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离散半导体产品（（455）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 htsus 标准包 速度 电流 -峰值输出 电压 -崩溃 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 当前 -崩溃
1N4004BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4004BULK 0.0900
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 标准 do-41 - rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-1N4004Bulk 1,000 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V，1MHz
10A05 EIC SEMICONDUCTOR INC. 10A05 0.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 D-6，轴向 标准 D6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-10A05TR 800 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1 V @ 10 A 10 µA @ 600 V -65°C〜150°C 10a 80pf @ 4V，1MHz
1N4006T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4006T/r 0.0300
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 标准 do-41 - rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-1N4006T/RTR 5,000 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V，1MHz
1N4001 EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4001 0.0240
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 标准 do-41 - rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-1N4001 1,000 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 50 V 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V，1MHz
1N4007C.B.O. EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4007C.BO 0.1300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 标准 do-41 - rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-1N4007C.BO 5,000 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V，1MHz
1N5930BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5930BT/r。 0.1300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1.5 w do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5930BT/RTR 8541.10.0000 5,000 1 µA @ 12.2 V 16 V 10欧姆
BR3504 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3504 2.6900
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 4平方英尺，BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-BR3504 8541.10.0000 50 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 400 V 35 a 单相 400 v
1N5923BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5923BT/R。 0.0500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1.5 w do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5923BT/RTR 8541.10.0000 5,000 5 µA @ 6.5 V 8.2 v 3.5欧姆
1N751ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N751ABULK 0.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N751ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 1 V 5.1 v 17欧姆
FR301BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR301Bulk 0.2100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 通过洞 DO-201 AD，轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-FR301Bulk 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1.3 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜150°C 3a 60pf @ 4V，1MHz
FR155T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR155T/r。 0.0400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-FR155T/RTR 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.4 V @ 1.5 A 250 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜150°C 1.5a 25pf @ 4V，1MHz
FR207BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR207Bulk 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 通过洞 do-204ac，do-15，轴向 标准 do-15 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-FR207Bulk 8541.10.0000 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 1.3 V @ 2 A 500 ns 10 µA @ 1000 V -65°C〜150°C 2a 15pf @ 4V，1MHz
1N5931ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5931ABULK 0.2100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±10％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1.5 w do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5931ABULK 8541.10.0000 500 1 µA @ 13.7 V 18 V 12欧姆
D32PBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. D32pbulk 0.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜100°C（TJ） do-204al，do-41，轴向 do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-d32pbulk 8541.10.0000 500 2 a 27〜37V 100 µA
HER108T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER108T/r。 0.1100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-HER108T/RTR 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -65°C〜150°C 1a 50pf @ 4V，1MHz
HER302T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER302T/r。 0.1700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 DO-201 AD，轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-HER302T/RTR 8541.10.0000 1,250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.1 V @ 3 A 50 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 3a 50pf @ 4V，1MHz
BR5008 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5008 2.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 4平方英尺，BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-BR5008 8541.10.0000 50 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 800 V 50 a 单相 800 v
1N755ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N755555ABULK 0.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N755555 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 100 na @ 1 V 7.5 v 6欧姆
BY255 EIC SEMICONDUCTOR INC. BY255 0.2500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 通过洞 DO-201 AD，轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-BY255 8541.10.0000 1,250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1300 v 1.1 V @ 3 A 20 µA @ 1300 V -65°C〜175°C 3a 50pf @ 4V，1MHz
KBL402 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBL402 1.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，KBL 标准 KBL 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-KBL402 8541.10.0000 100 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 200 V 4 a 单相 200 v
BR610 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR610 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，BR-6 标准 BR-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-BR610 8541.10.0000 200 1 V @ 3 A 10 µA @ 1000 V 6 a 单相 1 kV
BY399 EIC SEMICONDUCTOR INC. By399 0.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 通过洞 DO-201 AD，轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-By399 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 800 v 1.25 V @ 3 A 250 ns 10 µA @ 800 V -65°C〜150°C 3a 60pf @ 4V，1MHz
KBL401 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBL401 1.0200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，KBL 标准 KBL 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-KBL401 8541.10.0000 100 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 100 V 4 a 单相 100 v
KBL408 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBL408 1.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，KBL 标准 KBL 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-KBL408 8541.10.0000 100 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 800 V 4 a 单相 800 v
BR810 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR810 1.2200
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4平方，BR-10 标准 BR-10 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-BR810 8541.10.0000 200 1 V @ 4 A 10 µA @ 1000 V 8 a 单相 1 kV
1N754ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N754ABULK 0.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N754ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 100 na @ 1 V 6.8 v 5欧姆
FBR3506 EIC SEMICONDUCTOR INC. FBR3506 3.5300
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 底盘安装 4平方英尺，BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-FBR3506 8541.10.0000 50 1.3 V @ 17.5 A 10 µA @ 600 V 35 a 单相 600 v
DR206T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. DR206T/r。 0.0600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 do-204ac，do-15，轴向 标准 do-15 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-DR206T/RTR 8541.10.0000 3,000 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1 V @ 2 A 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 2a 75pf @ 4V，1MHz
HER303T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Her303t/r 0.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 DO-201 AD，轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-HER303T/RTR 8541.10.0000 1,250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.1 V @ 3 A 50 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C 3a 50pf @ 4V，1MHz
BR601 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR601 0.6800
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，BR-6 标准 BR-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-BR601 8541.10.0000 200 1 V @ 3 A 10 µA @ 100 V 6 a 单相 100 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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