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离散半导体产品（（455）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | htsus | 标准包 | 速度 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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| 1N4731ABULK | 0.1300 | | 12 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | ±5％ | -55°C〜175°C（TJ） | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1 w | do-41 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 根据要求获得可用的信息 | 2439-1N4731ABULK | 1,000 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 4.3 v | 9欧姆 | |||||||||
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| 1N4761AT/r。 | 0.0500 | | 10 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -55°C〜175°C（TJ） | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 2439-1N4761AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 56 V | 75 v | 175欧姆 | |||||||||
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 | 1N5400块 | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD，轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 2439-1N5400块 | 8541.10.0000 | 500 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 50 V | 950 mv @ 3 a | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 3a | 28pf @ 4V，1MHz | ||||||||
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| 1N5400T/r。 | 0.0900 | | 10 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD，轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 2439-1N5400T/RTR | 8541.10.0000 | 1,250 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 50 V | 950 mv @ 3 a | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 3a | 28pf @ 4V，1MHz | ||||||||
| 1N4751A | 0.1800 | | 29 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | ±5％ | -55°C〜175°C（TJ） | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 2439-1N4751A | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 22.8 V | 30 V | 40欧姆 | |||||||||
| 1N4756A | 0.1800 | | 9 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | ±5％ | -55°C〜175°C（TJ） | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 2439-1N4756A | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 35.8 V | 47 V | 80欧姆 | |||||||||
| 1N5407裸体 | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD，轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 2439-1N5407Bulk | 8541.10.0000 | 500 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 800 v | 950 mv @ 3 a | 5 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 3a | 28pf @ 4V，1MHz | ||||||||
| 1N5253BBULK | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | ±5％ | 175°C（TJ） | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 2439-1N5253BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 19 V | 25 v | 35欧姆 | |||||||||
| 1N5405蓝色 | 0.1800 | | 15 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD，轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 2439-1N5405Bulk | 8541.10.0000 | 500 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 500 v | 1 V @ 3 A | 5 µA @ 500 V | -65°C〜175°C | 3a | 28pf @ 4V，1MHz |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
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