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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 功率 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZT52B5V1 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZT52BXXX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1.96% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C12 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZT52CXXX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.42% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 8 V | 12 v | 25欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | gr1d | 0.2000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 7.6pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B43 | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZT52BXXX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±3.12% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 32 V | 43 V | 100欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846B | 0.1000 | ![]() | 735 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | 600mv @ 5mA,100mA | 110 @ 2mA,5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847C | 0.1000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 200兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | 600mv @ 5mA,100mA | 420 @ 2mA,5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B5V6 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZT52BXXX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1.96% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 40欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS2G | 0.4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 标准 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 2 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 2a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBJ25K | 1.1200 | ![]() | 840 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBJ | 标准 | GBJ(5s) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-GBJ25K | Ear99 | 8541.10.0080 | 420 | 1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 800 V | 3.5 a | 单相 | 800 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR2040CT | 0.7600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-MUR2040CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 400 v | 20a | 1.5 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK25A | 0.3000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 700 mv @ 2 a | 150 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 2a | 200pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5263B | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | MMS52XXB | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 43 V | 56 v | 150欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK34B | 0.3800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 550 mv @ 3 a | 200 NA @ 40 V | -55°C〜150°C | 3a | 250pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5399G | 0.3500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 标准 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.4 V @ 1.5 A | 1 µs | 5 µA @ 1000 V | -50°C〜150°C | 1.5a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF2006S | 0.5100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | 标准 | DFS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1.2 V @ 2 A | 5 µA @ 600 V | 2 a | 单相 | 600 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK56B | 0.4600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 670 mv @ 5 a | 150 na @ 60 V | -55°C〜150°C | 5a | 96pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBU2508 | 1.5300 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 800 V | 25 a | 单相 | 800 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4148 | 0.1000 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4148 | 标准 | DO-204AH(DO-35)(DO-35) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 75 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175°C | 150mA | 4pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSR5000 | 0.4000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | - | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 5000 v | 5 V @ 200 V | v | -65°C〜150°C | 200mA | 15pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFP08130 | 1.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5.1x5.71) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 60 V | 130a(TC) | 10V | 3.5mohm @ 20a,10v | 4V @ 250µA | 143 NC @ 10 V | +20V,-12V | 8265 PF @ 40 V | - | 142W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C6V2 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZX84CX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.45% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B13 | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZT52BXXX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 8 V | 13 V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5235B | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | MMS52XXB | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 5 V | 6.8 v | 5欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBCP53-10 | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 1.5 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | 80 V | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 50mA,500mA | 63 @ 150mA,2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF6007 | 0.2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 50 V | 130mA(TC) | 10V | 7ohm @ 130mA,10v | 2V @ 1mA | ±20V | 45 pf @ 5 V | - | 230MW(TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF10 | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | 标准 | DFS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1.1 V @ 500 mA | 5 µA @ 1000 V | 1 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GDB5819HWS | 0.2600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 肖特基 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 600 mV @ 1 A | 1 mA @ 45 V | -65°C〜125°C | 1a | 120pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSMBR0530 | 0.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123 | 肖特基 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 550 mv @ 500 mA | 80 µA @ 30 V | 125°C | 500mA | 30pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX784B9V1 | 0.2400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1.98% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-723 | 100兆 | SOD-723 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 900 mv @ 10 ma | 500 na @ 6 V | 9.1 v | 15欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4005G | 0.2800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 1 A | 1 µs | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz |
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