RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
RM4N650TI	0.4200	RFQ	7671	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4N650TI		8541.10.0080	5,000			n通道		650 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	280 pf @ 50 V	-	28.5W（TC）
RM17N800T2	1.5300	RFQ	9008	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM17N800T2		8541.10.0080	5,000			n通道		800 v	17A（TA）	10V	320MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA		±30V	2060 pf @ 50 V	-	260W（TC）
RM100N65DF	0.6500	RFQ	6339	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM100N65DFTR		8541.10.0080	40,000			n通道		65 v	100A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA		+20V，-12V	9500 PF @ 25 V	-	142W（TC）
RM80N30DF	0.1600	RFQ	3287	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N30DFTR		8541.10.0080	40,000			n通道		30 V	81A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 30a，10V	2.5V @ 250µA		±20V	2295 pf @ 15 V	-	59W（TC）
RM21N650TI	1.2500	RFQ	1150	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM21N650TI		8541.10.0080	5,000			n通道		650 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA		±30V	2600 PF @ 50 V	-	33.8W（TC）
RM48N100D3	0.2980	RFQ	7315	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM48N100D3TR		8541.10.0080	25,000			n通道		100 v	48A（TC）	4.5V，10V	13.6mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA		+20V，-12V	3280 pf @ 50 V	-	61W（TC）
RM1216	0.1200	RFQ	9882	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		6-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM1216TR		8541.10.0080	25,000			P通道		12 v	16A（TC）	2.5V，4.5V	18mohm @ 6.7a，4.5V	1V @ 250µA		±12V	2700 PF @ 10 V	-	18W（TC）
RM6N800HD	0.7900	RFQ	3479	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6N800HDTR		8541.10.0080	8,000			n通道		800 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA		±30V	1320 PF @ 50 V	-	98W（TC）
RM5N150S8	0.4000	RFQ	8016	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N150S8		8541.10.0080	300			n通道		150 v	4.6a（ta）	4.5V，10V	75MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA		±20V	625 PF @ 75 V	-	3.1W（TA）
RM80N100AT2	0.5500	RFQ	8599	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N100AT2		8541.10.0080	5,000			n通道		100 v	80A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 40a，10v	4V @ 250a		±20V	5480 pf @ 50 V	-	125W（TC）
RM50N150DF	0.6400	RFQ	1275	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50N150DFTR		8541.10.0080	40,000			n通道		150 v	50A（TC）	10V	19mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA		±20V	5200 PF @ 50 V	-	100W（TC）
RM40N200TI	0.7600	RFQ	2452	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM40N200TI		8541.10.0080	5,000			n通道		200 v	40a（ta）	10V	41mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA		±20V	6500 PF @ 25 V	-	60W（TA）
2N7002K	0.0330	RFQ	9136	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-2N7002KTR		8541.10.0080	30,000			n通道		60 V	300mA（TA）	5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	1.9V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
RM2003	0.0620	RFQ	9948	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	RM200		MOSFET （金属 o化物）	800MW（TA）	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2003Tr		8541.10.0080	30,000	n和p通道				20V	3A（3A）		35mohm @ 3A，4.5V，75MOHM @ 2.5A，4.5V	1.2V @ 250µA，1V @ 250µA	5NC @ 4.5V，3.2NC @ 4.5V		260pf @ 10V，325pf @ 10V	-
RM70P40LD	0.3800	RFQ	7749	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM70P40LD		8541.10.0080	4,000			P通道		40 V	70A（TC）	10V	10mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	5380 pf @ 20 V	-	130W（TC）
RM8N700TI	0.6800	RFQ	7906	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N700TI		8541.10.0080	5,000			n通道		700 v	8a（TJ）	10V	600MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	680 pf @ 50 V	-	31.7W（TC）
RM2N650IP	0.3000	RFQ	7388	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK			MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2N650IP		8541.10.0080	40,000			n通道		650 v	2A（TC）	10V	2.5OHM @ 1A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	190 pf @ 50 V	-	23W（TC）
RM3400	0.4100	RFQ	7462	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3400Tr		8541.10.0080	30,000			n通道		30 V	5.8A（ta）	2.5V，10V	41MOHM @ 5.8A，10V	1.4V @ 250µA		±12V	820 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
RM130N200T7	4.3000	RFQ	8471	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM130N200T7		8541.10.0080	1,800			n通道		200 v	132a（TC）	10V	10.9MOHM @ 20a，10v	4V @ 250µA		±20V	4970 pf @ 100 V	-	429W（TC）
RM2312	0.0440	RFQ	5226	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2312TR		8541.10.0080	30,000			n通道		20 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	33MOHM @ 4.5A，4.5V	1.2V @ 250µA		±12V	500 pf @ 8 V	-	1.25W（TA）
RM40N600T7	1.3200	RFQ	1226	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RM40N	标准		306 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM40N600T7		8541.10.0080	300				400V，40a，10ohm，15V												151 ns					沟渠场停止	600 v	80 a	160 a	2V @ 15V，40a	1.12mj（在）（610µJ）上）	149 NC	21NS/203NS
RM130N100HD	0.7000	RFQ	4397	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM130N100HDTR		8541.10.0080	8,000			n通道		100 v	130a（TC）	10V	5.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA		±20V	4570 pf @ 25 V	-	120W（TC）
RM21N700TI	1.3300	RFQ	9246	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM21N700TI		8541.10.0080	5,000			n通道		700 v	21a（TC）	10V	190mohm @ 10.5a，10v	3.5V @ 250µA		±30V	1950 pf @ 50 V	-	34W（TC）
RM50N60DF	0.5600	RFQ	3189	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50N60DFTR		8541.10.0080	40,000			n通道		60 V	50A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	1.8V @ 250µA		±20V	4000 PF @ 30 V	-	75W（TC）
RM150N100HD	0.9500	RFQ	1451	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM150N100HDTR		8541.10.0080	8,000			n通道		100 v	150a（TC）	10V	4.2MOHM @ 70A，10V	4V @ 250µA		+20V，-12V	6680 pf @ 50 V	-	275W（TC）
RM170N30DF	0.6900	RFQ	5272	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM170N30DFTR		8541.10.0080	40,000			n通道		30 V	170a（TC）	4.5V，10V	1.65MOHM @ 85A，10V	2V @ 250µA		±20V	7300 PF @ 15 V	-	75W（TC）
2N7002KA	0.0420	RFQ	3372	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-2N7002KATR		8541.10.0080	30,000			n通道		60 V	115mA（ta）	5V，10V	3ohm @ 500mA，10v	2V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	225MW（TA）
RM27P30LD	0.1500	RFQ	5544	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM27P30LDTR		8541.10.0080	25,000			P通道		30 V	27a（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	930 PF @ 15 V	-	31.3W（TC）
HFM105W-W	0.0280	RFQ	3082	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	do-214ac，SMA			标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-HFM105W-WTR	Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1.3 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 400 V	150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
R2000-T	0.0480	RFQ	8935	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204al，do-41，轴向			标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-R2000-TTR	Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1.3 V @ 1 A		5 µA @ 2000 V	-65°C〜175°C	1a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²