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离散半导体产品（（455）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 htsus 标准包 速度 电流 -峰值输出 电压 -崩溃 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 当前 -崩溃
RBV604 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV604 1.1600
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV604 8541.10.0000 100 1 V @ 3 A 10 µA @ 400 V 6 a 单相 400 v
RBV800 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV800 1.0900
RFQ
 ECAD 700 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV800 8541.10.0000 100 1 V @ 4 A 10 µA @ 50 V 8 a 单相 50 V
RBV600 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV600 0.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV600 8541.10.0000 100 1 V @ 3 A 10 µA @ 50 V 6 a 单相 50 V
RBV1006 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1006 1.4600
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV1006 8541.10.0000 100 1 V @ 5 A 10 µA @ 600 V 10 a 单相 600 v
RBV3504 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV3504 2.3100
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV3504 8541.10.0000 100 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 400 V 35 a 单相 400 v
RBV2506 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2506 2.0600
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV2506 8541.10.0000 100 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 600 V 25 a 单相 600 v
RBV1008 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1008 1.4600
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV1008 8541.10.0000 100 1 V @ 5 A 10 µA @ 800 V 10 a 单相 800 v
1N5256BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5256BT/R。 0.0400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5256BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 23 V 30 V 49欧姆
1N5244BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5244BBULK 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5244BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 10 V 14 V 15欧姆
BR1502 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1502 2.3500
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 4平方英尺，BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-BR1502 8541.10.0000 50 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 200 V 15 a 单相 200 v
1N5351A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5351A 0.1330
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 do-204ac，do-15，轴向 5 w do-15 - rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5351ATR 8541.10.0000 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 10.1 V 14 V 2.5欧姆
1N5253BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5253BT/R。 0.0400
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5253BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 19 V 25 v 35欧姆
D32BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. D32Bulk 0.2500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜100°C（TJ） 轴向 M1a 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-d32bulk 8541.10.0000 500 2 a 27〜37V 100 µA
1N5255BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5255BBULK 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5255BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 21 V 28 V 44欧姆
SR1R EIC SEMICONDUCTOR INC. sr1r 0.2500
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 do-214ac，SMA 标准 SMA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-Sr1rtr 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2000 v 3 V @ 500 MA 200 ns 5 µA @ 2000 V -40°C〜150°C 500mA 5pf @ 4V，1MHz
1N5393T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5393T/r 0.0400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5393T/RTR 8541.10.0000 5,000 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1.5a 15pf @ 4V，1MHz
BR1004 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1004 0.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4平方，BR-10 标准 BR-10 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-BR1004 8541.10.0000 200 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 400 V 10 a 单相 400 v
1N5246BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5246BT/r。 0.0400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5246BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 12 V 16 V 17欧姆
RBV2510 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2510 2.3100
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV2510 8541.10.0000 100 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 1000 V 25 a 单相 1 kV
1N5241BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5241BBULK 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5241BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 8.4 V 11 V 22欧姆
1N4728AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4728AT/R。 0.0500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1 w do-41 - rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-1N4728AT/RTR 5,000 1.2 V @ 200 ma 100 µA @ 1 V 3.3 v 10欧姆
1N4743BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4743Bulk 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±10％ -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N4743Bulk 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 9.9 V 13 V 10欧姆
1N755AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N755AT/r。 0.0300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N755AT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.2 V @ 200 ma 100 na @ 1 V 7.5 v 6欧姆
1N5230BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5230BBULK 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5230BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 2 V 4.7 v 19欧姆
FR105T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR105T/r。 0.0400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-FR105T/RTR 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.3 V @ 1 A 250 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜150°C 1a 50pf @ 4V，1MHz
1N5396T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5396T/r 0.0400
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5396T/RTR 8541.10.0000 5,000 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 500 v 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 500 V -65°C〜175°C 1.5a 15pf @ 4V，1MHz
1N5229BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5229BT/R。 0.0400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5229BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 22欧姆
SF56-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. SF56-bulk 0.6700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 通过洞 DO-201 AD，轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-SF56-bulk 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.7 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜150°C 5a 50pf @ 4V，1MHz
1N4739ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4739ABULK 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N4739ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 7 V 9.1 v 5欧姆
KBP204 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBP204 0.8500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -50°C〜125°C（TJ） 通过洞 4-SIP，KBP 标准 KBP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-KBP204 8541.10.0000 100 1 V @ 1 A 10 µA @ 400 V 2 a 单相 400 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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