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离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
RS1004M-C-LV	1.3500	RFQ	9109	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，卢比10m		标准	10m卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS1004M-C-LV	Ear99	8541.10.0080	1,800													900 mv @ 5 a		5 µA @ 400 V		10 a		单相	400 v
MDA202G	0.5500	RFQ	5728	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-1		标准	RS-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MDA202G	Ear99	8541.10.0080	4,800													1.1 V @ 3.14 A		5 µA @ 200 V		2 a		单相	200 v
RM17N800T2	1.5300	RFQ	9008	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM17N800T2		8541.10.0080	5,000		n通道	800 v	17A（TA）	10V	320MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	±30V	2060 pf @ 50 V	-	260W（TC）
BR104	0.9800	RFQ	5989	美国直发	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-8		标准	BR-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-BR104	Ear99	8541.10.0080	1,600													1.1 V @ 5 A		5 µA @ 400 V		6 a		单相	400 v
DB151L	0.3900	RFQ	7690	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准	DBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-DB151LSTR	Ear99	8541.10.0080	8,000													1 V @ 1.5 A		1 µA @ 50 V		1.5 a		单相	50 V
2RS102M	0.3600	RFQ	2212	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，卢比1M		标准	卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-2RS102M	Ear99	8541.10.0080	5,280													1.1 V @ 2 A		2 µA @ 100 V		2 a		单相	100 v
RM15P30S8	0.2400	RFQ	4839	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM15P30S8TR		8541.10.0080	40,000		P通道	30 V	15A（TA）	10V	12mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	±20V	2900 PF @ 15 V	-	3.1W（TA）
RM8N700LD	0.4700	RFQ	1520	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N700LD		8541.10.0080	4,000		n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	±30V	590 pf @ 50 V	-	69W（TC）
RM50N60DF	0.5600	RFQ	3189	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50N60DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	1.8V @ 250µA	±20V	4000 PF @ 30 V	-	75W（TC）
R2500	0.1100	RFQ	8648	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准	do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-R2500Tr	Ear99	8541.10.0080	20,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度											2500 v	3 V @ 200 ma		5 µA @ 2500 V	-55°C〜150°C	200mA	30pf @ 4V，1MHz
R5000F	0.1600	RFQ	9523	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准	do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-R5000FTR	Ear99	8541.10.0080	4,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度											5000 v	6.5 V @ 200 ma	500 ns	5 µA @ 5000 V	-55°C〜150°C	200mA	30pf @ 4V，1MHz
1f18	0.0550	RFQ	5726	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	R-1，轴向		标准	R-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-1F18TR	Ear99	8541.10.0080	20,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1800 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1800 V	-55°C〜150°C	500mA	15pf @ 4V，1MHz
R4000F	0.1300	RFQ	7007	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准	do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-r4000ftr	Ear99	8541.10.0080	20,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度											4000 v	6.5 V @ 200 ma	500 ns	5 µA @ 4000 V	-55°C〜150°C	200mA	30pf @ 4V，1MHz
RM8N650IP	0.5200	RFQ	9897	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）	TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N650IP		8541.10.0080	4,000		n通道	650 v	8A（TC）	10V	540MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	680 pf @ 50 V	-	80W（TC）
MP2505W	-	RFQ	4969	美国直发	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，MP-25W		标准	MP-25W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MP2505W	Ear99	8541.10.0080	1,000													1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 50 V		25 a		单相	50 V
RBU1503M	0.7900	RFQ	6891	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，rbu		标准	RBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RBU1503M	Ear99	8541.10.0080	2,000													1 V @ 7.5 A		500 na @ 200 V		15 a		单相	200 v
RBU1005M	0.7900	RFQ	750	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，rbu		标准	RBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-rbu1005m	Ear99	8541.10.0080	750													1 V @ 5 A		1 µA @ 600 V		10 a		单相	600 v
SLDB107S	0.1000	RFQ	1	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准	SLDBS	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-SLDB107STR	Ear99	8541.10.0080	5,000													1 V @ 1 A		1 µA @ 1000 V		1 a		单相	1 kV
R3000	0.1100	RFQ	2507	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准	do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-R3000Tr	Ear99	8541.10.0080	4,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度											3000 v	4 V @ 200 ma		5 µA @ 3000 V	-55°C〜150°C	200mA	30pf @ 4V，1MHz
RBU2506M	0.7900	RFQ	7365	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，rbu		标准	RBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RBU2506M	Ear99	8541.10.0080	2,000													1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 800 V		25 a		单相	800 v
RM30N100LD	0.3500	RFQ	2353	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM30N100LDTR		8541.10.0080	25,000		n通道	100 v	30A（TC）	10V	31mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	2000 pf @ 25 V	-	85W（TC）
RM7N600LD	0.5800	RFQ	4789	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM7N600LD		8541.10.0080	4,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	580MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	±30V	587 PF @ 50 V	-	63W（TC）
RS2005ML	1.2000	RFQ	2598	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-20毫升		标准	RS-20毫升	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS2005ML	Ear99	8541.10.0080	2,000													1 V @ 10 A		5 µA @ 600 V		20 a		单相	600 v
RS1503ML	1.0200	RFQ	9657	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-15ML		标准	RS-15毫升	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS1503ML	Ear99	8541.10.0080	2,000													1.1 V @ 7.5 A		200 na @ 200 V		15 a		单相	200 v
RM18P100HDE	0.3400	RFQ	4578	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM18P100HDETR		8541.10.0080	8,000		P通道	100 v	18A（TC）	10V	100mohm @ 16a，10v	3V @ 250µA	±20V	1300 pf @ 25 V	-	70W（TC）
RM170N30DF	0.6900	RFQ	5272	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM170N30DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道	30 V	170a（TC）	4.5V，10V	1.65MOHM @ 85A，10V	2V @ 250µA	±20V	7300 PF @ 15 V	-	75W（TC）
RM70P40LD	0.3800	RFQ	7749	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM70P40LD		8541.10.0080	4,000		P通道	40 V	70A（TC）	10V	10mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	5380 pf @ 20 V	-	130W（TC）
2N7002KA	0.0420	RFQ	3372	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-2N7002KATR		8541.10.0080	30,000		n通道	60 V	115ma（ta）	5V，10V	3ohm @ 500mA，10v	2V @ 250µA	±20V	50 pf @ 25 V	-	225MW（TA）
FFM1000W	0.0420	RFQ	2279	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	do-214ac，SMA		标准	smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FFM1000WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1000 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	500mA	15pf @ 4V，1MHz
RM50P40LD	0.2300	RFQ	2746	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50P40LDTR		8541.10.0080	25,000		P通道	40 V	52A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 18a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	3500 pf @ 15 V	-	52.1W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²