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离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）
RM18P100HDE	0.3400	RFQ	4578	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM18P100HDETR		8541.10.0080	8,000			P通道	100 v	18A（TC）	10V	100mohm @ 16a，10v	3V @ 250µA		±20V	1300 pf @ 25 V	-	70W（TC）
RM21N650TI	1.2500	RFQ	1150	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM21N650TI		8541.10.0080	5,000			n通道	650 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA		±30V	2600 PF @ 50 V	-	33.8W（TC）
RM48N100D3	0.2980	RFQ	7315	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM48N100D3TR		8541.10.0080	25,000			n通道	100 v	48A（TC）	4.5V，10V	13.6mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA		+20V，-12V	3280 pf @ 50 V	-	61W（TC）
RM15P60LD	0.1500	RFQ	6517	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM15P60LDTR		8541.10.0080	25,000			P通道	60 V	13A（TC）	10V	90mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	1080 pf @ 15 V	-	31.2W（TC）
RM5N800T2	0.6700	RFQ	6990	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM5N800T2		8541.10.0080	5,000			n通道	800 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA		±30V	1320 PF @ 50 V	-	98W（TC）
MMSZ4692T	0.0400	RFQ	9101	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-	表面安装	SC-79，SOD-523			300兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2516-MMSZ4692TTR	Ear99	8541.10.0080	8,000															900 mv @ 10 ma		10 µA @ 5.1 V						6.8 v
RS403L	0.7800	RFQ	5017	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-4L		标准		RS-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RS403L	Ear99	8541.10.0080	1,500															1.05 V @ 4 A		2 µA @ 200 V		4 a		单相	200 v
RM4503S8	0.1900	RFQ	1978年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RM4503	MOSFET （金属 o化物）	2.5W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM4503S8TR		8541.10.0080	40,000	n和p通道			30V	10a（10a），9.1A（9.1A）		10mohm @ 10a，10v，20mohm @ 9.1a，10v	3V @ 250µA	13nc @ 4.5V，30nc @ 10V		1550pf @ 15V，1600pf @ 15V	-
RM2301E	0.0410	RFQ	1997	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM2301ETR		8541.10.0080	30,000			P通道	20 v	2.6a（ta）	2.5V，4.5V	120MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 250µA		±10V	325 pf @ 10 V	-	1W（ta）
FM2000	0.0490	RFQ	9339	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-FM2000TR	Ear99	8541.10.0080	60,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												2000 v	1.1 V @ 1 A	2 µs	2 µA @ 2000 V	-55°C 〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
RM2N650IP	0.3000	RFQ	7388	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM2N650IP		8541.10.0080	40,000			n通道	650 v	2A（TC）	10V	2.5OHM @ 1A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	190 pf @ 50 V	-	23W（TC）
R1500	0.0310	RFQ	1136	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-R1500Tr	Ear99	8541.10.0080	20,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1500 v	1.1 V @ 1 A		5 µA @ 1500 V	-65°C〜175°C	1a	-
4RS202M	0.5200	RFQ	7703	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-2M		标准		RS-2M	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-4RS202M	Ear99	8541.10.0080	3,600															1.1 V @ 4 A		2 µA @ 100 V		4 a		单相	100 v
FR106-T	0.0250	RFQ	1153	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-FR106-TTR	Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												800 v	1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
R2000-T	0.0480	RFQ	8935	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-R2000-TTR	Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1.3 V @ 1 A		5 µA @ 2000 V	-65°C〜175°C	1a	-
FFM1500W	0.0420	RFQ	5569	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-FFM1500WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1500 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1500 V	-55°C〜150°C	500mA	15pf @ 4V，1MHz
RM2003	0.0620	RFQ	9948	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	RM200	MOSFET （金属 o化物）	800MW（TA）	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM2003Tr		8541.10.0080	30,000	n和p通道			20V	3A（3A）		35mohm @ 3A，4.5V，75MOHM @ 2.5A，4.5V	1.2V @ 250µA，1V @ 250µA	5NC @ 4.5V，3.2NC @ 4.5V		260pf @ 10V，325pf @ 10V	-
RM25N30DN	0.1400	RFQ	8606	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM25N30DNTR		8541.10.0080	25,000			n通道	30 V	25A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA		±20V	1530 pf @ 15 V	-	25W（TC）
2N7002KA	0.0420	RFQ	3372	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-2N7002KATR		8541.10.0080	30,000			n通道	60 V	115ma（ta）	5V，10V	3ohm @ 500mA，10v	2V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	225MW（TA）
R4000F	0.1300	RFQ	7007	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-r4000ftr	Ear99	8541.10.0080	20,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												4000 v	6.5 V @ 200 ma	500 ns	5 µA @ 4000 V	-55°C〜150°C	200mA	30pf @ 4V，1MHz
RM8N650IP	0.5200	RFQ	9897	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM8N650IP		8541.10.0080	4,000			n通道	650 v	8A（TC）	10V	540MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	680 pf @ 50 V	-	80W（TC）
FM1200W	0.0420	RFQ	2283	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-FM1200WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1200 v	2 V @ 500 MA		5 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	500mA	35pf @ 4V，1MHz
RM138	0.0320	RFQ	3450	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM138TR		8541.10.0080	30,000			n通道	50 V	220mA（ta）	4.5V，10V	3.5OHM @ 220mA，10V	1.4V @ 250µA		±20V	27 PF @ 25 V	-	350MW（TA）
1003m卢比	0.4700	RFQ	5116	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，卢比1M		标准		卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RS103M	Ear99	8541.10.0080	3,400															1.1 V @ 1 A		2 µA @ 200 V		1 a		单相	200 v
DRS303K	0.4500	RFQ	1839年	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-ESIP		标准		D3K	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-DRS303K	Ear99	8541.10.0080	9,000															1.1 V @ 3 A		1 µA @ 200 V		3 a		单相	200 v
FM1500W	0.0420	RFQ	1448	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-FM1500WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1500 v	2 V @ 500 MA		5 µA @ 1500 V	-55°C〜150°C	500mA	35pf @ 4V，1MHz
RM8N700TI	0.6800	RFQ	7906	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM8N700TI		8541.10.0080	5,000			n通道	700 v	8a（TJ）	10V	600MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	680 pf @ 50 V	-	31.7W（TC）
RC206	0.4400	RFQ	4944	美国直发	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆，RC-2		标准		RC-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RC206	Ear99	8541.10.0080	6,000															1.05 V @ 2 A		200 NA @ 800 V		2 a		单相	800 v
RM140N82T2	0.5400	RFQ	9860	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM140N82T2TR		8541.10.0080	5,000			n通道	82 v	140a（TC）	10V	6mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA		±20V	7900 PF @ 40 V	-	220W（TC）
RM80N30DF	0.1600	RFQ	3287	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM80N30DFTR		8541.10.0080	40,000			n通道	30 V	81A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 30a，10V	2.5V @ 250µA		±20V	2295 pf @ 15 V	-	59W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²