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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 功率 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SSF2318E | 0.3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 20 v | 6.5a | 1.8V,4.5V | 22mohm @ 6.5a,4.5V | 1V @ 250µA | 10 NC @ 4.5 V | ±8V | 1160 pf @ 10 V | - | 1.4W | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMA4744A | 0.2900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1 w | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 5 µA @ 11.4 V | 15 v | 14欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTA42 | 0.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 300 v | 300 MA | 250NA(ICBO) | NPN | 200mv @ 2mA,20mA | 100 @ 10mA,10v | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK36B | 0.4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 700 mv @ 3 a | 150 na @ 60 V | -55°C〜150°C | 3a | 250pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES1B | 0.2200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT596-DV4 | 0.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 200兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 25 v | 700 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 600mv @ 70mA,700mA | 110 @ 100mA,1V | 170MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFP06120 | 1.0500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5.1x5.71) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 65 v | 120A(TC) | 4.5V,10V | 3.5MOHM @ 30a,10v | 2.5V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ±20V | 3600 PF @ 30 V | - | 125W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B9V1 | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZX84BX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 500 na @ 6 V | 9.1 v | 15欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54 | 0.1200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAT54 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 30 V | 200mA | 1 V @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF3912 | 0.4600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 6.5A(TC) | 4.5V,10V | 24mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 8 NC @ 4.5 V | ±20V | 500 pf @ 25 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK2C0B | 0.4900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 850 mv @ 2 a | 30 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 2a | 200pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFU6522 | 2.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-GSFU6522 | Ear99 | 8541.21.0080 | 50 | n通道 | 650 v | 20A(TC) | 10V | 190mohm @ 10a,10v | 4V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ±30V | 2100 PF @ 100 V | - | 45W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FH6 | 0.2100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | 标准 | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LS36 | 0.4900 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-221ac,sma平面线索 | 肖特基 | SMAF | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 700 mv @ 3 a | 500 NA @ 60 V | -55°C〜150°C | 3a | 234pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GDB5819WS | 0.2200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 肖特基 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 600 mV @ 1 A | 1 ma @ 30 V | -65°C〜125°C | 1a | 120pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSRB751S-40 | 0.1500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 肖特基 | SOD-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 370 mv @ 1 mA | 500 NA @ 30 V | 125°C | 30mA | 2pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5245B | 0.1200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | MMS52XXB | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 11 V | 15 v | 16欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFK9120 | 0.4700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET (金属 o化物) | 275MW(TC) | SC-88 (SC-70-6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n和p通道互补 | 20V | 800mA(TC),400mA (TC) | 300MOHM @ 500mA,4.5V,600MOHM @ 300mA,4.5V | 1V @ 250µA | 2NC @ 4.5V | 75pf @ 10v,78pf @ 10V | 标准 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGC101BSA | 0.5500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | 肖特基 | TO-277 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 650 MV @ 10 A | 500 NA @ 100 V | -55°C〜150°C | 10a | 1350pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS2005ELD | 0.2100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-923 | 肖特基 | SOD-923 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 650 MV @ 500 mA | 100 µA @ 20 V | -65°C〜150°C | 500mA | 50pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54A | 0.1200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 肖特基 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 30 V | 200mA | 1 V @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR1620CT | 0.7600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-MUR1620CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 8a | 1 V @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LS14 | 0.3100 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 450 MV @ 1 A | 1 µA @ 40 V | - | 1a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFD0982 | 0.8500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n通道 | 100 v | 50A(TC) | 4.5V,10V | 10.8mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ±20V | 2145 PF @ 50 V | - | 78W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5248B | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | MMBZ52XXB | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | - | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 500兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 14 V | 18 V | 21欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBAT0540LP | 0.3500 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 0402((1006公制) | 肖特基 | DFN1006-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 500 mA | 50 µA @ 40 V | 125°C | 500mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB10M | 0.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4- 浸( 0.200英寸,5.08mm) | 标准 | MBM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-MB10M | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1 V @ 400 MA | 5 µA @ 1000 V | 500 MA | 单相 | 1 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMSZ4684 | 0.1800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101,SMSZ4XXX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.15% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 7.5 µA @ 1.5 V | 3.3 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMA4739A | 0.2900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1 w | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 10 µA @ 7 V | 9.1 v | 5欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMDT3904 | 0.2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200MW | SC-88 (SC-70-6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 40V | 200mA | 50NA | 2 NPN | 300mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz |
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