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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 功率 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GSFN2306 | 0.5000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 20 v | 65A(TC) | 1.8V,4.5V | 5.4mohm @ 20a,4.5V | 1V @ 250µA | 45 NC @ 4.5 V | ±10V | 2790 pf @ 10 V | - | 44.6W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK23A | 0.3000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 550 mv @ 2 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 2a | 200pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR3045CT | 0.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | 肖特基 | TO-220-AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-MBR3045CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 45 v | 30mA | 200 na @ 45 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBAS70WS | 0.2100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 肖特基 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 70 v | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 na @ 50 V | 125°C | 70mA | 2pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSGN0648 | 0.6300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 65 v | 48A(TC) | 4.5V,10V | 10.8mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 30.6 NC @ 10 V | +20V,-12V | 1890 pf @ 30 V | - | 42W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | gr1k | 0.2000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 7.6pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPC1506 | 1.8800 | ![]() | 498 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | KBPC15 | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 4平方,KBPC | 标准 | KBPC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-KBPC1506 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 600 V | 15 a | 单相 | 600 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES2BA | 0.3900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 920 mv @ 2 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜125°C | 2a | 25pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFR0603 | 0.4900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 60 V | 3.3a(ta) | 4.5V,10V | 96mohm @ 2a,10v | 2.5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 1080 pf @ 30 V | - | 2W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSGC1545SA | 0.5000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | 肖特基 | TO-277 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 490 mv @ 15 A | 200 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | 15a | 950pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSGP0140SL1 | 0.2500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 肖特基 | SOD-323F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 1 A | 200 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 1a | 16pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856B | 0.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 65 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 125 @ 2mA,5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS1J | 0.2500 | ![]() | 6371 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBCP69-16 | 0.4000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 1 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 4,000 | 20 v | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 100mA,1a | 100 @ 10mA,1.8V | 40MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFB2309L | 0.5100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | 6-DFN(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 20 v | 8.5A(TC) | 1.8V,4.5V | 28mohm @ 4A,4.5V | 1V @ 250µA | 25 NC @ 4.5 V | ±10V | 2100 PF @ 15 V | - | 3.3W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB210 | 0.4300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | TO-269AA,4-Besop | 肖特基 | TO-269AA(MBS) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 840 mv @ 2 a | 500 µA @ 100 V | 2 a | 单相 | 100 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU810 | 0.8300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-GBU810 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 1000 V | 8 a | 单相 | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBC817-40 | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 700mv @ 50mA,500mA | 250 @ 100mA,1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSF0500AT | 0.2300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-523 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 50 V | 360ma(ta) | 2.5V,10V | 1.6ohm @ 500mA,10v | 1.5V @ 250µA | 4.7 NC @ 10 V | ±20V | 27 PF @ 25 V | - | 150MW(TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF6670 | 0.4100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜175°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 2.4W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 4,000 | 2 n通道 | 60V | 3.5a | 90MOHM @ 3A,10V | 3V @ 250µA | 7NC @ 4.5V | 500pf @ 25V | 标准 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFN3903 | 0.6300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 50a | 4.5V,10V | 8.5mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 35 NC @ 4.5 V | ±20V | 3300 PF @ 15 V | - | 2.2W(TA),59W(tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584B8V2 | 0.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 150兆 | SOD-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 700 na @ 5 V | 8.2 v | 15欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFU6522 | 2.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-GSFU6522 | Ear99 | 8541.21.0080 | 50 | n通道 | 650 v | 20A(TC) | 10V | 190mohm @ 10a,10v | 4V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ±30V | 2100 PF @ 100 V | - | 45W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF3912 | 0.4600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 6.5A(TC) | 4.5V,10V | 24mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 8 NC @ 4.5 V | ±20V | 500 pf @ 25 V | - | 1.56W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK2C0B | 0.4900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 850 mv @ 2 a | 30 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 2a | 200pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FH6 | 0.2100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | 标准 | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMA4739A | 0.2900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1 w | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 10 µA @ 7 V | 9.1 v | 5欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB10M | 0.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4- 浸( 0.200英寸,5.08mm) | 标准 | MBM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-MB10M | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1 V @ 400 MA | 5 µA @ 1000 V | 500 MA | 单相 | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMSZ4684 | 0.1800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101,SMSZ4XXX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.15% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 7.5 µA @ 1.5 V | 3.3 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N914 | 0.1200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | DO-204AH(DO-35)(DO-35) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 100 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175°C | 75mA | 4pf @ 0v,1MHz |
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