SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 htsus 标准包 速度 电流 -峰值输出 电压 -崩溃 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 当前 -崩溃
1N5360B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5360B 0.1150
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 盒子 积极的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 - rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5360B 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 A 500 na @ 19 V 25 v 4欧姆
SN1K EIC SEMICONDUCTOR INC. sn1k 0.0382
RFQ
ECAD 45 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA 标准 SMA(do-214ac) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-SN1KTR 8541.10.0000 5,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1 V @ 1 A 2 µs 2 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 30pf @ 4V,1MHz
KBL401 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBL401 1.0200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBL 标准 KBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-KBL401 8541.10.0000 100 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 100 V 4 a 单相 100 v
D32PBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. D32pbulk 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜100°C(TJ) do-204al,do-41,轴向 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-d32pbulk 8541.10.0000 500 2 a 27〜37V 100 µA
SS1D EIC SEMICONDUCTOR INC. SS1D 0.1300
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA 标准 SMA(do-214ac) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-SS1DTR 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜150°C 1a 50pf @ 4V,1MHz
1N4148T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4148T/r 0.0130
RFQ
ECAD 350 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4148 标准 do-35 - rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-1N4148T/RTR 5,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 75 v 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µA @ 75 V 175°C 150mA -
FR303T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR303T/r。 0.1300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-FR303T/RTR 8541.10.0000 1,250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
RGP02-16E-T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. RGP02-16E-T/R。 0.1600
RFQ
ECAD 100 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RGP02-16E-T/RTR 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1600 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1600 V -65°C〜150°C 500mA 5pf @ 4V,1MHz
HER506T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Her506t/r 0.2800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-HER506T/RTR 8541.10.0000 1,250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 5 A 75 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜150°C 5a 50pf @ 4V,1MHz
1N4738A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4738A 0.0500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 盒子 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 - rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4738A 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 6 V 8.2 v 4.5欧姆
BY133T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. by133t/r 0.0400
RFQ
ECAD 140 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BY133T/RTR 8541.10.0000 5,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1300 v 1.1 V @ 1 A 1.5 µs 5 µA @ 1300 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
BR1506 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1506 2.4100
RFQ
ECAD 200 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR1506 8541.10.0000 50 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 600 V 15 a 单相 600 v
KBL406M EIC SEMICONDUCTOR INC. KBL406M 1.1800
RFQ
ECAD 800 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBL 标准 KBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-kbl406m 8541.10.0000 100 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 600 V 4 a 单相 600 v
BR806 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR806 0.9100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4平方,BR-10 标准 BR-10 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR806 8541.10.0000 200 1 V @ 4 A 10 µA @ 600 V 8 a 单相 600 v
BYV96E T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. byv96e t/r。 0.0800
RFQ
ECAD 18 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 雪崩 do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BYV96ET/RTR 8541.10.0000 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.6 V @ 1.5 A 300 ns 5 µA @ 1000 V 175°C 1.5a -
BR5001 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5001 2.9300
RFQ
ECAD 900 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR5001 8541.10.0000 50 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 100 V 50 a 单相 100 v
BR3501 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3501 2.6900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR3501 8541.10.0000 50 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 100 V 35 a 单相 100 v
BR3506 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3506 3.1300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR3506 8541.10.0000 50 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 600 V 35 a 单相 600 v
FR102T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR102T/r。 0.0300
RFQ
ECAD 25 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-FR102T/RTR 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜150°C 1a 50pf @ 4V,1MHz
FR304T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR304T/r。 0.1300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-FR304T/RTR 8541.10.0000 1,250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜150°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
BR1502M EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1502M 2.3500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR1502M 8541.10.0000 50 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 200 V 15 a 单相 200 v
1N5234BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5234BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5234BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 6.2 v 7欧姆
1N4736BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4736Bulk 0.2000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±10% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4736Bulk 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 4 V 6.8 v 3.5欧姆
1N4746ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4746ABULK 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4746ABULK 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 13.7 V 18 V 20欧姆
1N4751AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4751AT/r。 0.0600
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4751AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 22.8 V 30 V 40欧姆
1N5395BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5395卷 0.1800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5395Bulk 8541.10.0000 500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1.5a 15pf @ 4V,1MHz
RBV810 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV810 1.3000
RFQ
ECAD 700 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV810 8541.10.0000 100 1 V @ 4 A 10 µA @ 1000 V 8 a 单相 1 kV
RBV2506 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2506 2.0600
RFQ
ECAD 100 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV2506 8541.10.0000 100 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 600 V 25 a 单相 600 v
RBV1008 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1008 1.4600
RFQ
ECAD 900 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV1008 8541.10.0000 100 1 V @ 5 A 10 µA @ 800 V 10 a 单相 800 v
1N4728AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4728AT/R。 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 - rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-1N4728AT/RTR 5,000 1.2 V @ 200 ma 100 µA @ 1 V 3.3 v 10欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库