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离散半导体产品（（455）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 htsus 标准包 速度 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
SML4728-T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. SML4728-T/R。 0.0900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 do-214ac，SMA 1 w SMA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-SML4728-T/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 100 µA @ 1 V 3.3 v 10欧姆
KBL404 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBL404 1.1300
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，KBL 标准 KBL 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-KBL404 8541.10.0000 100 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 400 V 4 a 单相 400 v
BR3504W EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3504W 2.5900
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，BR-50W 标准 BR-50W 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-BR3504W 8541.10.0000 40 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 400 V 35 a 单相 400 v
1N757AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N757AT/r。 0.0300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N757AT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.2 V @ 200 ma 100 na @ 1 V 9.1 v 10欧姆
BR3500 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3500 2.6600
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 4平方英尺，BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-BR3500 8541.10.0000 50 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 50 V 35 a 单相 50 V
BR2502 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR2502 2.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 4平方英尺，BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-BR2502 8541.10.0000 50 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 200 V 25 a 单相 200 v
BR1006 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1006 0.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4平方，BR-10 BR1006 标准 BR-10 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-BR1006 8541.10.0000 200 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 600 V 10 a 单相 600 v
FBR5006 EIC SEMICONDUCTOR INC. FBR5006 4.4000
RFQ
 ECAD 599 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 底盘安装 4平方英尺，BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-FBR5006 8541.10.0000 50 1.3 V @ 25 A 10 µA @ 600 V 50 a 单相 600 v
BR2501 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR2501 2.7400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 4平方英尺，BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-BR2501 8541.10.0000 50 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 100 V 25 a 单相 100 v
FR305BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR305Bulk 0.2100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 通过洞 DO-201 AD，轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-FR305Bulk 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.3 V @ 3 A 250 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜150°C 3a 60pf @ 4V，1MHz
1N4738ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4738ABULK 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N4738ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 6 V 8.2 v 4.5欧姆
1N5400T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5400T/r。 0.0900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 DO-201 AD，轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5400T/RTR 8541.10.0000 1,250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 50 V 950 mv @ 3 a 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 3a 28pf @ 4V，1MHz
1N4756A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4756A 0.1800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N4756A 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 35.8 V 47 V 80欧姆
1N5253BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5253BBULK 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5253BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 19 V 25 v 35欧姆
1N5238BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5238BBULK 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5238BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 6.5 V 8.7 v 8欧姆
1N5230BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5230BT/r。 0.0400
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5230BT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 2 V 4.7 v 19欧姆
1N5395T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5395T/r 0.0400
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5395T/RTR 8541.10.0000 5,000 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1.5a 15pf @ 4V，1MHz
1N4738AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4738AT/R。 0.0500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N4738AT/r。 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 6 V 8.2 v 4.5欧姆
1N5233BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5233BBULK 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5233BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3.5 V 6 V 7欧姆
1N4750AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4750AT/r。 0.0600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N4750AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 20.6 V 27 V 35欧姆
1N4749BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4749Bulk 0.1800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±10％ -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N4749Bulk 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 18.2 V 24 V 25欧姆
1N4728ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4728ABULK 0.1500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1 w do-41 - rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-1N4728ABULK 1,000 1.2 V @ 200 ma 100 µA @ 1 V 3.3 v 10欧姆
RBV1508 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1508 1.6000
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV1508 8541.10.0000 100 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 800 V 15 a 单相 800 v
RBV1502 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1502 1.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV1502 8541.10.0000 100 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 200 V 15 a 单相 200 v
RBV1504 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1504 1.9000
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV1504 8541.10.0000 100 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 400 V 15 a 单相 400 v
RBV5006 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5006 3.0000
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV5006 8541.10.0000 100 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 600 V 50 a 单相 600 v
RBV806 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV806 1.2500
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV806 8541.10.0000 100 1 V @ 4 A 10 µA @ 600 V 8 a 单相 600 v
RBV5004 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5004 3.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV5004 8541.10.0000 100 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 400 V 50 a 单相 400 v
RBV802 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV802 1.1500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV802 8541.10.0000 100 1 V @ 4 A 10 µA @ 200 V 8 a 单相 200 v
SK15 EIC SEMICONDUCTOR INC. SK15 0.1600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 do-214ac，SMA 肖特基 SMA（do-214ac） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-SK15TR 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 500 mv @ 1 A 500 µA @ 50 V -40°C〜125°C 1a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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