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离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
RM40N40LD	0.1450	RFQ	4107	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM40N40LDTR		8541.10.0080	25,000		n通道	40 V	42A（TC）	4.5V，10V	11.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	±20V	1314 PF @ 15 V	-	34.7W（TC）
RM12N650TI	0.6700	RFQ	5804	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM12N650TI		8541.10.0080	5,000		n通道	650 v	11.5A（TC）	10V	360MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	±30V	870 pf @ 50 V	-	32.6W（TC）
RBU1503M	0.7900	RFQ	6891	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，rbu	标准	RBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RBU1503M	Ear99	8541.10.0080	2,000													1 V @ 7.5 A	500 na @ 200 V		15 a		单相	200 v
rmp3n90ld	0.3300	RFQ	3260	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-rmp3n90ld		8541.10.0080	4,000		n通道	900 v	3A（TC）	10V	3.2OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	±30V	850 pf @ 25 V	-	50W（TC）
RM35P30LD	0.1450	RFQ	4886	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM35P30LDTR		8541.10.0080	25,000		P通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	1345 PF @ 15 V	-	34.7W（TC）
BR104	0.9800	RFQ	5989	美国直发	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-8	标准	BR-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-BR104	Ear99	8541.10.0080	1,600													1.1 V @ 5 A	5 µA @ 400 V		6 a		单相	400 v
RM47N600T7	2.9600	RFQ	3602	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM47N600T7		8541.10.0080	1,800		n通道	600 v	47A（TJ）	10V	81MOHM @ 15.6A，10V	4V @ 250µA	±20V	3111.9 pf @ 25 V	-	417W
MP3510W	2.2000	RFQ	1778年	美国直发	-	托盘	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，MP-25W	标准	MP-25W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-mp3510w	Ear99	8541.10.0080	1,000													1.05 V @ 17.5 A	500 NA @ 1000 V		35 a		单相	1 kV
RM7N600LD	0.5800	RFQ	4789	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM7N600LD		8541.10.0080	4,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	580MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	±30V	587 PF @ 50 V	-	63W（TC）
HVM5	1.3100	RFQ	9107	美国直发	-	大部分	积极的		通过洞	轴向	标准	HVM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-HVM5	Ear99	8541.10.0080	1,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）											5000 v	8 V @ 350 MA	5 µA @ 5000 V	-20°C〜150°C	350mA	-
RM170N30DF	0.6900	RFQ	5272	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM170N30DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道	30 V	170a（TC）	4.5V，10V	1.65MOHM @ 85A，10V	2V @ 250µA	±20V	7300 PF @ 15 V	-	75W（TC）
RM30P30D3	0.2200	RFQ	5866	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM30P30D3TR		8541.10.0080	25,000		P通道	30 V	30a（TA）	4.5V，10V	10mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	±20V	2150 pf @ 25 V	-	40W（TA）
RS803	0.9100	RFQ	6192	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-8	标准	RS-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS803	Ear99	8541.10.0080	1,600													1.2 V @ 8 A	5 µA @ 200 V		8 a		单相	200 v
MB4S-W	0.0370	RFQ	3547	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	标准	MD-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MB4S-WTR	Ear99	8541.10.0080	3,000													1.05 V @ 500 mA	5 µA @ 400 V		500 MA		单相	400 v
RM80N30LD	0.1900	RFQ	3404	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N30LDTR		8541.10.0080	25,000		n通道	30 V	80A（TC）	5V，10V	6.5MOHM @ 30a，10v	3V @ 250µA	±20V	2330 pf @ 15 V	-	83W（TC）
RM12N100S8	0.3800	RFQ	9381	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM12N100S8TR		8541.10.0080	40,000		n通道	100 v	12a（12a）	4.5V，10V	10mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	2250 pf @ 50 V	-	3.1W（TA）
RM6N100S4V	0.1600	RFQ	9753	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6N100S4VTR		8541.10.0080	30,000		n通道	100 v	6a（6a）	10V	140MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	±20V	690 pf @ 25 V	-	（3W）（TA）
RM15P30S8	0.2400	RFQ	4839	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM15P30S8TR		8541.10.0080	40,000		P通道	30 V	15A（TA）	10V	12mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	±20V	2900 PF @ 15 V	-	3.1W（TA）
RM7N600IP	0.5500	RFQ	9307	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	MOSFET （金属 o化物）	TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM7N600IP		8541.10.0080	4,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	580MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	±30V	587 PF @ 50 V	-	63W（TC）
RM75N60T2	0.3600	RFQ	9812	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM75N60T2		8541.10.0080	5,000		n通道	60 V	75A（TC）	10V	11.5MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	±20V	2350 pf @ 25 V	-	110W（TC）
RM5N700IP	0.4700	RFQ	8989	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	MOSFET （金属 o化物）	TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N700IP		8541.10.0080	4,000		n通道	700 v	5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	460 pf @ 50 V	-	49W（TC）
RM8N700LD	0.4700	RFQ	1520	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N700LD		8541.10.0080	4,000		n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	±30V	590 pf @ 50 V	-	69W（TC）
RM17N800T2	1.5300	RFQ	9008	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM17N800T2		8541.10.0080	5,000		n通道	800 v	17A（TA）	10V	320MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	±30V	2060 pf @ 50 V	-	260W（TC）
RM1216	0.1200	RFQ	9882	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	MOSFET （金属 o化物）	6-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM1216TR		8541.10.0080	25,000		P通道	12 v	16A（TC）	2.5V，4.5V	18mohm @ 6.7a，4.5V	1V @ 250µA	±12V	2700 PF @ 10 V	-	18W（TC）
RM5N150S8	0.4000	RFQ	8016	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N150S8		8541.10.0080	300		n通道	150 v	4.6a（ta）	4.5V，10V	75MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	±20V	625 PF @ 75 V	-	3.1W（TA）
RM50N150DF	0.6400	RFQ	1275	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50N150DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道	150 v	50A（TC）	10V	19mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	±20V	5200 PF @ 50 V	-	100W（TC）
RM40N200TI	0.7600	RFQ	2452	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM40N200TI		8541.10.0080	5,000		n通道	200 v	40a（ta）	10V	41mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	±20V	6500 PF @ 25 V	-	60W（TA）
RM3400	0.4100	RFQ	7462	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3400Tr		8541.10.0080	30,000		n通道	30 V	5.8A（ta）	2.5V，10V	41MOHM @ 5.8A，10V	1.4V @ 250µA	±12V	820 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
RM130N200T7	4.3000	RFQ	8471	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM130N200T7		8541.10.0080	1,800		n通道	200 v	132a（TC）	10V	10.9MOHM @ 20a，10v	4V @ 250µA	±20V	4970 pf @ 100 V	-	429W（TC）
RM2312	0.0440	RFQ	5226	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2312TR		8541.10.0080	30,000		n通道	20 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	33MOHM @ 4.5A，4.5V	1.2V @ 250µA	±12V	500 pf @ 8 V	-	1.25W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²