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离散半导体产品（（455）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
BR600	0.7300	RFQ	2	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-6		标准		BR-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BR600	8541.10.0000	200			1 V @ 3 A		10 µA @ 50 V		6 a		单相	50 V
1N4005T/r	0.0300	RFQ	75	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-1N4005T/RTR		5,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
BR5006	4.0000	RFQ	300	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-50		标准		BR-50	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BR5006	8541.10.0000	50			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 600 V		50 a		单相	600 v
By399	0.2400	RFQ	3	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-By399	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	800 v	1.25 V @ 3 A	250 ns	10 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	3a	60pf @ 4V，1MHz
KBL401	1.0200	RFQ	2	EIC半导体公司	-	包	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL		标准		KBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-KBL401	8541.10.0000	100			1.1 V @ 4 A		10 µA @ 100 V		4 a		单相	100 v
KBL408	1.1800	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL		标准		KBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-KBL408	8541.10.0000	100			1.1 V @ 4 A		10 µA @ 800 V		4 a		单相	800 v
FBR3506	3.5300	RFQ	150	EIC半导体公司	-	包	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-50		标准		BR-50	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-FBR3506	8541.10.0000	50			1.3 V @ 17.5 A		10 µA @ 600 V		35 a		单相	600 v
BYD13GBULK	0.2100	RFQ	5	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		雪崩		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BYD13GBULK	8541.10.0000	500	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.05 V @ 1 A		1 µA @ 400 V	175°C	1.4a	-
BR3508	2.8900	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-50		标准		BR-50	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BR3508	8541.10.0000	50			1.1 V @ 17.5 A		10 µA @ 800 V		35 a		单相	800 v
BR802	0.9100	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方，BR-10		标准		BR-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BR802	8541.10.0000	200			1 V @ 4 A		10 µA @ 200 V		8 a		单相	200 v
Her306Bulk	0.2800	RFQ	2	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-HER306BULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.7 V @ 3 A	75 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	3a	50pf @ 4V，1MHz
RBV1004	1.3800	RFQ	2	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RBV-25		标准		RBV-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-RBV1004	8541.10.0000	100			1 V @ 5 A		10 µA @ 400 V		10 a		单相	400 v
RBV2508	1.7400	RFQ	700	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RBV-25		标准		RBV-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-RBV2508	8541.10.0000	100			1.1 V @ 12.5 A		10 µA @ 800 V		25 a		单相	800 v
W04	0.2100	RFQ	8	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4圆，WOB		标准		wob	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-W04Tr	8541.10.0000	500			1 V @ 1 A		10 µA @ 400 V		1.5 a		单相	400 v
1N4746A	0.1000	RFQ	3	EIC半导体公司	-	盒子	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4746A	8541.10.0000	1,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V						18 V	20欧姆
1N4148T/r	0.0130	RFQ	350	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4148	标准		do-35	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-1N4148T/RTR		5,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	175°C	150mA	-
1N5406卷	0.1800	RFQ	26	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5406Bulk	8541.10.0000	500	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	950 mv @ 3 a		5 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	3a	28pf @ 4V，1MHz
1N4735ABULK	0.1800	RFQ	2	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4735ABULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V						6.2 v	2欧姆
1N4741T/r	0.0600	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4741T/RTR	8541.10.0000	5,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 8.4 V						11 V	8欧姆
1N5243BBULK	0.1800	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5243BBULK	8541.10.0000	500			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 9.9 V						13 V	13欧姆
1N4743T/r	0.0500	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4743T/RTR	8541.10.0000	5,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 9.9 V						13 V	10欧姆
1N751ABULK	0.2100	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N751ABULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V						5.1 v	17欧姆
1N5361BBULK	0.3800	RFQ	10	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204ac，do-15，轴向			5 w	do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5361BBULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 20.6 V						27 V	5欧姆
1N4736ABULK	0.1800	RFQ	13	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4736ABULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 4 V						6.8 v	3.5欧姆
RBV2502	1.5900	RFQ	500	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RBV-25		标准		RBV-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-RBV2502	8541.10.0000	100			1.1 V @ 12.5 A		10 µA @ 200 V		25 a		单相	200 v
1N4748A	0.0600	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4748ATR	8541.10.0000	5,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 16.7 V						22 v	23欧姆
KBL402	1.1000	RFQ	2	EIC半导体公司	-	包	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL		标准		KBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-KBL402	8541.10.0000	100			1.1 V @ 4 A		10 µA @ 200 V		4 a		单相	200 v
FR303T/r。	0.1300	RFQ	5	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-FR303T/RTR	8541.10.0000	1,250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.3 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	3a	60pf @ 4V，1MHz
HER108T/r。	0.1100	RFQ	5	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-HER108T/RTR	8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1000 v	1.7 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 1000 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
1N753ABULK	0.2100	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N753ABULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 1 V						6.2 v	7欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（455）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²