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离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
MB4S-W	0.0370	RFQ	3547	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	标准	MD-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MB4S-WTR	Ear99	8541.10.0080	3,000											1.05 V @ 500 mA	5 µA @ 400 V	500 MA	单相	400 v
RM80N30LD	0.1900	RFQ	3404	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N30LDTR		8541.10.0080	25,000	n通道	30 V	80A（TC）	5V，10V	6.5MOHM @ 30a，10v	3V @ 250µA	±20V	2330 pf @ 15 V	-	83W（TC）
RM185N30DF	0.7300	RFQ	8931	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM185N30DFTR		8541.10.0080	40,000	n通道	30 V	185a（TC）	4.5V，10V	1.4MOHM @ 95A，10V	2V @ 250µA	±20V	8800 pf @ 15 V	-	95W（TC）
RM5N800T2	0.6700	RFQ	6990	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N800T2		8541.10.0080	5,000	n通道	800 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	±30V	1320 PF @ 50 V	-	98W（TC）
RM47N600T7	2.9600	RFQ	3602	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM47N600T7		8541.10.0080	1,800	n通道	600 v	47A（TJ）	10V	81MOHM @ 15.6A，10V	4V @ 250µA	±20V	3111.9 pf @ 25 V	-	417W
RM35P30LD	0.1450	RFQ	4886	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM35P30LDTR		8541.10.0080	25,000	P通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	1345 PF @ 15 V	-	34.7W（TC）
RM12N100S8	0.3800	RFQ	9381	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM12N100S8TR		8541.10.0080	40,000	n通道	100 v	12a（12a）	4.5V，10V	10mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	2250 pf @ 50 V	-	3.1W（TA）
RMD1N25ES9	0.0600	RFQ	7475	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MOSFET （金属 o化物）	SOT-363-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RMD1N25ES9TR		8541.10.0080	30,000	n通道	25 v	1.1A（TA）	2.5V，4.5V	600mohm @ 500mA，4.5V	1.1V @ 250µA	±12V	30 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
RM2333A	0.0680	RFQ	4902	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM233333ATR		8541.10.0080	30,000	P通道	12 v	6a（6a）	2.5V，4.5V	30mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	±12V	1100 pf @ 6 V	-	1.8W（TA）
RM30P30D3	0.2200	RFQ	5866	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM30P30D3TR		8541.10.0080	25,000	P通道	30 V	30a（TA）	4.5V，10V	10mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	±20V	2150 pf @ 25 V	-	40W（TA）
RM6N100S4V	0.1600	RFQ	9753	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6N100S4VTR		8541.10.0080	30,000	n通道	100 v	6a（6a）	10V	140MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	±20V	690 pf @ 25 V	-	（3W）（TA）
RM7N600LD	0.5800	RFQ	4789	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM7N600LD		8541.10.0080	4,000	n通道	600 v	7A（TC）	10V	580MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	±30V	587 PF @ 50 V	-	63W（TC）
RM120N30T2	0.3300	RFQ	1989	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM120N30T2		8541.10.0080	5,000	n通道	30 V	120a（ta）	10V	3.5mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	±20V	3550 pf @ 25 V	-	120W（ta）
RM210N75HD	0.9200	RFQ	2322	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MOSFET （金属 o化物）	TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM210N75HDTR		8541.10.0080	8,000	n通道	75 v	210a（TC）	10V	4mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	±20V	11000 PF @ 25 V	-	330W（TC）
RM5N40S2	0.0690	RFQ	2036	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N40S2TR		8541.10.0080	30,000	n通道	40 V	5A（5A）	4.5V，10V	32MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 250µA	±20V	593 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
RM15P30S8	0.2400	RFQ	4839	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM15P30S8TR		8541.10.0080	40,000	P通道	30 V	15A（TA）	10V	12mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	±20V	2900 PF @ 15 V	-	3.1W（TA）
RM40N40LD	0.1450	RFQ	4107	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM40N40LDTR		8541.10.0080	25,000	n通道	40 V	42A（TC）	4.5V，10V	11.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	±20V	1314 PF @ 15 V	-	34.7W（TC）
RM7N600IP	0.5500	RFQ	9307	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	MOSFET （金属 o化物）	TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM7N600IP		8541.10.0080	4,000	n通道	600 v	7A（TC）	10V	580MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	±30V	587 PF @ 50 V	-	63W（TC）
RM75N60T2	0.3600	RFQ	9812	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM75N60T2		8541.10.0080	5,000	n通道	60 V	75A（TC）	10V	11.5MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	±20V	2350 pf @ 25 V	-	110W（TC）
RM5N700IP	0.4700	RFQ	8989	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	MOSFET （金属 o化物）	TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N700IP		8541.10.0080	4,000	n通道	700 v	5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	460 pf @ 50 V	-	49W（TC）
RM5N800LD	0.6900	RFQ	2148	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N800LDTR		8541.10.0080	25,000	n通道	800 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	680 pf @ 50 V	-	81W（TC）
RM80N100T2	0.5100	RFQ	3123	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N100T2		8541.10.0080	5,000	n通道	100 v	80A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 40a，10v	2.2V @ 250µA	±20V	5480 pf @ 50 V	-	125W（TC）
RM15P60LD	0.1500	RFQ	6517	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM15P60LDTR		8541.10.0080	25,000	P通道	60 V	13A（TC）	10V	90mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	1080 pf @ 15 V	-	31.2W（TC）
RM8N700LD	0.4700	RFQ	1520	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N700LD		8541.10.0080	4,000	n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	±30V	590 pf @ 50 V	-	69W（TC）
RM4N650TI	0.4200	RFQ	7671	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4N650TI		8541.10.0080	5,000	n通道	650 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	280 pf @ 50 V	-	28.5W（TC）
RM17N800T2	1.5300	RFQ	9008	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM17N800T2		8541.10.0080	5,000	n通道	800 v	17A（TA）	10V	320MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	±30V	2060 pf @ 50 V	-	260W（TC）
RM100N65DF	0.6500	RFQ	6339	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM100N65DFTR		8541.10.0080	40,000	n通道	65 v	100A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	+20V，-12V	9500 PF @ 25 V	-	142W（TC）
RM80N30DF	0.1600	RFQ	3287	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N30DFTR		8541.10.0080	40,000	n通道	30 V	81A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 30a，10V	2.5V @ 250µA	±20V	2295 pf @ 15 V	-	59W（TC）
RM21N650TI	1.2500	RFQ	1150	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM21N650TI		8541.10.0080	5,000	n通道	650 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA	±30V	2600 PF @ 50 V	-	33.8W（TC）
RM48N100D3	0.2980	RFQ	7315	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM48N100D3TR		8541.10.0080	25,000	n通道	100 v	48A（TC）	4.5V，10V	13.6mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	+20V，-12V	3280 pf @ 50 V	-	61W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²