SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
1N5393T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5393T/r 0.0400
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5393T/RTR 8541.10.0000 5,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1.5a 15pf @ 4V,1MHz
1N4736AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4736AT/R。 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4736AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 4 V 6.8 v 3.5欧姆
1N5361AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5361AT/r。 0.1500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5361AT/RTR 8541.10.0000 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 19.4 V 27 V 5欧姆
1N5256BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5256BT/R。 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5256BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 23 V 30 V 49欧姆
1N4757AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4757AT/R。 0.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4757AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 38.8 V 51 v 95欧姆
1N5351A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5351A 0.1330
RFQ
ECAD 6 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 - rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5351ATR 8541.10.0000 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 10.1 V 14 V 2.5欧姆
1N5229BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5229BT/R。 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5229BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 22欧姆
1N5360BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5360BBULK 0.4000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5360BBULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 A 500 na @ 19 V 25 v 4欧姆
HER304BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Her304散装 0.2500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-HER304BULK 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.1 V @ 3 A 50 ns 10 µA @ 300 V -65°C〜150°C 3a 50pf @ 4V,1MHz
1N757ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N757ABULK 0.2100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N757ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 100 na @ 1 V 9.1 v 10欧姆
SF54-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. sf54-bulk 0.6400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-SF54-ULK 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 mv @ 5 a 35 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C 5a 50pf @ 4V,1MHz
1N4738A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4738A 0.0500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 盒子 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 - rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4738A 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 6 V 8.2 v 4.5欧姆
1N5338B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5338B 0.2600
RFQ
ECAD 12 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 - rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5338BTR Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 1 V 5.1 v 1.5欧姆
FR102T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR102T/r。 0.0300
RFQ
ECAD 25 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-FR102T/RTR 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜150°C 1a 50pf @ 4V,1MHz
FR304T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR304T/r。 0.1300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-FR304T/RTR 8541.10.0000 1,250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜150°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
BR1502M EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1502M 2.3500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR1502M 8541.10.0000 50 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 200 V 15 a 单相 200 v
BY133T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. by133t/r 0.0400
RFQ
ECAD 140 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BY133T/RTR 8541.10.0000 5,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1300 v 1.1 V @ 1 A 1.5 µs 5 µA @ 1300 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
BR1506 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1506 2.4100
RFQ
ECAD 200 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR1506 8541.10.0000 50 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 600 V 15 a 单相 600 v
KBL406M EIC SEMICONDUCTOR INC. KBL406M 1.1800
RFQ
ECAD 800 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBL 标准 KBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-kbl406m 8541.10.0000 100 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 600 V 4 a 单相 600 v
BR806 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR806 0.9100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4平方,BR-10 标准 BR-10 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR806 8541.10.0000 200 1 V @ 4 A 10 µA @ 600 V 8 a 单相 600 v
BYV96E T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. byv96e t/r。 0.0800
RFQ
ECAD 18 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 雪崩 do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BYV96ET/RTR 8541.10.0000 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.6 V @ 1.5 A 300 ns 5 µA @ 1000 V 175°C 1.5a -
BR5001 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5001 2.9300
RFQ
ECAD 900 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR5001 8541.10.0000 50 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 100 V 50 a 单相 100 v
BZX55C18T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. BZX55C18T/r。 0.0300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BZX55C18T/RTR 8541.10.0000 500 1 V @ 100 ma 100 na @ 13 V 18 V 50欧姆
BR3501 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3501 2.6900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR3501 8541.10.0000 50 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 100 V 35 a 单相 100 v
BR3506 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3506 3.1300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR3506 8541.10.0000 50 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 600 V 35 a 单相 600 v
1N4752ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4752ABULK 0.1800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4752ABULK 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 25.1 V 33 V 45欧姆
1N5234BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5234BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5234BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 6.2 v 7欧姆
1N4736BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4736Bulk 0.2000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±10% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4736Bulk 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 4 V 6.8 v 3.5欧姆
1N4746ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4746ABULK 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4746ABULK 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 13.7 V 18 V 20欧姆
1N4751AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4751AT/r。 0.0600
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4751AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 22.8 V 30 V 40欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库