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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MUR2040FCT | 0.7600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | 标准 | ITO-220-AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-MUR2040FCT | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 400 v | 20a | 1.5 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBC807-40W | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 200兆 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | PNP | 700mv @ 50mA,500mA | 100 @ 100mA,1V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMSZ4696 | 0.1800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101,SMSZ4XXX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 1 µA @ 6.9 V | 9.1 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V9 | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZX84CX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.13% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS1BH | 0.2200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | 肖特基 | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 810 MV @ 1 A | 200 na @ 100 V | 150°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF3341 | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 4.2a | 2.5V,10V | 50MOHM @ 4.2A,10V | 1.3V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±12V | 712 PF @ 15 V | - | 1.4W | |||||||||||||||||||||||
![]() | LS54 | 0.4700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-221ac,sma平面线索 | 肖特基 | SMAF | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 5 a | 500 NA @ 40 V | -55°C〜150°C | 5a | 310pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFW02009 | 0.2100 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-883 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 10,000 | P通道 | 20 v | 850mA(ta) | 1.8V,4.5V | 640MOHM @ 550mA,4.5V | 1V @ 250µA | 0.8 NC @ 4.5 V | ±12V | 58 pf @ 10 V | - | 690MW(TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V3 | 0.1300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZX84CX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.06% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK26 | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 700 mv @ 2 a | 150 na @ 60 V | -55°C〜150°C | 2a | 200pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C6V2 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZT52CXXX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.45% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSF0301 | 0.2600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-523 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 600mA(TC) | 2.5V,4.5V | 500mohm @ 300mA,4.5V | 1.2V @ 250µA | 5.2 NC @ 4.5 V | ±12V | 146 pf @ 15 V | - | 310MW(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | HS1M | 0.2400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFT06130 | 2.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 800 | P通道 | 60 V | 140a(TC) | 4.5V,10V | 4.6mohm @ 50a,10v | 2.5V @ 250µA | 420 NC @ 10 V | ±20V | 24000 pf @ 25 V | - | 183W(TC) |
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