SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
BR1002 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1002 0.9400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4平方,BR-10 BR1002 标准 BR-10 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR1002 8541.10.0000 200 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 200 V 10 a 单相 200 v
1N5226BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5226BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5226BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 25 µA @ 1 V 3.3 v 28欧姆
1N5949BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5949BT/R。 0.1300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1.5 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5949BT/RTR 8541.10.0000 5,000 1 µA @ 76 V 100 v 250欧姆
RBV1502 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1502 1.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV1502 8541.10.0000 100 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 200 V 15 a 单相 200 v
SK15 EIC SEMICONDUCTOR INC. SK15 0.1600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA 肖特基 SMA(do-214ac) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-SK15TR 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 500 mv @ 1 A 500 µA @ 50 V -40°C〜125°C 1a -
BR5006W EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5006W 3.7500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,BR-50W 标准 BR-50W 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR5006W 8541.10.0000 50 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 600 V 50 a 单相 600 v
RBV5008 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5008 3.9300
RFQ
ECAD 620 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV5008 8541.10.0000 100 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 800 V 50 a 单相 800 v
BYD33MBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BYD33MBULK 0.2100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 雪崩 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BYD33MBULK 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 1 A 300 ns 1 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1.3a -
MR760 EIC SEMICONDUCTOR INC. MR760 0.7500
RFQ
ECAD 350 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 D-6,轴向 标准 D6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-MR760 8541.10.0000 800 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 900 mv @ 6 a 25 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 22a -
FR102BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR102Bulk 0.2100
RFQ
ECAD 38 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-FR102Bulk 8541.10.0000 600 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜150°C 1a 50pf @ 4V,1MHz
MR850T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. MR850T/R。 0.1100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-MR850T/RTR 8541.10.0000 1,250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.25 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜150°C 3a 28pf @ 4V,1MHz
AR2502 EIC SEMICONDUCTOR INC. AR2502 0.2800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 汽车 积极的 表面安装 微型按钮 标准 微型按钮 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-AR2502 8541.10.0000 500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1 V @ 25 A 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 25a -
1N749AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N749AT/r。 0.0300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N749AT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.2 V @ 200 ma 2 µA @ 1 V 4.3 v 22欧姆
RBV3508 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV3508 2.8100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV3508 8541.10.0000 500 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 800 V 35 a 单相 800 v
KBP202 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBP202 0.8500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -50°C〜125°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBP 标准 KBP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-KBP202 8541.10.0000 100 1 V @ 1 A 10 µA @ 200 V 2 a 单相 200 v
RBV3502 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV3502 1.6800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV3502 8541.10.0000 100 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 200 V 35 a 单相 200 v
RBV3510 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV3510 2.8100
RFQ
ECAD 900 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV3510 8541.10.0000 100 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 1000 V 35 a 单相 1 kV
RBV610 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV610 1.3100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV610 8541.10.0000 100 1 V @ 3 A 10 µA @ 1000 V 6 a 单相 1 kV
RBV1002 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1002 1.2800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV1002 8541.10.0000 100 1 V @ 5 A 10 µA @ 200 V 10 a 单相 200 v
FR305T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR305T/r。 0.1400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-FR305T/RTR 8541.10.0000 1,250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 3 A 250 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜150°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
FR306T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR306T/r。 0.1500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-FR306T/RTR 8541.10.0000 1,250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 3 A 500 ns 10 µA @ 800 V -65°C〜150°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
HER305T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Her305t/r 0.2000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-HER305T/RTR 8541.10.0000 1,250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.1 V @ 3 A 50 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜150°C 3a 50pf @ 4V,1MHz
15HCB EIC SEMICONDUCTOR INC. 15HCB 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-15HCBTR 8541.10.0000 5,000
Z1190-T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Z1190-T/R。 0.0600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-Z1190-T/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 190 v
1N5246BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5246BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5246BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 12 V 16 V 17欧姆
BR1006 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1006 0.9800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4平方,BR-10 BR1006 标准 BR-10 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR1006 8541.10.0000 200 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 600 V 10 a 单相 600 v
1N5340B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5340B 0.2160
RFQ
ECAD 24 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 - rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5340BTR 8541.10.0000 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 3 V 6 V 1欧姆
1N4755ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N475555555 0.1800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4755555 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 32.7 V 43 V 70欧姆
1N5396BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5396Bulk 0.1800
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5396Bulk 8541.10.0000 500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 500 v 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 500 V -65°C〜175°C 1.5a 15pf @ 4V,1MHz
RBV5002 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5002 1.8300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV5002 8541.10.0000 100 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 200 V 50 a 单相 200 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库