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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5339B | 0.2600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 5 w | do-15 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N5339BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 1欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N5360B | 0.1150 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 盒子 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 5 w | do-15 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N5360B | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 V @ 1 A | 500 na @ 19 V | 25 v | 4欧姆 | ||||||||||||
![]() | 1N4743A | 0.1800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 盒子 | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N4743A | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 9.9 V | 13 V | 10欧姆 | ||||||||||||
![]() | 1N4746A | 0.1000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 盒子 | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N4746A | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 20欧姆 | ||||||||||||
![]() | 1N5341B | 0.4360 | ![]() | 24 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 5 w | do-15 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N5341BTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 1 µA @ 3 V | 6.2 v | 1欧姆 | ||||||||||||
![]() | 1N4740A | 0.1050 | ![]() | 21 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 盒子 | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N4740A | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 7.6 V | 10 v | 7欧姆 | ||||||||||||
![]() | 1N4745A | 0.5750 | ![]() | 4 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N4745ATR | 8541.10.0000 | 4,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 16欧姆 | ||||||||||||
![]() | sf16-bulk | 0.2200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-SF16-bulk | 8541.10.0000 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 1a | 50pf @ 4V,1MHz | |||||||||
![]() | RGP02-20E-ULK | 0.2900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-RGP02-20E-bulk | 8541.10.0000 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2000 v | 1.8 V @ 100 mA | 300 ns | 5 µA @ 2000 V | -65°C〜150°C | 500mA | 5pf @ 4V,1MHz | |||||||||
![]() | Z1180-T/R。 | 0.0800 | ![]() | 30 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-Z1180-T/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 136.8 V | 180 v | 1200欧姆 | |||||||||||
![]() | SS1D | 0.1300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | SMA(do-214ac) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-SS1DTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 1a | 50pf @ 4V,1MHz | |||||||||
![]() | SS3D/b | 0.4400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-SS3D/BTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 3a | 50pf @ 4V,1MHz | |||||||||
![]() | Z1110-T/R。 | 0.1800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-Z1110-T/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 83.6 V | 110 v | 450欧姆 | |||||||||||
![]() | KBL402 | 1.1000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBL | 标准 | KBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-KBL402 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 4 A | 10 µA @ 200 V | 4 a | 单相 | 200 v | |||||||||||
![]() | BR610 | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,BR-6 | 标准 | BR-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-BR610 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 1000 V | 6 a | 单相 | 1 kV | |||||||||||
![]() | By399 | 0.2400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-By399 | 8541.10.0000 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.25 V @ 3 A | 250 ns | 10 µA @ 800 V | -65°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V,1MHz | |||||||||
![]() | KBL401 | 1.0200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBL | 标准 | KBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-KBL401 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 4 A | 10 µA @ 100 V | 4 a | 单相 | 100 v | |||||||||||
![]() | KBL408 | 1.1800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBL | 标准 | KBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-KBL408 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 4 A | 10 µA @ 800 V | 4 a | 单相 | 800 v | |||||||||||
![]() | BR810 | 1.2200 | ![]() | 400 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方,BR-10 | 标准 | BR-10 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-BR810 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V @ 4 A | 10 µA @ 1000 V | 8 a | 单相 | 1 kV | |||||||||||
![]() | 1N754ABULK | 0.2100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | ±5% | 175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N754ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 V @ 200 ma | 100 na @ 1 V | 6.8 v | 5欧姆 | ||||||||||||
![]() | FBR3506 | 3.5300 | ![]() | 150 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 4平方英尺,BR-50 | 标准 | BR-50 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-FBR3506 | 8541.10.0000 | 50 | 1.3 V @ 17.5 A | 10 µA @ 600 V | 35 a | 单相 | 600 v | ||||||||||||
![]() | DR206T/r。 | 0.0600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 标准 | do-15 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-DR206T/RTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 2a | 75pf @ 4V,1MHz | |||||||||||
![]() | Her303t/r | 0.1700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-HER303T/RTR | 8541.10.0000 | 1,250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 3a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||||||||
![]() | BR601 | 0.6800 | ![]() | 800 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,BR-6 | 标准 | BR-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-BR601 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 100 V | 6 a | 单相 | 100 v | ||||||||||||
![]() | Her506t/r | 0.2800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-HER506T/RTR | 8541.10.0000 | 1,250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 5 A | 75 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 5a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||||||||
![]() | BA158散装 | 0.2100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-BA158BULK | 8541.10.0000 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V,1MHz | ||||||||||
![]() | BYD13GBULK | 0.2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 雪崩 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-BYD13GBULK | 8541.10.0000 | 500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.05 V @ 1 A | 1 µA @ 400 V | 175°C | 1.4a | - | |||||||||||
![]() | HER105BULK | 0.2400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-HER105BULK | 8541.10.0000 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 1a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||||||||
![]() | BA159Bulk | 0.2100 | ![]() | 17 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-BA159BULK | 8541.10.0000 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V,1MHz | ||||||||||
![]() | BR3508 | 2.8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 4平方英尺,BR-50 | 标准 | BR-50 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-BR3508 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 800 V | 35 a | 单相 | 800 v |
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