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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 功率 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SSF6911 | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 60 V | 2A(TC) | 4.5V,10V | 190mohm @ 2a,10v | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 615 PF @ 30 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF2429 | 0.4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 20 v | 5A(5A) | 2.5V,4.5V | 35mohm @ 5A,4.5V | 1V @ 250µA | 17 NC @ 5 V | ±12V | 1450 pf @ 10 V | - | 1.4W(TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5258B | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | MMS52XXB | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 27 V | 36 V | 70欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | gr2g | 0.3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 标准 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.35 V @ 2 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 2a | 50pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBAV3004W | 0.2400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123 | 标准 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 NA @ 240 V | -65°C〜150°C | 225mA | 1pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-40 | 0.1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | PNP | 700mv @ 50mA,500mA | 100 @ 100mA,1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMA4747A | 0.2900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1 w | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 5 µA @ 15.2 V | 20 v | 22欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK34A | 0.3400 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 550 mv @ 3 a | 200 NA @ 40 V | -55°C〜150°C | 3a | 250pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR20100CT | 0.5800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | 肖特基 | ITO-220-AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-MBR20100CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 100 v | 10a | 200 na @ 100 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF6092G1 | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 60 V | 2.7a | 10V | 92MOHM @ 2.7A,10V | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 641 PF @ 25 V | - | 1.25W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF6007 | 0.2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 50 V | 130mA(TC) | 10V | 7ohm @ 130mA,10v | 2V @ 1mA | ±20V | 45 pf @ 5 V | - | 230MW(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GDB5819HWS | 0.2600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 肖特基 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 600 mV @ 1 A | 1 mA @ 45 V | -65°C〜125°C | 1a | 120pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF10 | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | 标准 | DFS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1.1 V @ 500 mA | 5 µA @ 1000 V | 1 a | 单相 | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX784B9V1 | 0.2400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1.98% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-723 | 100兆 | SOD-723 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 900 mv @ 10 ma | 500 na @ 6 V | 9.1 v | 15欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFB0206 | 0.5000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | n通道 | 20 v | 5A(TC) | 1.8V,4.5V | 40mohm @ 4A,4.5V | 1V @ 250µA | 9 NC @ 4.5 V | ±10V | 460 pf @ 15 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFC0213 | 0.4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 20 v | 5.8A(TC) | 1.5V,4.5V | 33MOHM @ 4A,4.5V | 1V @ 250µA | 25 NC @ 4.5 V | ±10V | 2100 PF @ 15 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SK36A | 0.4300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 700 mv @ 3 a | 150 na @ 60 V | -55°C〜150°C | 3a | 250pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LL4148 | 0.1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 标准 | SOD-80最小 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 75 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175°C | 150mA | 4pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5235B | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | MMS52XXB | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 5 V | 6.8 v | 5欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4005G | 0.2800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 1 A | 1 µs | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSMBR0530 | 0.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123 | 肖特基 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 550 mv @ 500 mA | 80 µA @ 30 V | 125°C | 500mA | 30pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS70 | 0.1100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 肖特基 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 70 v | 1 V @ 15 ma | 5 ns | 100 na @ 50 V | -55°C〜125°C | 70mA | 2pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBAT46W | 0.2100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123 | 肖特基 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 100 v | 450 mv @ 10 mA | 2 µA @ 75 V | 125°C | 150mA | 20pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C13S | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZT52CXXXS | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.54% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 500兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 100 na @ 8 V | 13 V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBT0540X | 0.3000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 肖特基 | SOD-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 500 mA | 50 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 500mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C20 | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZX84CX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 14 V | 20 v | 55欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSL23S | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | 肖特基 | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 430 mv @ 2 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C2V7S | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZT52CXXXS | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±7.41% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 500兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSPS36 | 0.4600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123H | 肖特基 | SOD-123HS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 650 mv @ 3 a | 50 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 3a | 160pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSGC151BS | 0.7400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | 肖特基 | TO-277 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 470 mv @ 5 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 8a | 1780pf @ 4V,1MHz |
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