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离散半导体产品（（455）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
FR102T/r。	0.0300	RFQ	25	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-FR102T/RTR	8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
FR304T/r。	0.1300	RFQ	3	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-FR304T/RTR	8541.10.0000	1,250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.3 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	3a	60pf @ 4V，1MHz
1N5927BT/R。	0.1300	RFQ	5	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5927BT/RTR	8541.10.0000	5,000					1 µA @ 9.1 V						12 v	6.5欧姆
BR1502M	2.3500	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-50		标准		BR-50	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BR1502M	8541.10.0000	50			1.1 V @ 7.5 A		10 µA @ 200 V		15 a		单相	200 v
1N5819ST/r。	0.0400	RFQ	25	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5819	肖特基		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5819ST/RTR	8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	600 mV @ 1 A		1 mA @ 40 V	-65°C〜125°C	1a	110pf @ 4V，1MHz
KBP208	0.8500	RFQ	2	EIC半导体公司	-	包	积极的		-50°C〜125°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBP		标准		KBP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-KBP208	8541.10.0000	100			1 V @ 1 A		10 µA @ 800 V		2 a		单相	800 v
BR1010	1.1700	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方，BR-10		标准		BR-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-BR1010	8541.10.0000	200			1.1 V @ 5 A		10 µA @ 1000 V		10 a		单相	1 kV
KBL400	1.0000	RFQ	900	EIC半导体公司	-	包	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL		标准		KBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-KBL400	8541.10.0000	100			1.1 V @ 4 A		10 µA @ 50 V		4 a		单相	50 V
FR304Bulk	0.2100	RFQ	2	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-FR304Bulk	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.3 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	3a	60pf @ 4V，1MHz
Her303Bulk	0.2500	RFQ	2	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-HER303BULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	3a	50pf @ 4V，1MHz
3EZ330D5T/r	0.2100	RFQ	9	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			3 W	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-3EZ330D5T/RTR	8541.10.0000	5,000			2 V @ 200 ma		1 µA @ 251 V						330 v	2200欧姆
BR2504	2.9600	RFQ	650	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-50		标准		BR-50	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BR2504	8541.10.0000	50			1.1 V @ 12.5 A		10 µA @ 400 V		25 a		单相	400 v
HER104BULK	0.2400	RFQ	10	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-HER104BULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	300 v	1.1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 300 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
1N757ABULK	0.2100	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N757ABULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 1 V						9.1 v	10欧姆
Her304散装	0.2500	RFQ	8	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-HER304BULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	300 v	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-65°C〜150°C	3a	50pf @ 4V，1MHz
1N759ABULK	0.2100	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N759ABULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 1 V						12 v	30欧姆
by133t/r	0.0400	RFQ	140	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BY133T/RTR	8541.10.0000	5,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1300 v	1.1 V @ 1 A	1.5 µs	5 µA @ 1300 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
BR1000	0.9400	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方，BR-10		标准		BR-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BR1000	8541.10.0000	200			1.1 V @ 5 A		10 µA @ 50 V		10 a		单相	50 V
MR850BULK	0.2100	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-MR850BULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.25 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	3a	28pf @ 4V，1MHz
1N914T/r	0.0300	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N914T/RTR	8541.10.0000	10,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	75mA	4pf @ 0v，1MHz
1N746ABULK	0.2100	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N746ABULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V						3.3 v	28欧姆
FR306Bulk	0.2100	RFQ	5	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-FR306Bulk	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	800 v	1.3 V @ 3 A	500 ns	10 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	3a	60pf @ 4V，1MHz
byd13dbulk	0.2100	RFQ	5	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		雪崩		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BYD13DBULK	8541.10.0000	500	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.05 V @ 1 A		1 µA @ 200 V	175°C	1.4a	-
Mura110	0.8500	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		SMA（do-214ac）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-MURA110	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	875 mv @ 1 a	30 ns	2 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	2a	-
BR608	0.8900	RFQ	3	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-6		标准		BR-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BR608	8541.10.0000	200			1 V @ 3 A		10 µA @ 800 V		6 a		单相	800 v
BR1506	2.4100	RFQ	200	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-50		标准		BR-50	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BR1506	8541.10.0000	50			1.1 V @ 7.5 A		10 µA @ 600 V		15 a		单相	600 v
2EZ15D5BULK	0.2100	RFQ	5	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			2 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-2ez15d5555 bulk	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 11.4 V						15 v	7欧姆
FR104T/r	0.0400	RFQ	30	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-FR104T/RTR	8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
KBL406M	1.1800	RFQ	800	EIC半导体公司	-	包	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL		标准		KBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-kbl406m	8541.10.0000	100			1.1 V @ 4 A		10 µA @ 600 V		4 a		单相	600 v
1N5915BBULK	0.2500	RFQ	5	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5915BBULK	8541.10.0000	500					25 µA @ 1 V						3.9 v	7.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（455）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²