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离散半导体产品（（455）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Her305t/r	0.2000	RFQ	5	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向	标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-HER305T/RTR	8541.10.0000	1,250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	3a	50pf @ 4V，1MHz
15HCB	0.0400	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-15HCBTR	8541.10.0000	5,000
SR1J	0.0593	RFQ	5	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	标准		SMA（do-214ac）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-SR1JTR	8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
MR854Bulk	0.2100	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向	标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-MR854Bulk	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.25 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	3a	28pf @ 4V，1MHz
1N5400T/r。	0.0900	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向	标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5400T/RTR	8541.10.0000	1,250	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	50 V	950 mv @ 3 a		5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	3a	28pf @ 4V，1MHz
1N5377777abulk	0.3300	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的	±10％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204ac，do-15，轴向		5 w	do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5377ABULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 65.5 V						91 v	75欧姆
HER101T/r。	0.0500	RFQ	15	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-HER101T/RTR	8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
1N4934批量	0.1800	RFQ	90	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4934Bulk	8541.10.0000	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.2 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
Z1190-T/R。	0.0600	RFQ	5	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-Z1190-T/RTR	8541.10.0000	5,000			1.2 V @ 200 ma								190 v
1N749ABULK	0.2100	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N749ABULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V						4.3 v	22欧姆
1N5246BBULK	0.1800	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5246BBULK	8541.10.0000	500			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 12 V						16 V	17欧姆
1N5822T/r	0.3700	RFQ	2	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向	肖特基		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5822T/RTR	8541.10.0000	1,250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	525 mv @ 3 a		2 ma @ 40 V	-65°C〜125°C	3a	-
1N4730AT/r。	0.1500	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1 w	do-41	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-1N4730AT/RTR		5,000			1.2 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V						3.9 v	9欧姆
1N5396Bulk	0.1800	RFQ	20	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5396Bulk	8541.10.0000	500	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	500 v	1.1 V @ 1.5 A		5 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	1.5a	15pf @ 4V，1MHz
1N4004T/r	0.0230	RFQ	20	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	标准		do-41	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-1N4004T/RTR		5,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
1N5233BBULK	0.1800	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5233BBULK	8541.10.0000	500			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V						6 V	7欧姆
FBR804	1.3800	RFQ	200	EIC半导体公司	-	包	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方，BR-10	标准		BR-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-FBR804	8541.10.0000	200			1.3 V @ 4 A		10 µA @ 400 V		8 a		单相	400 v
1N4756A	0.1800	RFQ	9	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4756A	8541.10.0000	1,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 35.8 V						47 V	80欧姆
1N5241BT/r。	0.0400	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5241BT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 8.4 V						11 V	22欧姆
BYD33GBULK	0.2100	RFQ	5	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	雪崩		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BYD33GBULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.3 V @ 1 A	250 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1.3a	-
1N5362BT/R。	0.1100	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204ac，do-15，轴向		5 w	do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5362BT/RTR	8541.10.0000	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 21.2 V						28 V	6欧姆
BR5000	2.8100	RFQ	250	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-50	标准		BR-50	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BR5000	8541.10.0000	50			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 50 V		50 a		单相	50 V
HER102BULK	0.2100	RFQ	5	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-HER102BULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
1N5234BT/r。	0.0400	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5234BT/RTR	8541.10.0000	5,000			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V						6.2 v	7欧姆
1N4738ABULK	0.1800	RFQ	3	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4738ABULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 6 V						8.2 v	4.5欧姆
FR103Bulk	0.2100	RFQ	38	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-FR103Bulk	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
FR303Bulk	0.2100	RFQ	5	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向	标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-FR303Bulk	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.3 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	3a	60pf @ 4V，1MHz
1N4738	0.0500	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1 w	do-41	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4738TR	8541.10.0000	5,000			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 6 V						8.2 v	4.5欧姆
1N4959	0.1800	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204ac，do-15，轴向		5 w	do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4959	8541.10.0000	1,000			1.5 V @ 1 A		10 µA @ 8.4 V						11 V	2.5欧姆
1N4728ABULK	0.1500	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1 w	do-41	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-1N4728ABULK		1,000			1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V						3.3 v	10欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（455）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²