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离散半导体产品（（455）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5407裸体	0.1800	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向	标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5407Bulk	8541.10.0000	500	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	950 mv @ 3 a		5 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	3a	28pf @ 4V，1MHz
1N4007卷	0.1800	RFQ	17	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	标准		do-41	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-1N4007BULK		1,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
MR760	0.7500	RFQ	350	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	D-6，轴向	标准		D6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-MR760	8541.10.0000	800	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	900 mv @ 6 a		25 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	22a	-
1N4744A	0.0650	RFQ	100	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1 w	do-41	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N474444ATR	8541.10.0000	5,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 11.4 V						15 v	14欧姆
MR854Bulk	0.2100	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向	标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-MR854Bulk	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.25 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	3a	28pf @ 4V，1MHz
1N5405蓝色	0.1800	RFQ	15	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向	标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5405Bulk	8541.10.0000	500	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	500 v	1 V @ 3 A		5 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	3a	28pf @ 4V，1MHz
HER102T/r。	0.0500	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-HER102T/RTR	8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
FR102Bulk	0.2100	RFQ	38	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-FR102Bulk	8541.10.0000	600	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
HER101BULK	0.2100	RFQ	7	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-HER101BULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
1N4934批量	0.1800	RFQ	90	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4934Bulk	8541.10.0000	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.2 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
HER102BULK	0.2100	RFQ	5	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-HER102BULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
SN1P	0.1300	RFQ	15	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	标准		SMA（do-214ac）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-SN1PTR	8541.10.0000	10,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1600 v	2.2 V @ 1 A		5 µA @ 1600 V	-40°C〜150°C	1a	36pf @ 4V，1MHz
1N4004T/r	0.0230	RFQ	20	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	标准		do-41	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-1N4004T/RTR		5,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
1N4933T/r	0.0400	RFQ	70	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4933T/RTR	8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.2 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
MBRA210L	0.3900	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	肖特基		SMA（do-214ac）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-MBRA210L	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	10 v	350 mv @ 2 a		700 µA @ 10 V	-65°C〜150°C	2a	-
1N4763A	0.0600	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4763ATR	8541.10.0000	2,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 69.2 V						91 v	250欧姆
SF28-T/R。	0.1600	RFQ	6	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向	标准		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-SF28-T/RTR	8541.10.0000	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	800 v	4 V @ 2 A	35 ns	20 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	2a	50pf @ 4V，1MHz
1N4730AT/r。	0.1500	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1 w	do-41	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-1N4730AT/RTR		5,000			1.2 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V						3.9 v	9欧姆
1N5234BT/r。	0.0400	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5234BT/RTR	8541.10.0000	5,000			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V						6.2 v	7欧姆
Her305t/r	0.2000	RFQ	5	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向	标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-HER305T/RTR	8541.10.0000	1,250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	3a	50pf @ 4V，1MHz
FR306T/r。	0.1500	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向	标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-FR306T/RTR	8541.10.0000	1,250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	800 v	1.3 V @ 3 A	500 ns	10 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	3a	60pf @ 4V，1MHz
3EZ150D5	0.2100	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		3 W	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-3EZ150D5	8541.10.0000	500			1.5 V @ 200 ma		500 NA @ 114 V						150 v	550欧姆
1N4732ABULK	0.1200	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1 w	do-41	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-1N4732ABULK		1,000			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V						4.7 v	8欧姆
1N4005块	0.1300	RFQ	7	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	标准		do-41	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-1N4005典型		1,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
1N5226BBULK	0.1800	RFQ	5	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5226BBULK	8541.10.0000	500			1.1 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V						3.3 v	28欧姆
1N749AT/r。	0.0300	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N749AT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.2 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V						4.3 v	22欧姆
15HCB	0.0400	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-15HCBTR	8541.10.0000	5,000
1N748ABULK	0.2100	RFQ	14	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N748ABULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V						3.9 v	23欧姆
RBV804	1.2800	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RBV-25	标准		RBV-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-RBV804	8541.10.0000	100			1 V @ 4 A		10 µA @ 400 V		8 a		单相	400 v
BR801	1.3500	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方，BR-10	标准		BR-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BR801	8541.10.0000	200			1 V @ 4 A		10 µA @ 100 V		8 a		单相	100 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（455）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²