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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAS516 | 0.1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-79、SOD-523 | 标准 | SOD-523 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 75V | 1.25V@150mA | 4纳秒 | 75V时为1μA | -55℃~150℃ | 250毫安 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFP08150 | 1.7600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | MOSFET(金属O化物) | 8-PPAK (5.1x5.71) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 3,000 | N沟道 | 80V | 150A(温度) | 10V | 3.6毫欧@20A,10V | 4V@250μA | 100nC@10V | ±20V | 6900pF@40V | - | 192W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFP1080 | 1.1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | MOSFET(金属O化物) | 8-PPAK (4.9x5.75) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 5,000 | N沟道 | 100伏 | 80A(塔) | 10V | 7毫欧@40A,10V | 4V@250μA | 53nC@10V | ±20V | 3070pF@50V | - | 105W(塔) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK3BB | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 固锝半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 肖特基 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 790 毫伏 @ 3 安 | 100V时为30nA | -55℃~150℃ | 3A | 100pF @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSPS24 | 0.3300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-123H | 肖特基 | SOD-123HS | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 510毫伏@2安 | 30V时为50μA | -55℃~150℃ | 2A | 120pF @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFC0204 | 0.3300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MOSFET(金属O化物) | SOT-23 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 3,000 | N沟道 | 20V | 4A(温度) | 1.8V、4.5V | 65毫欧@3A,4.5V | 1V@250μA | 7.2nC@4.5V | ±10V | 360pF@15V | - | 1.56W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV20WS | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-76、SOD-323 | 标准 | SOD-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 150伏 | 1.25V@200mA | 50纳秒 | 100nA@150V | -65℃~150℃ | 200毫安 | 5pF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3134K | 0.2200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOT-723 | MOSFET(金属O化物) | SOT-723 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 8,000 | N沟道 | 20V | 750mA(塔) | 1.8V、4.5V | 380毫欧@650mA,4.5V | 1.1V@250μA | ±12V | 120pF@16V | - | 150毫W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV21WS | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-76、SOD-323 | 巴夫21 | 标准 | SOD-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 200V | 1.25V@200mA | 50纳秒 | 100nA@200V | -65℃~150℃ | 200毫安 | 5pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔布1040CT | 0.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | 标准 | TO-263(D2Pak) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 400V | 5A | 1.3V@5A | 50纳秒 | 400V时为10μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF2300 | 0.3000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55℃~150℃ | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MOSFET(金属O化物) | SOT-23 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 3,000 | N沟道 | 20V | 4.5A | 2.5V、4.5V | 55毫欧@3.6A,4.5V | 1.2V@250μA | 4nC@4.5V | ±12V | 300pF@10V | - | 1.3W | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFN2603 | 0.5800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerVDFN | MOSFET(金属O化物) | 8-PPAK (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P沟道 | 20V | 60A(温度) | 1.8V、4.5V | 8毫欧@8A,4.5V | 1V@250μA | 80nC@4.5V | ±12V | 8000°F@15V | - | 62.5W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GN1P20 | 0.4000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 2000伏 | 1.1V@1A | 5μA@2000V | -55℃~150℃ | 1A | 5.4pF@4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 电池组54 | 0.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 30V | 1V@100mA | 5纳秒 | 2μA@25V | -65℃~150℃ | 200毫安 | 10pF@1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU408 | 0.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | 标准 | GBU | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 4786-GBU408 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1V@2A | 800V时为5μA | 4A | 单相 | 800V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS36 | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-123F | 肖特基 | SOD-123FL | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 650毫伏@3安 | 200nA@60V | -55℃~150℃ | 3A | 135pF @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFH6538 | 2.9500 | ![]() | 991 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 4786-SSFH6538 | EAR99 | 8541.21.0080 | 500 | N沟道 | 650伏 | 38A(温度) | 10V | 99毫欧@19A,10V | 4V@250μA | 55nC@10V | ±30V | 3200pF@50V | - | 322W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSB0530WS | 0.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-76、SOD-323 | 肖特基 | SOD-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 450 毫伏 @ 500 毫安 | 30V时为500μA | 125℃ | 500毫安 | 170pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFN3904 | 0.6300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | 8-PowerVDFN | MOSFET(金属O化物) | 8-PPAK (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 3,000 | N沟道 | 30V | 80A(温度) | 4.5V、10V | 3.8毫欧@24A,10V | 2.5V@250μA | 34nC@4.5V | ±20V | 3190pF@25V | - | 66W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK29A | 0.3100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 固锝半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 肖特基 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 90V | 850毫伏@2安 | 90V时为100μA | -55℃~150℃ | 2A | 200pF @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS84 | 0.1500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MOSFET(金属O化物) | SOT-23 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P沟道 | 50V | 130mA(塔) | 5V、10V | 10欧姆@100mA,5V | 2V@250μA | ±20V | 30pF@5V | - | 225毫W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES1G | 0.2200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.3V@1A | 35纳秒 | 5μA@400V | -55℃~125℃ | 1A | 8pF@4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFP0446 | 0.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerVDFN | MOSFET(金属O化物) | 8-PPAK (3.1x3.05) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 3,000 | N沟道 | 40V | 45A(温度) | 4.5V、10V | 7.2毫欧@8A、10V | 2.5V@250μA | 20nC@10V | ±20V | 1400pF@20V | - | 33W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK54A | 0.5000 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 固锝半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 肖特基 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 550毫伏@5安 | 200nA@40V | -55℃~150℃ | 5A | 96pF @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFK0501E | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 | MOSFET(金属O化物) | 300毫W(塔) | SOT-363 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 P 沟道 | 50V | 180mA(塔) | 4欧姆@150mA,10V | 3V@250μA | 530pC@10V | 25.2pF@25V | 标准 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584B6V2 | 0.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-79、SOD-523 | 150毫W | SOD-523 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900毫伏@10毫安 | 4V时为3μA | 6.2V | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK34 | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | 肖特基 | DO-214AB(SMC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 550毫伏 @ 3安 | 200nA@40V | -55℃~150℃ | 3A | 250pF @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 短信Z4699 | 0.1800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | 汽车、AEC-Q101、SMSZ4xxx | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOD-123 | 500毫W | SOD-123 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900毫伏@10毫安 | 9.1V时为50nA | 12V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4148WS | 0.1000 | ![]() | 57 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-76、SOD-323 | 1N4148 | 标准 | SOD-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 75V | 1.25V@150mA | 4纳秒 | 75V时为1μA | -55℃~150℃ | 150毫安 | 2pF@0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2222A | 1.9700 | ![]() | 696 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 175°C(太焦) | 通孔 | TO-206AA、TO-18-3金属罐 | 500毫W | TO-18 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 4786-2N2222A | EAR99 | 8541.21.0095 | 500 | 40V | 800毫安 | 10纳安 | NPN | 1V@50mA、500mA | 100@150mA,10V | 300兆赫 |

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