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离散半导体产品（（455）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N752AT/r。	0.0300	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N752AT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V						5.6 v	11欧姆
BR606	0.7600	RFQ	3	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-6		标准		BR-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BR606	8541.10.0000	200			1 V @ 3 A		10 µA @ 600 V		6 a		单相	600 v
FR302T/r。	0.1100	RFQ	2	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-FR302T/RTR	8541.10.0000	1,250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.3 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	3a	60pf @ 4V，1MHz
Her301t/r	0.1500	RFQ	5	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-HER301T/RTR	8541.10.0000	1,250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	3a	50pf @ 4V，1MHz
FR102T/r。	0.0300	RFQ	25	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-FR102T/RTR	8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
FR304T/r。	0.1300	RFQ	3	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-FR304T/RTR	8541.10.0000	1,250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.3 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	3a	60pf @ 4V，1MHz
1N5927BT/R。	0.1300	RFQ	5	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5927BT/RTR	8541.10.0000	5,000					1 µA @ 9.1 V						12 v	6.5欧姆
BR1502M	2.3500	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-50		标准		BR-50	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BR1502M	8541.10.0000	50			1.1 V @ 7.5 A		10 µA @ 200 V		15 a		单相	200 v
1N5819ST/r。	0.0400	RFQ	25	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5819	肖特基		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5819ST/RTR	8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	600 mV @ 1 A		1 mA @ 40 V	-65°C〜125°C	1a	110pf @ 4V，1MHz
1N4730ABULK	0.1500	RFQ	3	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-1N4730ABULK		1,000			1.2 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V						3.9 v	9欧姆
KBP208	0.8500	RFQ	2	EIC半导体公司	-	包	积极的		-50°C〜125°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBP		标准		KBP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-KBP208	8541.10.0000	100			1 V @ 1 A		10 µA @ 800 V		2 a		单相	800 v
BR1010	1.1700	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方，BR-10		标准		BR-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-BR1010	8541.10.0000	200			1.1 V @ 5 A		10 µA @ 1000 V		10 a		单相	1 kV
1N4752ABULK	0.1800	RFQ	9	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4752ABULK	8541.10.0000	1,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 25.1 V						33 V	45欧姆
1N5225BBULK	0.1800	RFQ	500	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5225BBULK	8541.10.0000	500			1.1 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V						3 V	29欧姆
1N5255BT/R。	0.0850	RFQ	20	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5255BT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 21 V						28 V	44欧姆
1N5240BT/r。	0.0400	RFQ	20	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5240BT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 8 V						10 v	17欧姆
1N4935散装	0.1800	RFQ	51	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4935Bulk	8541.10.0000	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.2 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
1N4750A	0.1800	RFQ	11	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4750A	8541.10.0000	1,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 20.6 V						27 V	35欧姆
1N5236BBULK	0.1800	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5236BBULK	8541.10.0000	500			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6 V						7.5 v	6欧姆
1N5234BBULK	0.1800	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5234BBULK	8541.10.0000	500			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V						6.2 v	7欧姆
1N5231BBULK	0.1800	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5231BBULK	8541.10.0000	500			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V						5.1 v	17欧姆
1N4732AG	0.1800	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4732AG	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V						4.7 v	8欧姆
1N5357BBULK	0.3800	RFQ	12	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204ac，do-15，轴向			5 w	do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5357BBULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 15.2 V						20 v	3欧姆
1N5349BBULK	0.3600	RFQ	3	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204ac，do-15，轴向			5 w	do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5349BBULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 1 A		2 µA @ 9.1 V						12 v	2.5欧姆
1N4732AT/R。	0.0600	RFQ	5	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4732AT/RTR	8541.10.0000	5,000			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V						4.7 v	8欧姆
1N5360BBULK	0.4000	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204ac，do-15，轴向			5 w	do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5360BBULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 1 A		500 na @ 19 V						25 v	4欧姆
1N4972	0.1800	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204ac，do-15，轴向			5 w	do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4972	8541.10.0000	1,000			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 29.7 V						39 v	14欧姆
1N4736AT/R。	0.0500	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4736AT/RTR	8541.10.0000	5,000			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 4 V						6.8 v	3.5欧姆
1N5358BBULK	0.3800	RFQ	500	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204ac，do-15，轴向			5 w	do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5358BBULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 16.7 V						22 v	3.5欧姆
1N5251BT/r。	0.0400	RFQ	20	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5251BT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 17 V						22 v	29欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（455）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²