SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
1N5358A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5358A 0.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±10% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5358A 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 15.8 V 22 v 3.5欧姆
1N4741AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4741AT/r。 0.0600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4741AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 8.4 V 11 V 8欧姆
1N4733AG EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4733AG 0.1800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4733AG 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 5.1 v 7欧姆
1N5401T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5401T/r 0.0800
RFQ
ECAD 45 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5401T/RTR 8541.10.0000 1,250 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 950 mv @ 3 a 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 3a 28pf @ 4V,1MHz
1N4748AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4748AT/R。 0.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4748AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 16.7 V 22 v 23欧姆
1N4737ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4737ABULK 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4737ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 5 V 7.5 v 4欧姆
1N5239BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5239BT/r。 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5239BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 7 V 9.1 v 10欧姆
1N4734AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4734AT/r。 0.0650
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4734AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 2 V 5.6 v 5欧姆
1N5229BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5229BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5229BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 22欧姆
1N5361BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5361BBULK 0.3800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5361BBULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 20.6 V 27 V 5欧姆
1N5360BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5360BT/r。 0.1100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5360BT/RTR 8541.10.0000 3,000 1.2 V @ 1 A 500 na @ 19 V 25 v 4欧姆
1N5380BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5380BBULK 0.3800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5380BBULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 91.2 V 120 v 170欧姆
1N4744T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4744T/r 0.0400
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4744T/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 11.4 V 15 v 14欧姆
1N4749AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4749AT/r。 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4749AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 18.2 V 24 V 25欧姆
1N5350BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5350BBULK 0.3600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5350BBULK Ear99 8541.10.0050 500 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 9.9 V 13 V 2.5欧姆
1N5391T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5391T/r 0.0400
RFQ
ECAD 25 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5391T/RTR 8541.10.0000 5,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 50 V 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1.5a 15pf @ 4V,1MHz
1N4756AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4756AT/r。 0.0600
RFQ
ECAD 30 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4756AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 35.8 V 47 V 80欧姆
1N5228BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5228BT/r。 0.0400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5228BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 3.9 v 23欧姆
1N5244BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5244bt/r 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5244BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 10 V 14 V 15欧姆
1N5239BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5239BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5239BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 7 V 9.1 v 10欧姆
1N5242BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5242BT/R。 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5242BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 9.1 V 12 v 30欧姆
RBV1004 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1004 1.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV1004 8541.10.0000 100 1 V @ 5 A 10 µA @ 400 V 10 a 单相 400 v
RBV5010 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5010 3.9300
RFQ
ECAD 260 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV5010 8541.10.0000 100 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 1000 V 50 a 单相 1 kV
RBV1506D EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1506D 1.6500
RFQ
ECAD 50 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV1506D 8541.10.0000 50 1.1 V @ 15 A 10 µA @ 600 V 15 a 单相 600 v
RBV1001 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1001 1.2400
RFQ
ECAD 400 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV1001 8541.10.0000 100 1 V @ 5 A 10 µA @ 100 V 10 a 单相 100 v
RBV2502D EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2502D 1.7400
RFQ
ECAD 100 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV2502D 8541.10.0000 100 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 200 V 25 a 单相 200 v
RBV2504 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2504 1.7000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV2504 8541.10.0000 100 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 400 V 25 a 单相 400 v
RBV2508 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2508 1.7400
RFQ
ECAD 700 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV2508 8541.10.0000 100 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 800 V 25 a 单相 800 v
RBV606 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV606 1.1000
RFQ
ECAD 900 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV606 8541.10.0000 100 1 V @ 3 A 10 µA @ 600 V 6 a 单相 600 v
1N5353BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5353BBULK 0.3900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5353BBULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 12.2 V 16 V 2.5欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库