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离散半导体产品（（455）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
BR3504	2.6900	RFQ	300	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-50		标准		BR-50	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BR3504	8541.10.0000	50			1.1 V @ 17.5 A		10 µA @ 400 V		35 a		单相	400 v
RBV1001	1.2400	RFQ	400	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RBV-25		标准		RBV-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-RBV1001	8541.10.0000	100			1 V @ 5 A		10 µA @ 100 V		10 a		单相	100 v
1N5233BT/r。	0.0400	RFQ	20	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5233BT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V						6 V	7欧姆
1N5358A	0.1900	RFQ	2	EIC半导体公司	-	包	积极的	±10％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204ac，do-15，轴向			5 w	do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5358A	8541.10.0000	500			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 15.8 V						22 v	3.5欧姆
1N5391Bulk	0.1800	RFQ	19	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5391Bulk	8541.10.0000	500	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	50 V	1.1 V @ 1.5 A		5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1.5a	15pf @ 4V，1MHz
1N755555ABULK	0.2100	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N755555	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 1 V						7.5 v	6欧姆
BR5008	2.9900	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-50		标准		BR-50	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BR5008	8541.10.0000	50			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 800 V		50 a		单相	800 v
RBV2504	1.7000	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RBV-25		标准		RBV-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-RBV2504	8541.10.0000	100			1.1 V @ 12.5 A		10 µA @ 400 V		25 a		单相	400 v
1N4758AT/r。	0.0600	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4758AT/RTR	8541.10.0000	5,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 42.6 V						56 v	110欧姆
BR2504W	2.5800	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-50W		标准		BR-50W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BR2504W	8541.10.0000	50			1.1 V @ 12.5 A		10 µA @ 400 V		25 a		单相	400 v
Her503bulk	0.3100	RFQ	3	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-HER503BULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.1 V @ 5 A	50 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	5a	50pf @ 4V，1MHz
1N5228BT/r。	0.0400	RFQ	20	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5228BT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V						3.9 v	23欧姆
1N5251BBULK	0.1800	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5251BBULK	8541.10.0000	500			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 17 V						22 v	29欧姆
1N5239BBULK	0.1800	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5239BBULK	8541.10.0000	500			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 7 V						9.1 v	10欧姆
1N5380BBULK	0.3800	RFQ	6	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204ac，do-15，轴向			5 w	do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5380BBULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 91.2 V						120 v	170欧姆
1N4755AT/R。	0.0600	RFQ	15	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4755AT/RTR	8541.10.0000	5,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 32.7 V						43 V	70欧姆
1N4937T/r	0.0400	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4937	标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4937T/RTR	8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.2 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
1N4737ABULK	0.1800	RFQ	3	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4737ABULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 5 V						7.5 v	4欧姆
BA159Bulk	0.2100	RFQ	17	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BA159BULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1000 v	1.3 V @ 1 A	250 ns	5 µA @ 1000 V	-65°C〜150°C	1a	20pf @ 4V，1MHz
FR205T/r。	0.0800	RFQ	9	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-FR205T/RTR	8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.3 V @ 2 A	250 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	2a	15pf @ 4V，1MHz
1N4732T/r	0.0900	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4732T/RTR	8541.10.0000	5,000			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V						4.7 v	8欧姆
1N756ABULK	0.2100	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N756ABULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 1 V						8.2 v	8欧姆
1N754ABULK	0.2100	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N754ABULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 1 V						6.8 v	5欧姆
FR307Bulk	0.2400	RFQ	8	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-FR307Bulk	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1000 v	1.3 V @ 3 A	500 ns	10 µA @ 1000 V	-65°C〜150°C	3a	60pf @ 4V，1MHz
1N5250BBULK	0.1800	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5250BBULK	8541.10.0000	500			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 15 V						20 v	25欧姆
SN13	0.0420	RFQ	50	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		SMA（do-214ac）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-SN13TR	8541.10.0000	10,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1300 v	1 V @ 1 A	2 µs	2 µA @ 1300 V	-65°C〜175°C	1a	30pf @ 4V，1MHz
1N4740ABULK	0.1800	RFQ	21	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4740ABULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 7.6 V						10 v	7欧姆
1N5817BULK	0.2100	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		肖特基		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5817Bulk	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	450 MV @ 1 A		1 ma @ 20 V	-65°C〜125°C	1a	110pf @ 4V，1MHz
1N5930BT/r。	0.1300	RFQ	40	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5930BT/RTR	8541.10.0000	5,000					1 µA @ 12.2 V						16 V	10欧姆
1N4007C.BO	0.1300	RFQ	5	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-1N4007C.BO		5,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（455）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²