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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1SMB5918B | 0.4400 | ![]() | 2503 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 3W | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1.5V@200mA | 5μA@2V | 5.1V | 4欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPC1506W | 1.8800 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 固锝半导体 | KBPC15 | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,KBPC-W | 标准 | KBPC-W | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 4786-KBPC1506W | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@7.5A | 600V时为10μA | 15A | 单相 | 600伏 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C5V1S | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 固锝半导体 | BZT52CxxxS | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5.88% | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-76、SOD-323 | 500毫W | SOD-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 2V时为2μA | 5.1V | 60欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSGP0230S | 0.3100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-90、SOD-323F | 肖特基 | SOD-323F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 620 毫伏 @ 2 安 | 1毫安@30伏 | -55℃~150℃ | 2A | 120pF @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3904 | 0.1000 | ![]() | 628 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | SOT-23-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 200毫安 | 50纳安 | NPN | 300毫伏@5毫安,50毫安 | 100@10mA,1V | 300兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFL1003 | 0.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-261-4、TO-261AA | MOSFET(金属O化物) | SOT-223 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P沟道 | 100伏 | 2A(塔) | 4.5V、10V | 200毫欧@2A,10V | 2.2V@250μA | 30nC@10V | ±20V | 2000pF@50V | - | 1.78W(塔) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFK0501 | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 | MOSFET(金属O化物) | 300毫W(塔) | SOT-363 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 3,000 | - | 50V | 130mA(塔) | 10欧姆@100mA,5V | 2V@1mA | - | 56pF@20V | 标准 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFP3806 | 0.8100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | MOSFET(金属O化物) | 46W(温度) | 8-PPAK (5x6) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 N 沟道 | 30V | 40A(温度) | 6.5毫欧@20A,10V | 2.5V@250μA | 22nC@4.5V | 1750pF@25V | 标准 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSGP0160SD | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-90、SOD-323F | 肖特基 | SOD-323F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 700毫伏@1安 | 60V时为100μA | -55℃~150℃ | 1A | 60pF @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS3MB | 0.4000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 标准 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1000伏 | 1.7V@3A | 75纳秒 | 10μA@1000V | -55℃~150℃ | 3A | 50pF @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 彩信Z5234B | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | MMSZ52xxB | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOD-123 | 500毫W | SOD-123 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900毫伏@10毫安 | 4V时为5μA | 6.2V | 7欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBAS40LP | 0.2300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 0402(1006公制) | 肖特基 | DFN1006-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 40V | 1V@40mA | 5纳秒 | 200nA@30V | -55℃~125℃ | 200毫安 | 2.5pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF01 | 0.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) | 标准 | 4-DF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 4786-DF01 | EAR99 | 8541.10.0080 | 60 | 1.1V@500mA | 100V时为5μA | 1A | 单相 | 100伏 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SL24A | 0.4900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 肖特基 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 420毫伏@2安 | 200nA@40V | -55℃~125℃ | 2A | 175pF @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSTP0230S | 0.3400 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-90、SOD-323F | 肖特基 | SOD-323HS | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 15,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 600毫伏@2安 | 30V时为250μA | -55℃~150℃ | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C2V4 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 固锝半导体 | BZT52Cxxx | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±8.33% | - | 表面贴装 | SOD-123 | 500毫W | SOD-123 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900毫伏@10毫安 | 1V时为50μA | 2.4V | 100欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS16 | 0.2200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 固锝半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-123F | 肖特基 | SOD-123FL | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 700毫伏@1安 | 200nA@60V | -55℃~175℃ | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSGP0240SD | 0.3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-90、SOD-323F | 肖特基 | SOD-323F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 550毫伏@2安 | 40V时为100μA | -55℃~150℃ | 2A | 120pF @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 彩信Z5231B | 0.1200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 固锝半导体 | MMSZ52xxB | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOD-123 | 500毫W | SOD-123 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900毫伏@10毫安 | 5μA@2V | 5.1V | 17欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK5C0B | 0.5100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 肖特基 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 850毫伏@5安 | 200V时为30μA | -55℃~150℃ | 5A | 96pF @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFD8005 | 0.8100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MOSFET(金属O化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 2,500人 | N沟道 | 800V | 5.5A(温度) | 10V | 2.7欧姆@2.5A,10V | 4V@250μA | 15.16nC@10V | ±30V | 678pF@25V | - | 132W(温度) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5401G | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | 标准 | DO-201AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100伏 | 1.1V@3A | 100V时为5μA | -55℃~150℃ | 3A | 30pF @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK24A | 0.3000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 固锝半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 肖特基 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 550毫伏@2安 | 200nA@40V | -55℃~150℃ | 2A | 200pF @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 短信Z4687 | 0.1800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | 汽车、AEC-Q101、SMSZ4xxx | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOD-123 | 500毫W | SOD-123 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900毫伏@10毫安 | 2V时为4μA | 4.3V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES1D | 0.2200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 950毫伏@1安 | 35纳秒 | 5μA@200V | -55℃~150℃ | 1A | 10pF@4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS1K | 0.2400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1.7V@1A | 75纳秒 | 800V时为5μA | 150℃ | 1A | 6.5pF @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFQ3910 | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | MOSFET(金属O化物) | 8-SOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 3,000 | N沟道 | 30V | 10A(温度) | 4.5V、10V | 12毫欧@10A,10V | 2.5V@250μA | 12nC@4.5V | ±20V | 900pF@25V | - | 2.1W(温度) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 毛里求斯1560 | 1.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 4786-MUR1560 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.9V@15A | 50纳秒 | 600V时为10μA | -55℃~150℃ | 15A | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFB12N05 | 0.4700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 6-WDFN 裸露焊盘 | MOSFET(金属O化物) | 1.9W(塔) | 6-DFN (2x2) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0080 | 4,000 | N 和 P 沟道互补 | 12V | 5A(塔) | 32mOhm @ 5A、4.5V、74mOhm @ 4.5A、4.5V | 1V@250μA | 6.6nC@4.5V,9.2nC@4.5V | 495pF@6V,520pF@6V | 标准 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | LS56 | 0.4700 | ![]() | 19号 | 0.00000000 | 固锝半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-221AC,SMA 纸张 | 肖特基 | SMAF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 500毫伏@5安 | 500nA@60V | -55℃~150℃ | 5A | 220pF @ 4V,1MHz |

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