SIC
close

离散半导体产品（（455）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 htsus 标准包 速度 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
RBV2502 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2502 1.5900
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV2502 8541.10.0000 100 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 200 V 25 a 单相 200 v
RBV1004 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1004 1.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV1004 8541.10.0000 100 1 V @ 5 A 10 µA @ 400 V 10 a 单相 400 v
RBV5010 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5010 3.9300
RFQ
 ECAD 260 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV5010 8541.10.0000 100 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 1000 V 50 a 单相 1 kV
RBV1506D EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1506D 1.6500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV1506D 8541.10.0000 50 1.1 V @ 15 A 10 µA @ 600 V 15 a 单相 600 v
RBV1001 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1001 1.2400
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV1001 8541.10.0000 100 1 V @ 5 A 10 µA @ 100 V 10 a 单相 100 v
RBV2502D EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2502D 1.7400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV2502D 8541.10.0000 100 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 200 V 25 a 单相 200 v
RBV2504 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2504 1.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV2504 8541.10.0000 100 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 400 V 25 a 单相 400 v
RBV2508 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2508 1.7400
RFQ
 ECAD 700 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV2508 8541.10.0000 100 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 800 V 25 a 单相 800 v
RBV606 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV606 1.1000
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV606 8541.10.0000 100 1 V @ 3 A 10 µA @ 600 V 6 a 单相 600 v
1N5353BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5353BBULK 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 do-204ac，do-15，轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5353BBULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 12.2 V 16 V 2.5欧姆
FR205T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR205T/r。 0.0800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 do-204ac，do-15，轴向 标准 do-15 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-FR205T/RTR 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.3 V @ 2 A 250 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜150°C 2a 15pf @ 4V，1MHz
1N4741ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4741ABULK 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N4741ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 8.4 V 11 V 8欧姆
RGP02-16E-T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. RGP02-16E-T/R。 0.1600
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RGP02-16E-T/RTR 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1600 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1600 V -65°C〜150°C 500mA 5pf @ 4V，1MHz
1N5399T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5399T/r 0.0400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5399T/RTR 8541.10.0000 5,000 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1.5a 15pf @ 4V，1MHz
FR101T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR101T/r。 0.0400
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-FR101T/RTR 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜150°C 1a 50pf @ 4V，1MHz
1N756ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N756ABULK 0.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N756ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 100 na @ 1 V 8.2 v 8欧姆
BR801 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR801 1.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4平方，BR-10 标准 BR-10 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-BR801 8541.10.0000 200 1 V @ 4 A 10 µA @ 100 V 8 a 单相 100 v
BR5002 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5002 2.8900
RFQ
 ECAD 850 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 4平方英尺，BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-BR5002 8541.10.0000 50 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 200 V 50 a 单相 200 v
KBP206 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBP206 0.8500
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -50°C〜125°C（TJ） 通过洞 4-SIP，KBP 标准 KBP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-KBP206 8541.10.0000 100 1 V @ 1 A 10 µA @ 600 V 2 a 单相 600 v
1N4755AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4755AT/R。 0.0600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N4755AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 32.7 V 43 V 70欧姆
1N5250BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5250BBULK 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5250BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 15 V 20 v 25欧姆
1N4749A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4749A 0.1800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N4749A 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 18.2 V 24 V 25欧姆
BYD13MBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Byd13mbulk 0.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 雪崩 do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-BYD13MBULK 8541.10.0000 500 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.05 V @ 1 A 1 µA @ 1000 V 175°C 1.4a -
1N4005T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4005T/r 0.0300
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 标准 do-41 - rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-1N4005T/RTR 5,000 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V，1MHz
1N4937T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4937T/r 0.0400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1N4937 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N4937T/RTR 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.2 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜150°C 1a 15pf @ 4V，1MHz
1N5251BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5251BBULK 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5251BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 17 V 22 v 29欧姆
1N4748A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4748A 0.0600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1 w do-41 - rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N4748ATR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 16.7 V 22 v 23欧姆
RBV804 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV804 1.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV804 8541.10.0000 100 1 V @ 4 A 10 µA @ 400 V 8 a 单相 400 v
1N4742A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4742A 0.0510
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1 w do-41 - rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N4742ATR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 9.1 V 12 v 9欧姆
MR854T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. MR854T/r。 0.1100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 DO-201 AD，轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-MR854T/RTR 8541.10.0000 1,250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.25 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜150°C 3a 28pf @ 4V，1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭