gbu4a 0.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 好公园的半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 4786-GBU4A Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 2 A 5 µA @ 50 V 3 a 单相 50 V
BSS138 Good-Ark Semiconductor BSS138 0.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜175°C 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 n通道 50 V 220mA（TJ） 4.5V，10V 3.5OHM @ 220mA，10V 1.5V @ 250µA 2.4 NC @ 10 V ±20V 30 pf @ 25 V - 430MW
SSF3402 Good-Ark Semiconductor SSF3402 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 n通道 30 V 5A（5A） 4.5V，10V 30mohm @ 5a，10v 2.5V @ 250µA 15 NC @ 4.5 V ±20V 1050 pf @ 25 V - 1.38W（TA）
GSFP03602 Good-Ark Semiconductor GSFP03602 0.7400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 52W（TC） 8-ppak（5x5.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 5,000 2 n通道 30V 60a（TC） 7mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 23.5nc @ 10V 1335pf @ 15V 标准
GSFW0202 Good-Ark Semiconductor GSFW0202 0.2200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-101，SOT-883 MOSFET （金属 o化物） SOT-883 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 10,000 n通道 20 v 1.4a（ta） 1.8V，4.5V 230MOHM @ 550mA，4.5V 1V @ 250µA 2 NC @ 4.5 V ±8V 43 pf @ 10 V - 700MW（TA）
SSFP3806 Good-Ark Semiconductor SSFP3806 0.8100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 46W（TC） 8-ppak（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 2 n通道 30V 40a（TC） 6.5MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 22nc @ 4.5V 1750pf @ 25V 标准
2N2222A Good-Ark Semiconductor 2n2222a 1.9700
RFQ
 ECAD 696 0.00000000 好公园的半导体 - 大部分 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 500兆 TO-18 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 4786-2N2222A Ear99 8541.21.0095 500 40 V 800 MA 10NA NPN 1V @ 50mA，500mA 100 @ 150mA，10V 300MHz
GSF0304 Good-Ark Semiconductor GSF0304 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 P通道 30 V 4.1a（ta） 4.5V，10V 65mohm @ 4.1A，10V 2.1V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 650 pf @ 15 V - 1.4W（TA）
SSF7120 Good-Ark Semiconductor SSF7120 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 MOSFET （金属 o化物） 312MW（TC） SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 n和p通道 20V 800mA（TC），400mA （TC） 300MOHM @ 500mA，4.5V，600MOHM @ 300mA，4.5V 1V @ 250µA 2NC @ 4.5V 75pf @ 10v，78pf @ 10V 标准
GSFK0502 Good-Ark Semiconductor GSFK0502 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET （金属 o化物） 900MW（TA） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 2 n通道 50V 300mA（TA） 4ohm @ 300mA，10v 1.5V @ 250µA 0.58NC @ 4.5V 12pf @ 30V 标准
SK5C0C Good-Ark Semiconductor SK5C0C 0.4300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 DO-214AB，SMC 肖特基 DO-214AB（SMC） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 850 mv @ 5 a 30 µA @ 200 V -55°C〜150°C 5a 96pf @ 4V，1MHz
BZT52B6V2 Good-Ark Semiconductor BZT52B6V2 0.1300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 BZT52BXXX 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±1.94％ -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOD-123 500兆 SOD-123 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 900 mv @ 10 ma 3 µA @ 4 V 6.2 v 10欧姆
SSFQ3903 Good-Ark Semiconductor SSFQ3903 0.5900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 P通道 30 V 13A（TC） 4.5V，10V 9.5mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 56 NC @ 4.5 V ±20V 4800 PF @ 15 V - 4.2W（TC）
SK5C0B Good-Ark Semiconductor SK5C0B 0.5100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 DO-214AA，SMB 肖特基 DO-214AA（SMB） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 850 mv @ 5 a 30 µA @ 200 V -55°C〜150°C 5a 96pf @ 4V，1MHz
MMSZ5250B Good-Ark Semiconductor MMSZ5250B 0.1200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 好公园的半导体 MMS52XXB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOD-123 500兆 SOD-123 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 900 mv @ 10 ma 100 na @ 15 V 20 v 25欧姆
SSF2341E Good-Ark Semiconductor SSF2341E 0.4000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 P通道 20 v 4A（TC） 1.8V，4.5V 43mohm @ 4A，4.5V 1V @ 250µA 10 NC @ 4.5 V ±8V 939 pf @ 10 V - 1.4W
SSFU6511 Good-Ark Semiconductor SSFU6511 1.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 好公园的半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 4786-SSFU6511 Ear99 8541.21.0080 50 n通道 650 v 11.5A（TC） 10V 360MOHM @ 7A，10V 4V @ 250µA 19 nc @ 10 V ±30V 870 pf @ 50 V - 32.6W（TC）
MBR20200CT Good-Ark Semiconductor MBR20200CT 0.6800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 好公园的半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 肖特基 ITO-220-AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 4786-MBR20200CT Ear99 8541.10.0080 1,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 1对普通阴极 200 v 10a 200 na @ 200 V -
1N4148WS Good-Ark Semiconductor 1N4148WS 0.1000
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-76，SOD-323 1N4148 标准 SOD-323 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 75 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µA @ 75 V -55°C〜150°C 150mA 2pf @ 0v，1MHz
SSFN4903 Good-Ark Semiconductor SSFN4903 0.5800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-ppak（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 P通道 40 V 38A（TC） 4.5V，10V 14mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±20V 4000 pf @ 25 V - 52W（TC）
BC856S Good-Ark Semiconductor BC856 0.1900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 200MW SC-88 （SC-70-6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 65V 100mA 15NA（icbo） 2 PNP 300mv @ 5mA，100mA 110 @ 2mA，5V 100MHz
MMBT3904 Good-Ark Semiconductor MMBT3904 0.1000
RFQ
 ECAD 628 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 200兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 40 V 200 ma 50NA NPN 300mv @ 5mA，50mA 100 @ 10mA，1V 300MHz
GSFU9506 Good-Ark Semiconductor GSFU9506 3.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 好公园的半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 4786-GSFU9506 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 950 v 6a（TJ） 10V 750MOHM @ 3A，10V 3.9V @ 250µA 18.4 NC @ 10 V ±30V 1250 pf @ 50 V - 32W（TJ）
GSFP0446 Good-Ark Semiconductor GSFP0446 0.5800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-ppak（3.1x3.05） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 n通道 40 V 45A（TC） 4.5V，10V 7.2MOHM @ 8A，10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 1400 pf @ 20 V - 33W（TC）
HS3MB Good-Ark Semiconductor HS3MB 0.4000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 DO-214AA，SMB 标准 DO-214AA（SMB） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 1.7 V @ 3 A 75 ns 10 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 3a 50pf @ 4V，1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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