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离散半导体产品（（455）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
BR3504W	2.5900	RFQ	600	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-50W		标准		BR-50W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-BR3504W	8541.10.0000	40			1.1 V @ 17.5 A		10 µA @ 400 V		35 a		单相	400 v
1N757AT/r。	0.0300	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-1N757AT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 1 V						9.1 v	10欧姆
KBP210	0.8500	RFQ	200	EIC半导体公司	-	包	积极的		-50°C〜125°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBP		标准		KBP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-KBP210	8541.10.0000	100			1 V @ 1 A		10 µA @ 1000 V		2 a		单相	1 kV
FR102Bulk	0.2100	RFQ	38	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-FR102Bulk	8541.10.0000	600	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
AR3504	0.3100	RFQ	1	EIC半导体公司	汽车	包	积极的			表面安装	微型按钮		标准		微型按钮	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-AR3504	8541.10.0000	500	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.1 V @ 35 A		5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	35a	-
1N748ABULK	0.2100	RFQ	14	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-1N748ABULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V						3.9 v	23欧姆
HER101T/r。	0.0500	RFQ	15	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-HER101T/RTR	8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
HER108BULK	0.2400	RFQ	2	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-HER108BULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1000 v	1.7 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 1000 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
1N5819Bulk	0.2100	RFQ	3	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5819	肖特基		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-1N5819Bulk	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	600 mV @ 1 A		1 mA @ 40 V	-65°C〜125°C	1a	110pf @ 4V，1MHz
BR3500	2.6600	RFQ	500	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-50		标准		BR-50	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-BR3500	8541.10.0000	50			1.1 V @ 17.5 A		10 µA @ 50 V		35 a		单相	50 V
Her302Bulk	0.2400	RFQ	7	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-HER302BULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	3a	50pf @ 4V，1MHz
BR1510	2.6600	RFQ	450	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-50		标准		BR-50	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-BR1510	8541.10.0000	50			1.1 V @ 7.5 A		10 µA @ 1000 V		15 a		单相	1 kV
HER107BULK	0.2400	RFQ	15	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-HER107BULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	800 v	1.7 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
MR854Bulk	0.2100	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-MR854Bulk	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.25 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	3a	28pf @ 4V，1MHz
HER101BULK	0.2100	RFQ	7	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-HER101BULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
FR306T/r。	0.1500	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-FR306T/RTR	8541.10.0000	1,250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	800 v	1.3 V @ 3 A	500 ns	10 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	3a	60pf @ 4V，1MHz
BR2502	2.6300	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-50		标准		BR-50	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-BR2502	8541.10.0000	50			1.1 V @ 12.5 A		10 µA @ 200 V		25 a		单相	200 v
BR2500	2.5400	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-50		标准		BR-50	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-BR2500	8541.10.0000	50			1.1 V @ 12.5 A		10 µA @ 50 V		25 a		单相	50 V
1N749ABULK	0.2100	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-1N749ABULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V						4.3 v	22欧姆
FR305T/r。	0.1400	RFQ	11	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-FR305T/RTR	8541.10.0000	1,250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.3 V @ 3 A	250 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	3a	60pf @ 4V，1MHz
BR804	0.9200	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方，BR-10		标准		BR-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-BR804	8541.10.0000	200			1 V @ 4 A		10 µA @ 400 V		8 a		单相	400 v
3EZ150D5	0.2100	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			3 W	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-3EZ150D5	8541.10.0000	500			1.5 V @ 200 ma		500 NA @ 114 V						150 v	550欧姆
MR850T/R。	0.1100	RFQ	1	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-MR850T/RTR	8541.10.0000	1,250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.25 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	3a	28pf @ 4V，1MHz
Her305t/r	0.2000	RFQ	5	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-HER305T/RTR	8541.10.0000	1,250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	3a	50pf @ 4V，1MHz
FR103Bulk	0.2100	RFQ	38	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-FR103Bulk	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
BYD33GBULK	0.2100	RFQ	5	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		雪崩		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-BYD33GBULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.3 V @ 1 A	250 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1.3a	-
HER102T/r。	0.0500	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-HER102T/RTR	8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
FBR804	1.3800	RFQ	200	EIC半导体公司	-	包	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方，BR-10		标准		BR-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-FBR804	8541.10.0000	200			1.3 V @ 4 A		10 µA @ 400 V		8 a		单相	400 v
HER103T/r。	0.0500	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-HER103T/RTR	8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
1N749AT/r。	0.0300	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-1N749AT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.2 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V						4.3 v	22欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（455）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²