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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX784B11 | 0.2400 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-723 | 100兆 | SOD-723 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 20欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C5V6 | 0.1300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZT52CXXX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±7.14% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 40欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | es1d | 0.2200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C4V3 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZT52CXXX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.98% | - | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPC802 | 0.8500 | ![]() | 400 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | kbpc8xx | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4平方,KBPC-8 | 标准 | KBPC8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-KBPC802 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 4 A | 10 µA @ 200 V | 3 a | 单相 | 200 v | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SL110A | 0.4900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 680 mv @ 1 a | 200 na @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV21WS | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | BAV21 | 标准 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 200 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | -65°C〜150°C | 200mA | 5pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | es1g | 0.2200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜125°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584B6V2 | 0.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 150兆 | SOD-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF01 | 0.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) | 标准 | 4-DF | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-DF01 | Ear99 | 8541.10.0080 | 60 | 1.1 V @ 500 mA | 5 µA @ 100 V | 1 a | 单相 | 100 v | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FS36 | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | 肖特基 | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 650 mv @ 3 a | 200 na @ 60 V | -55°C〜150°C | 3a | 135pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFL0956 | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 100 v | 4A(TC) | 4.5V,10V | 120MOHM @ 4A,10V | 2.5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | - | 5.2W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | GSFC0603 | 0.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 60 V | 3A(3A) | 4.5V,10V | 95MOHM @ 2A,10V | 2.5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 1178 PF @ 30 V | - | 1.56W(TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | GSFD1550 | 1.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n通道 | 150 v | 50A(TC) | 10V | 22mohm @ 25a,10v | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 3450 PF @ 75 V | - | 133W(TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | SSFL0954 | 0.4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 100 v | 1.7A(TC) | 4.5V,10V | 310MOHM @ 1A,10V | 2.5V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 800 pf @ 25 V | - | 1.76W(TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | GSFN0988 | 0.5400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 100 v | 16A(TC) | 4.5V,10V | 38mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | +20V,-12V | 740 pf @ 20 V | - | 32.5W(TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | SSF6909 | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 60 V | 3.2A(ta) | 4.5V,10V | 105mohm @ 3a,10v | - | 15 NC @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 30 V | - | 2W(TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | SSFH6538 | 2.9500 | ![]() | 991 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-SSFH6538 | Ear99 | 8541.21.0080 | 500 | n通道 | 650 v | 38A(TC) | 10V | 99mohm @ 19a,10v | 4V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±30V | 3200 PF @ 50 V | - | 322W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | GSGP0160SD | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 肖特基 | SOD-323F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 700 mv @ 1 A | 100 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 1a | 60pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSPSL33 | 0.4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123H | 肖特基 | SOD-123HS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 450 mv @ 2 a | 150 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 3a | 210pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF8970 | 2.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-SSF8970 | Ear99 | 8541.21.0080 | 50 | n通道 | 80 V | 200a(TC) | 10V | 2.6mohm @ 20a,10v | 3.5V @ 250µA | 360 NC @ 10 V | ±20V | 23000 PF @ 30 V | - | 208W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | SSFQ3910 | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 10A(TC) | 4.5V,10V | 12mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 4.5 V | ±20V | 900 pf @ 25 V | - | 2.1W(TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | SMSZ4681 | 0.1800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101,SMSZ4XXX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 2 µA @ 1 V | 2.4 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS2BH | 0.3000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | 肖特基 | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 850 mv @ 2 a | 200 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C | 2a | 71pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFQ4810 | 0.5300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 2W(TA) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 40V | 8a(8a) | 18mohm @ 8a,10v | 2.5V @ 250µA | 21.6nc @ 10V | 1450pf @ 25V | 标准 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BAV70 | 0.1300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1独立 | 70 v | 200mA | 1.25 V @ 150 mA | 6 ns | 2.5 µA @ 70 V | 150°C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54 | 0.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 1 V @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -65°C〜150°C | 200mA | 10pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MURB1040CT | 0.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 标准 | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 400 v | 5a | 1.3 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B5V1 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZX84BX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B39 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZT52BXXX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 27.3 V | 39 v | 130欧姆 |
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