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离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
BR36	0.5500	RFQ	3375	美国直发	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-3	标准	BR-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-BR36	Ear99	8541.10.0080	2,000											1 V @ 1.5 A	5 µA @ 600 V	3 a	单相	600 v
BR66	0.8500	RFQ	9053	美国直发	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-6	标准	BR-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-BR66	Ear99	8541.10.0080	2,000											1.1 V @ 3 A	5 µA @ 600 V	6 a	单相	600 v
RS1002ML	0.7800	RFQ	4463	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-10毫升	标准	RS-10毫升	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS1002ML	Ear99	8541.10.0080	2,000											1.1 V @ 5 A	200 na @ 100 V	10 a	单相	100 v
2504m卢比	1.3500	RFQ	9529	美国直发	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-25M	标准	25m卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS2504M	Ear99	8541.10.0080	1200											1 V @ 12.5 A	500 NA @ 400 V	25 a	单相	400 v
BR31	0.5500	RFQ	6317	美国直发	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-3	标准	BR-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-BR31	Ear99	8541.10.0080	2,000											1 V @ 1.5 A	5 µA @ 100 V	3 a	单相	100 v
BR32	0.5500	RFQ	1574年	美国直发	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-3	标准	BR-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-BR32	Ear99	8541.10.0080	2,000											1 V @ 1.5 A	5 µA @ 200 V	3 a	单相	200 v
RS804	0.9100	RFQ	4303	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-8	标准	RS-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS804	Ear99	8541.10.0080	1,600											1.2 V @ 8 A	5 µA @ 400 V	8 a	单相	400 v
KBL404	0.5500	RFQ	2294	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL	标准	KBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-KBL404	Ear99	8541.10.0080	4,600											1.1 V @ 4 A	10 µA @ 400 V	4 a	单相	400 v
4RS202M	0.5200	RFQ	7703	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-2M	标准	RS-2M	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-4RS202M	Ear99	8541.10.0080	3,600											1.1 V @ 4 A	2 µA @ 100 V	4 a	单相	100 v
DB153S	0.3900	RFQ	2950	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	标准	DB-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-DB153STR	Ear99	8541.10.0080	8,000											1 V @ 1.5 A	1 µA @ 200 V	1.5 a	单相	200 v
4.07亿卢比	0.7800	RFQ	3989	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，4M卢比	标准	4m卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS407M	Ear99	8541.10.0080	1,800											1.05 V @ 4 A	5 µA @ 1000 V	4 a	单相	1 kV
DB103L	0.3200	RFQ	1029	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	标准	DBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-DB103LSTR	Ear99	8541.10.0080	8,000											1 V @ 1 A	1 µA @ 200 V	1 a	单相	200 v
RS404L	0.7800	RFQ	2	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-4L	标准	RS-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS404L	Ear99	8541.10.0080	1,500											1.05 V @ 4 A	2 µA @ 400 V	4 a	单相	400 v
2506m卢比	1.3500	RFQ	4762	美国直发	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-25M	标准	25m卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS2506M	Ear99	8541.10.0080	1200											1 V @ 12.5 A	500 NA @ 800 V	25 a	单相	800 v
RM18P100HDE	0.3400	RFQ	4578	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MOSFET （金属 o化物）	TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM18P100HDETR		8541.10.0080	8,000	P通道	100 v	18A（TC）	10V	100mohm @ 16a，10v	3V @ 250µA	±20V	1300 pf @ 25 V	-	70W（TC）
RM78N100LD	0.4400	RFQ	1744年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM78N100LDTR		8541.10.0080	25,000	n通道	100 v	78A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 39a，10v	2.2V @ 250µA	±20V	5480 pf @ 50 V	-	125W（TC）
rmp3n90ld	0.3300	RFQ	3260	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-rmp3n90ld		8541.10.0080	4,000	n通道	900 v	3A（TC）	10V	3.2OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	±30V	850 pf @ 25 V	-	50W（TC）
RM2301E	0.0410	RFQ	1997	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2301ETR		8541.10.0080	30,000	P通道	20 v	2.6a（ta）	2.5V，4.5V	120MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 250µA	±10V	325 pf @ 10 V	-	1W（ta）
RM1A5N30S3AE	0.0390	RFQ	6517	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	MOSFET （金属 o化物）	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM1A5N30S3AETR		8541.10.0080	30,000	n通道	30 V	1.5A（TA），1.4a（tc）	2.5V，4.5V	144MOHM @ 1A，4.5V	1.5V @ 250µA	±10V	105 pf @ 15 V	-	400MW（TA），500MW（（（（（（（（（（（
RM70P30LD	0.2800	RFQ	8708	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM70P30LDTR		8541.10.0080	25,000	P通道	30 V	70A（TC）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	±20V	3450 pf @ 25 V	-	90W（TC）
RM80N60DF	0.5500	RFQ	2083	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N60DFTR		8541.10.0080	40,000	n通道	60 V	80A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 40a，10v	2.4V @ 250µA	±20V	4000 PF @ 30 V	-	85W（TC）
RM50P40LD	0.2300	RFQ	2746	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50P40LDTR		8541.10.0080	25,000	P通道	40 V	52A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 18a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	3500 pf @ 15 V	-	52.1W（TC）
RM40N40LD	0.1450	RFQ	4107	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM40N40LDTR		8541.10.0080	25,000	n通道	40 V	42A（TC）	4.5V，10V	11.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	±20V	1314 PF @ 15 V	-	34.7W（TC）
RM7N600IP	0.5500	RFQ	9307	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	MOSFET （金属 o化物）	TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM7N600IP		8541.10.0080	4,000	n通道	600 v	7A（TC）	10V	580MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	±30V	587 PF @ 50 V	-	63W（TC）
RM75N60T2	0.3600	RFQ	9812	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM75N60T2		8541.10.0080	5,000	n通道	60 V	75A（TC）	10V	11.5MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	±20V	2350 pf @ 25 V	-	110W（TC）
RM5N700IP	0.4700	RFQ	8989	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	MOSFET （金属 o化物）	TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N700IP		8541.10.0080	4,000	n通道	700 v	5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	460 pf @ 50 V	-	49W（TC）
RM5N800LD	0.6900	RFQ	2148	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N800LDTR		8541.10.0080	25,000	n通道	800 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	680 pf @ 50 V	-	81W（TC）
RM80N100T2	0.5100	RFQ	3123	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N100T2		8541.10.0080	5,000	n通道	100 v	80A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 40a，10v	2.2V @ 250µA	±20V	5480 pf @ 50 V	-	125W（TC）
RM15P60LD	0.1500	RFQ	6517	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM15P60LDTR		8541.10.0080	25,000	P通道	60 V	13A（TC）	10V	90mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	1080 pf @ 15 V	-	31.2W（TC）
RM8N700LD	0.4700	RFQ	1520	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N700LD		8541.10.0080	4,000	n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	±30V	590 pf @ 50 V	-	69W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²