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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -峰值输出 | 电压 -崩溃 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 当前 -崩溃 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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![]() | 1N5244bt/r | 0.0400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N5244BT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 10 V | 14 V | 15欧姆 | |||||||||||||||
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![]() | BR610 | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,BR-6 | 标准 | BR-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-BR610 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 1000 V | 6 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||||||
![]() | 1N5393 | 0.1800 | ![]() | 60 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N5393 | 8541.10.0000 | 500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1.5a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||
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![]() | 1N5242BBULK | 0.1800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | ±5% | 175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N5242BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 v | 30欧姆 | |||||||||||||||
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![]() | D32pbulk | 0.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜100°C(TJ) | do-204al,do-41,轴向 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-d32pbulk | 8541.10.0000 | 500 | 2 a | 27〜37V | 100 µA | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4001 | 0.0240 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-1N4001 | 1,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||
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![]() | 1N5363BBULK | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 5 w | do-15 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N5363BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 22.8 V | 30 V | 8欧姆 | |||||||||||||||
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![]() | 1N4756AT/r。 | 0.0600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N4756AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 35.8 V | 47 V | 80欧姆 | |||||||||||||||
![]() | 1N752ABULK | 0.2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | ±5% | 175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N752ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 1 V | 5.6 v | 11欧姆 | |||||||||||||||
![]() | 1N4740A | 0.1050 | ![]() | 21 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 盒子 | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N4740A | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 7.6 V | 10 v | 7欧姆 | |||||||||||||||
![]() | 1N4004BULK | 0.0900 | ![]() | 38 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-1N4004Bulk | 1,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz |
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