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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 功率 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SSFN6907 | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 60 V | 14A(TC) | 4.5V,10V | 68mohm @ 8a,10v | 2.2V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1260 pf @ 30 V | - | 33.8W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | kbj4ju | 0.8100 | ![]() | 720 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBJ | 标准 | KBJ 3S) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-KBJ4JU | Ear99 | 8541.10.0080 | 360 | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 600 V | 2.3 a | 单相 | 600 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF3365 | 0.3400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 3A(3A) | 4.5V,10V | 80mohm @ 3a,10v | 1V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 600 pf @ 15 V | - | 1.25W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFQ6806 | 0.6600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 2.1W(TC) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 60V | 20A(TC) | 28mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 42NC @ 10V | 2440pf @ 20V | 标准 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFP4806 | 0.8100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 46W(TC) | 8-ppak(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 40V | 30A(TC) | 9MOHM @ 8A,10V | 2.5V @ 250µA | 24nc @ 4.5V | 2200pf @ 25V | 标准 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFW0501 | 0.2200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-883 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 10,000 | P通道 | 50 V | 130mA(ta) | 5V,10V | 6ohm @ 130mA,10v | 3V @ 250µA | ±20V | 32 pf @ 20 V | - | 150MW(TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBCX53 | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 500兆 | SOT-89-3L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 1,000 | 80 V | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 50mA,500mA | 63 @ 150mA,2V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK14 | 0.2100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 1 A | 200 NA @ 40 V | -55°C〜150°C | 1a | 110pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS70-04 | 0.2200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BAS70 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 肖特基 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 70 v | 70mA | 1 V @ 15 ma | 5 ns | 100 na @ 50 V | -55°C〜125°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584C4V7 | 0.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.38% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 150兆 | SOD-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK3B | 0.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 肖特基 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 790 mv @ 3 a | 30 na @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | 100pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002K | 0.1400 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜175°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 60 V | 300mA(TA) | 10V,5V | 300MOHM @ 500mA,4.5V,600MOHM @ 300mA,4.5V | 2.5V @ 250µA | 0.4 NC @ 4.5 V | ±20V | 30 pf @ 25 V | - | 430MW | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5248B | 0.1200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | MMS52XXB | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 14 V | 18 V | 21欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFK2219 | 0.4700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET (金属 o化物) | 278MW(TA) | SC-88 (SC-70-6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2个p通道 | 20V | 540ma(ta) | 600MOHM @ 300mA,4.5V | 1V @ 250µA | 2NC @ 4.5V | 78pf @ 10V | 标准 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF2116 | 0.4600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | 1.25W(TC) | SOT-23-6L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道互补 | 20V | 3.8A(TC),2.5a(tc) | 40mohm @ 3a,4.5V,100mohm @ 3a,4.5V | 1V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | 600pf @ 15V | 标准 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFQ4701 | 0.5100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 2.5W(TC) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n和p通道互补 | 40V | 6.7A(TC),7.2a tc) | 32MOHM @ 5A,10V,40MOHM @ 4A,10V | 2.5V @ 250µA | 5.6nc @ 4.5V,16NC @ 4.5V | 800pf @ 15V,1600pf @ 15V | 标准 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV99 | 0.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 70 v | 200mA | 1.25 V @ 150 mA | 6 ns | 2.5 µA @ 70 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB12S | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-269AA,4-Besop | 标准 | TO-269AA(MBS) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 400 MA | 5 µA @ 20 V | 500 MA | 单相 | 20 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFN3964 | 0.5400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 64A(TC) | 4.5V,10V | 4.5MOHM @ 15A,10V | 2.5V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 3800 PF @ 15 V | - | 44.6W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBC817-40W | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 200兆 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 700mv @ 50mA,500mA | 250 @ 100mA,1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFD3906 | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n通道 | 30 V | 80A(TC) | 4.5V,10V | 6mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 11.1 NC @ 4.5 V | ±20V | 1160 pf @ 25 V | - | 54W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584C6V2 | 0.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.45% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 150兆 | SOD-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF6911 | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 60 V | 2A(TC) | 4.5V,10V | 190mohm @ 2a,10v | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 615 PF @ 30 V | - | 1.56W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF2429 | 0.4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 20 v | 5A(5A) | 2.5V,4.5V | 35mohm @ 5A,4.5V | 1V @ 250µA | 17 NC @ 5 V | ±12V | 1450 pf @ 10 V | - | 1.4W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX784B5V1 | 0.2400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1.96% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-723 | 100兆 | SOD-723 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 900 mv @ 10 ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBCP56-16 | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 1.5 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | 80 V | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 63 @ 150mA,2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3904AT | 0.1500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-523 | 150兆 | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 40 V | 200 ma | 50NA | NPN | 300mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFD06C20 | 0.8500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-5,DPAK( + 4 +选项卡,TO-252AD | MOSFET (金属 o化物) | 20.1W(TC) | TO-252-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n和p通道互补 | 60V | 19a(TC),17a (TC) | 30mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 24NC @ 10V | 1720pf @ 30v,1810pf @ 30V | 标准 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSGP03150 | 1.1300 | ![]() | 4965 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 5,000 | n通道 | 30 V | 150a(TC) | 4.5V,10V | 1.9mohm @ 75a,10v | 2.2V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 3372 PF @ 15 V | - | 85W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF2220Y | 0.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | MOSFET (金属 o化物) | 312W(TC) | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 20V | 800mA(TC) | 300mohm @ 500mA,4.5V | 1V @ 250µA | 1NC @ 4.5V | 75pf @ 10V | 标准 |
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