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离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
3508m卢比	2.7000	RFQ	5431	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，Rs-35m	标准	Rs-35m卢比卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS3508M	Ear99	8541.10.0080	1200													1.1 V @ 17.5 A		2 µA @ 1200 V		45 a		单相	1.2 kV
DB206L	0.3900	RFQ	4021	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	标准	DBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-DB206LSTR	Ear99	8541.10.0080	8,000													1.1 V @ 2 A		5 µA @ 800 V		2 a		单相	800 v
2004年	1.1600	RFQ	9491	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，20m卢比	标准	20m卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS2004M	Ear99	8541.10.0080	1200													1.1 V @ 10 A		5 µA @ 400 V		20 a		单相	400 v
DB204S	0.3900	RFQ	8974	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	标准	DB-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-DB204STR	Ear99	8541.10.0080	8,000													1.1 V @ 2 A		5 µA @ 400 V		2 a		单相	400 v
RS102	0.3500	RFQ	5968	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-1	标准	RS-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS102	Ear99	8541.10.0080	1200													1 V @ 1 A		5 µA @ 100 V		1 a		单相	100 v
RMD1N25ES9	0.0600	RFQ	7475	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MOSFET （金属 o化物）	SOT-363-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RMD1N25ES9TR		8541.10.0080	30,000		n通道	25 v	1.1A（TA）	2.5V，4.5V	600mohm @ 500mA，4.5V	1.1V @ 250µA	±12V	30 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
RM8N650HD	0.5200	RFQ	3581	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MOSFET （金属 o化物）	TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N650HDTR		8541.10.0080	8,000		n通道	650 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	680 pf @ 50 V	-	80W（TC）
RBU1505M	0.7900	RFQ	6924	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，rbu	标准	RBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RBU1505M	Ear99	8541.10.0080	2,000													1 V @ 7.5 A		500 NA @ 600 V		15 a		单相	600 v
RM80N100AT2	0.5500	RFQ	8599	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N100AT2		8541.10.0080	5,000		n通道	100 v	80A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 40a，10v	4V @ 250a	±20V	5480 pf @ 50 V	-	125W（TC）
KBL602	0.6800	RFQ	6209	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL	标准	KBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-KBL602	Ear99	8541.10.0080	4,600													1.1 V @ 6 A		10 µA @ 100 V		6 a		单相	100 v
R5000F	0.1600	RFQ	9523	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204ac，do-15，轴向	标准	do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-R5000FTR	Ear99	8541.10.0080	4,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度											5000 v	6.5 V @ 200 ma	500 ns	5 µA @ 5000 V	-55°C〜150°C	200mA	30pf @ 4V，1MHz
1N4004-T	0.0220	RFQ	5949	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204al，do-41，轴向	标准	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-1N4004-T.TR	Ear99	8541.10.0080	10,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1 V @ 1 A		200 na @ 1000 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
KBL604	0.6800	RFQ	8615	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL	标准	KBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-KBL604	Ear99	8541.10.0080	4,600													1.1 V @ 6 A		10 µA @ 400 V		6 a		单相	400 v
BR34	0.5000	RFQ	3700	美国直发	-	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-3	标准	BR-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-BR34	Ear99	8541.10.0080	200													1 V @ 1.5 A		5 µA @ 400 V		3 a		单相	400 v
KBL606	0.6800	RFQ	1201	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL	标准	KBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-KBL606	Ear99	8541.10.0080	4,600													1.1 V @ 6 A		10 µA @ 600 V		6 a		单相	600 v
RM70P30LD	0.2800	RFQ	8708	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM70P30LDTR		8541.10.0080	25,000		P通道	30 V	70A（TC）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	±20V	3450 pf @ 25 V	-	90W（TC）
RM4N650TI	0.4200	RFQ	7671	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4N650TI		8541.10.0080	5,000		n通道	650 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	280 pf @ 50 V	-	28.5W（TC）
MB4F	0.3000	RFQ	9466	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	标准	MB-F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MB4FTR	Ear99	8541.10.0080	40,000													1.1 V @ 800 mA		1 µA @ 400 V		800 MA		单相	400 v
1N4007-F	0.0220	RFQ	1407	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204al，do-41，轴向	标准	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-1N4007-FTR	Ear99	8541.10.0080	3,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1 V @ 1 A		200 na @ 1000 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
HDB208L	0.3500	RFQ	7517	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	标准	DBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-HDB208LSTR	Ear99	8541.10.0080	8,000													1.7 V @ 2 A		2 µA @ 1000 V		2 a		单相	1 kV
KBL401	0.5500	RFQ	2554	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL	标准	KBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-KBL401	Ear99	8541.10.0080	4,600													1.1 V @ 4 A		10 µA @ 50 V		4 a		单相	50 V
FR302-T	0.0890	RFQ	8274	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	DO-201 AD，轴向	标准	Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FR302-TTR	Ear99	8541.10.0080	1200	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											100 v	1.3 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	3a	65pf @ 4V，1MHz
RM80N100T2	0.5100	RFQ	3123	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N100T2		8541.10.0080	5,000		n通道	100 v	80A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 40a，10v	2.2V @ 250µA	±20V	5480 pf @ 50 V	-	125W（TC）
KBL410	0.5500	RFQ	2080	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL	标准	KBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-KBL410	Ear99	8541.10.0080	4,600													1.1 V @ 4 A		10 µA @ 1000 V		4 a		单相	1 kV
RS601	0.9800	RFQ	8086	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-6	标准	RS-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS601	Ear99	8541.10.0080	1,600													1.05 V @ 6 A		500 NA @ 50 V		6 a		单相	50 V
RM2333A	0.0680	RFQ	4902	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM233333ATR		8541.10.0080	30,000		P通道	12 v	6a（6a）	2.5V，4.5V	30mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	±12V	1100 pf @ 6 V	-	1.8W（TA）
EDB103	0.5400	RFQ	4267	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）	标准	DB-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-EDB103	Ear99	8541.10.0080	15,000													1.05 V @ 1 A		5 µA @ 150 V		1 a		单相	150 v
EMD3S	0.3300	RFQ	6017	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	标准	MD-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-EMD3STR	Ear99	8541.10.0080	24,000													1.05 V @ 500 mA		10 µA @ 150 V		1 a		单相	150 v
RM6N800HD	0.7900	RFQ	3479	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MOSFET （金属 o化物）	TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6N800HDTR		8541.10.0080	8,000		n通道	800 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	±30V	1320 PF @ 50 V	-	98W（TC）
RM3010S6	0.0640	RFQ	2549	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3010S6TR		8541.10.0080	30,000		n通道	30 V	10a（10a）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	±20V	1550 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²