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离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
RM6N800HD	0.7900	RFQ	3479	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6N800HDTR		8541.10.0080	8,000			n通道		800 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA		±30V	1320 PF @ 50 V	-	98W（TC）
RM27P30LD	0.1500	RFQ	5544	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM27P30LDTR		8541.10.0080	25,000			P通道		30 V	27a（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	930 PF @ 15 V	-	31.3W（TC）
RM40N600T7	1.3200	RFQ	1226	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RM40N	标准		306 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM40N600T7		8541.10.0080	300				400V，40a，10ohm，15V													151 ns					沟渠场停止	600 v	80 a	160 a	2V @ 15V，40a	1.12mj（在）（610µJ）上）	149 NC	21NS/203NS
RM40N200TI	0.7600	RFQ	2452	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM40N200TI		8541.10.0080	5,000			n通道		200 v	40a（ta）	10V	41mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA		±20V	6500 PF @ 25 V	-	60W（TA）
rmp3n90ld	0.3300	RFQ	3260	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-rmp3n90ld		8541.10.0080	4,000			n通道		900 v	3A（TC）	10V	3.2OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA		±30V	850 pf @ 25 V	-	50W（TC）
RM80N30LD	0.1900	RFQ	3404	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N30LDTR		8541.10.0080	25,000			n通道		30 V	80A（TC）	5V，10V	6.5MOHM @ 30a，10v	3V @ 250µA		±20V	2330 pf @ 15 V	-	83W（TC）
RL1N1200F	0.0380	RFQ	9354	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	轴向			标准		A-405	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RL1N1200FTR	Ear99	8541.10.0080	20,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1200 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
RM7N600IP	0.5500	RFQ	9307	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK			MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM7N600IP		8541.10.0080	4,000			n通道		600 v	7A（TC）	10V	580MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA		±30V	587 PF @ 50 V	-	63W（TC）
RM2003	0.0620	RFQ	9948	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	RM200		MOSFET （金属 o化物）	800MW（TA）	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2003Tr		8541.10.0080	30,000	n和p通道				20V	3A（3A）		35mohm @ 3A，4.5V，75MOHM @ 2.5A，4.5V	1.2V @ 250µA，1V @ 250µA	5NC @ 4.5V，3.2NC @ 4.5V		260pf @ 10V，325pf @ 10V	-
RM48N100D3	0.2980	RFQ	7315	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM48N100D3TR		8541.10.0080	25,000			n通道		100 v	48A（TC）	4.5V，10V	13.6mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA		+20V，-12V	3280 pf @ 50 V	-	61W（TC）
RM21N650T2	1.2500	RFQ	7279	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM21N650T2		8541.10.0080	5,000			n通道		650 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA		±30V	2600 PF @ 50 V	-	188W（TC）
FM1200W	0.0420	RFQ	2283	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	do-214ac，SMA			标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FM1200WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1200 v	2 V @ 500 MA		5 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	500mA	35pf @ 4V，1MHz
1f16	0.0550	RFQ	9660	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	R-1，轴向			标准		R-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-1F16TR	Ear99	8541.10.0080	20,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1600 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1600 V	-55°C〜150°C	500mA	15pf @ 4V，1MHz
RMD1N25ES9	0.0600	RFQ	7475	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			MOSFET （金属 o化物）		SOT-363-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RMD1N25ES9TR		8541.10.0080	30,000			n通道		25 v	1.1A（TA）	2.5V，4.5V	600mohm @ 500mA，4.5V	1.1V @ 250µA		±12V	30 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
RS2002ML	1.2000	RFQ	6423	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-20毫升			标准		RS-20毫升	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS2002ML	Ear99	8541.10.0080	2,000																1 V @ 10 A		5 µA @ 100 V		20 a										单相	100 v
2505m卢比	1.3500	RFQ	300	美国直发	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-25M			标准		25m卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS2505M	Ear99	8541.10.0080	300																1 V @ 12.5 A		500 NA @ 600 V		25 a										单相	600 v
RS803	0.9100	RFQ	6192	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-8			标准		RS-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS803	Ear99	8541.10.0080	1,600																1.2 V @ 8 A		5 µA @ 200 V		8 a										单相	200 v
RM12N650TI	0.6700	RFQ	5804	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM12N650TI		8541.10.0080	5,000			n通道		650 v	11.5A（TC）	10V	360MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA		±30V	870 pf @ 50 V	-	32.6W（TC）
R3000F-B	0.0930	RFQ	7573	美国直发	-	大部分	积极的		通过洞	do-204ac，do-15，轴向			标准		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-R3000F-B	Ear99	8541.10.0080	1,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														5 V @ 200 ma	500 ns	5 µA @ 3000 V	-55°C〜150°C	200mA	30pf @ 4V，1MHz
RM75N60T2	0.3600	RFQ	9812	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM75N60T2		8541.10.0080	5,000			n通道		60 V	75A（TC）	10V	11.5MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA		±20V	2350 pf @ 25 V	-	110W（TC）
FM1600W	0.0420	RFQ	6113	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	do-214ac，SMA			标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FM1600WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1600 v	2 V @ 500 MA		5 µA @ 1600 V	-55°C〜150°C	500mA	35pf @ 4V，1MHz
RM4P20ES6	0.0690	RFQ	2421	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4P20ES6TR		8541.10.0080	30,000			P通道		20 v	3A（3A），4.1A（4.1A）（TC）	2.5V，4.5V	52MOHM @ 4.1A，4.5V	1V @ 250µA		±12V	740 pf @ 4 V	-	1.7W（TA）
RM2301E	0.0410	RFQ	1997	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2301ETR		8541.10.0080	30,000			P通道		20 v	2.6a（ta）	2.5V，4.5V	120MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 250µA		±10V	325 pf @ 10 V	-	1W（ta）
RM12N100S8	0.3800	RFQ	9381	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM12N100S8TR		8541.10.0080	40,000			n通道		100 v	12a（12a）	4.5V，10V	10mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	2250 pf @ 50 V	-	3.1W（TA）
FM806C-W-AT1	0.0790	RFQ	1001	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	DO-214AB，SMC			标准		DO-214AB（SMC）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FM806C-W-AT1TR	Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														1.05 V @ 8 A		300 NA @ 800 V	-55°C〜150°C	8a	-
1N4004-T	0.0220	RFQ	5949	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204al，do-41，轴向			标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-1N4004-T.TR	Ear99	8541.10.0080	10,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														1 V @ 1 A		200 na @ 1000 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
R1800F	0.0520	RFQ	7205	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204al，do-41，轴向			标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-R1800FTR	Ear99	8541.10.0080	20,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1800 v	2.5 V @ 500 mA	500 ns	5 µA @ 1800 V	-65°C〜175°C	500mA	-
RS404L	0.7800	RFQ	2	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-4L			标准		RS-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS404L	Ear99	8541.10.0080	1,500																1.05 V @ 4 A		2 µA @ 400 V		4 a										单相	400 v
1S40-T	0.0550	RFQ	9988	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	R-1，轴向			肖特基		R-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-1S40-TTR	Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														550 mv @ 1 a		200 µA @ 40 V	150°C	1a	110pf @ 4V，1MHz
MD3S	0.3300	RFQ	7040	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼			标准		MD-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MD3STR	Ear99	8541.10.0080	24,000																1 V @ 400 MA		1 µA @ 200 V		800 MA										单相	200 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²