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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 功率 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SL36B | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 500 mv @ 3 a | 150 na @ 60 V | -55°C〜150°C | 3a | 220pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | GSFP06120 | 1.0500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5.1x5.71) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 65 v | 120A(TC) | 4.5V,10V | 3.5MOHM @ 30a,10v | 2.5V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ±20V | 3600 PF @ 30 V | - | 125W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | HS2MA | 0.3500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.7 V @ 1.5 A | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 30pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | SK14E | 0.2800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 1 A | 200 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 1a | 110pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B3V0 | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZT52BXXX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95欧姆 | |||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5246B | 0.1200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | MMS52XXB | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 12 V | 16 V | 17欧姆 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584B5V6 | 0.2400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 150兆 | SOD-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 40欧姆 | |||||||||||||||||||||||
![]() | Murs140 | 0.4700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 标准 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 2a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B18 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZT52BXXX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 12.6 V | 18 V | 45欧姆 | |||||||||||||||||||||||
![]() | SSF3913S | 0.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 4A(TC) | 4.5V,10V | 75MOHM @ 4A,10V | 2.2V @ 250µA | 8 NC @ 4.5 V | ±20V | 810 pf @ 15 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | GSFP0255 | 0.5400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3.1x3.05) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 20 v | 55A(TC) | 1.8V,4.5V | 8.3mohm @ 12a,4.5V | 1V @ 250µA | 45 NC @ 4.5 V | ±10V | 5000 pf @ 10 V | - | 51W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | MMSZ5232B | 0.1200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | MMS52XXB | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 3 V | 5.6 v | 11欧姆 | |||||||||||||||||||||||
![]() | GSFH9506 | 2.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-GSFH9506 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 950 v | 5A(TJ) | 10V | 1.2OHM @ 2A,10V | 3.9V @ 250µA | 14.9 NC @ 10 V | ±30V | 878 PF @ 50 V | - | 83W(TJ) | ||||||||||||||||
![]() | SSFQ3812 | 0.4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 2.1W(TC) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 30V | 7.5A(TC) | 20mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 8NC @ 4.5V | 500pf @ 25V | 标准 | |||||||||||||||||||
![]() | SSFQ3907 | 0.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 8A(TC) | 4.5V,10V | 23mohm @ 8a,10v | 2.5V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 V | ±20V | 1820 PF @ 15 V | - | 2.1W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | SSF8309S | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 3.8A(TA) | 4.5V,10V | 75MOHM @ 3A,10V | 2.2V @ 250µA | 6 NC @ 4.5 V | ±25V | 665 pf @ 15 V | - | 1.56W(TA) | |||||||||||||||||
![]() | SSF3912S | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 6.5A(TC) | 4.5V,10V | 24mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 8 NC @ 4.5 V | ±20V | 500 pf @ 25 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | SSF1341 | 0.3800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 12 v | 3.5a | 2.5V,4.5V | 50mohm @ 3.5A,4.5V | 1V @ 250µA | 12 nc @ 4.5 V | ±8V | 1000 pf @ 8 V | - | 1.25W | |||||||||||||||||
![]() | GSJD6505 | 0.8500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n通道 | 650 v | 5A(TC) | 10V | 900mohm @ 2.5a,10v | 4V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±30V | 370 pf @ 50 V | - | 46W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | GSFQ2305 | 0.5000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 20 v | 11a(11a) | 1.8V,10V | 16mohm @ 6a,4.5V | 1V @ 250µA | 40 NC @ 4.5 V | ±10V | 3370 pf @ 15 V | - | 2.5W(TA) | |||||||||||||||||
![]() | KBPC15005 | 1.8800 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 4平方,KBPC | 标准 | KBPC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-KBPC15005 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 50 V | 15 a | 单相 | 50 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | SSFQ4903 | 0.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 40 V | 10A(TC) | 4.5V,10V | 15mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 40 NC @ 4.5 V | ±20V | 4000 pf @ 25 V | - | 4.2W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | GSPSL26 | 0.3800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123H | 肖特基 | SOD-123HS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 60 V | 500 mv @ 2 a | 200 µA @ 60 V | -55°C〜125°C | 2a | 125pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | SSF3051G7 | 0.4400 | ![]() | 8172 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 4.4a | 4.5V,10V | 48mohm @ 4.4A,10V | 3V @ 250µA | 7.1 NC @ 5 V | ±25V | 520 pf @ 15 V | - | 1.7W | |||||||||||||||||
![]() | SSFK3220B | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET (金属 o化物) | 275MW(TC) | SC-88 (SC-70-6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 800mA(TC) | 300mohm @ 500mA,4.5V | 1V @ 250µA | 2NC @ 4.5V | 75pf @ 10V | 逻辑级别门,1.5V | |||||||||||||||||||
![]() | GSF7002DW | 0.2400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET (金属 o化物) | 150MW(TA) | SC-88 (SC-70-6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 60V | 340ma(ta) | 5ohm @ 500mA,10v | 2.5V @ 1mA | - | 40pf @ 10V | 标准 | |||||||||||||||||||
![]() | GSZ1L8S | 0.2100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | gszxxxs | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 250兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 25 µA @ 1 V | 1.8 v | 1200欧姆 | |||||||||||||||||||||||
![]() | GSF7002AT | 0.2000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-523 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 60 V | 115ma(ta) | 5V,10V | 7.5OHM @ 500mA,10v | 2.5V @ 250µA | ±20V | 50 pf @ 25 V | - | 150MW(TA) | ||||||||||||||||||
![]() | SSFB2310L | 0.4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | 6-DFN(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 20 v | 9.9a(ta) | 1.8V,4.5V | 13mohm @ 5A,4.5V | 1V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 V | ±10V | 1480 pf @ 10 V | - | 2.01W(TA) | |||||||||||||||||
![]() | GSFP0365 | 0.5800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(4.89x5.74) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 4,000 | P通道 | 30 V | 64A(TC) | 4.5V,10V | 12mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 64.3 NC @ 10 V | ±20V | 1360 pf @ 15 V | - | 56.8W(TC) |
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