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离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）
DB151L	0.3900	RFQ	7690	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-DB151LSTR	Ear99	8541.10.0080	8,000															1 V @ 1.5 A		1 µA @ 50 V		1.5 a		单相	50 V
4.07亿卢比	0.7800	RFQ	3989	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，4M卢比		标准		4m卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RS407M	Ear99	8541.10.0080	1,800															1.05 V @ 4 A		5 µA @ 1000 V		4 a		单相	1 kV
UMB2F	0.3800	RFQ	1680年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅		标准		4-SOF2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-umb2ftr	Ear99	8541.10.0080	48,000															1.1 V @ 400 mA		5 µA @ 200 V		500 MA		单相	200 v
2RS102M	0.3600	RFQ	2212	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，卢比1M		标准		卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-2RS102M	Ear99	8541.10.0080	5,280															1.1 V @ 2 A		2 µA @ 100 V		2 a		单相	100 v
RM8N700LD	0.4700	RFQ	1520	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM8N700LD		8541.10.0080	4,000			n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA		±30V	590 pf @ 50 V	-	69W（TC）
RS1004M-C-LV	1.3500	RFQ	9109	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，卢比10m		标准		10m卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RS1004M-C-LV	Ear99	8541.10.0080	1,800															900 mv @ 5 a		5 µA @ 400 V		10 a		单相	400 v
RS3507MH	1.7500	RFQ	9907	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，Rs-35m		标准		Rs-35m卢比卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RS3507MH	Ear99	8541.10.0080	1200															1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 1000 V		35 a		单相	1 kV
2N7002KA	0.0420	RFQ	3372	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-2N7002KATR		8541.10.0080	30,000			n通道	60 V	115ma（ta）	5V，10V	3ohm @ 500mA，10v	2V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	225MW（TA）
FFM1000W	0.0420	RFQ	2279	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-FFM1000WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1000 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	500mA	15pf @ 4V，1MHz
RM50P40LD	0.2300	RFQ	2746	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM50P40LDTR		8541.10.0080	25,000			P通道	40 V	52A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 18a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	3500 pf @ 15 V	-	52.1W（TC）
RC206	0.4400	RFQ	4944	美国直发	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆，RC-2		标准		RC-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RC206	Ear99	8541.10.0080	6,000															1.05 V @ 2 A		200 NA @ 800 V		2 a		单相	800 v
RM78N100LD	0.4400	RFQ	1744年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM78N100LDTR		8541.10.0080	25,000			n通道	100 v	78A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 39a，10v	2.2V @ 250µA		±20V	5480 pf @ 50 V	-	125W（TC）
RBU402M	0.7900	RFQ	4707	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，rbu		标准		RBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RBU402M	Ear99	8541.10.0080	2,000															1 V @ 4 A		1 µA @ 100 V		4 a		单相	100 v
HVM5	1.3100	RFQ	9107	美国直发	-	大部分	积极的			通过洞	轴向		标准		HVM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-HVM5	Ear99	8541.10.0080	1,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												5000 v	8 V @ 350 MA		5 µA @ 5000 V	-20°C〜150°C	350mA	-
1f18	0.0550	RFQ	5726	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	R-1，轴向		标准		R-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-1F18TR	Ear99	8541.10.0080	20,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1800 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1800 V	-55°C〜150°C	500mA	15pf @ 4V，1MHz
R4000F	0.1300	RFQ	7007	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-r4000ftr	Ear99	8541.10.0080	20,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												4000 v	6.5 V @ 200 ma	500 ns	5 µA @ 4000 V	-55°C〜150°C	200mA	30pf @ 4V，1MHz
RBU1503M	0.7900	RFQ	6891	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，rbu		标准		RBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RBU1503M	Ear99	8541.10.0080	2,000															1 V @ 7.5 A		500 na @ 200 V		15 a		单相	200 v
MP2505W	-	RFQ	4969	美国直发	-	托盘	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，MP-25W		标准		MP-25W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-MP2505W	Ear99	8541.10.0080	1,000															1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 50 V		25 a		单相	50 V
RBU1005M	0.7900	RFQ	750	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，rbu		标准		RBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-rbu1005m	Ear99	8541.10.0080	750															1 V @ 5 A		1 µA @ 600 V		10 a		单相	600 v
R2500	0.1100	RFQ	8648	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-R2500Tr	Ear99	8541.10.0080	20,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												2500 v	3 V @ 200 ma		5 µA @ 2500 V	-55°C〜150°C	200mA	30pf @ 4V，1MHz
RS2005ML	1.2000	RFQ	2598	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-20毫升		标准		RS-20毫升	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RS2005ML	Ear99	8541.10.0080	2,000															1 V @ 10 A		5 µA @ 600 V		20 a		单相	600 v
RM7N600LD	0.5800	RFQ	4789	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM7N600LD		8541.10.0080	4,000			n通道	600 v	7A（TC）	10V	580MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA		±30V	587 PF @ 50 V	-	63W（TC）
R1500	0.0310	RFQ	1136	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-R1500Tr	Ear99	8541.10.0080	20,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1500 v	1.1 V @ 1 A		5 µA @ 1500 V	-65°C〜175°C	1a	-
MMSZ4692T	0.0400	RFQ	9101	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-	表面安装	SC-79，SOD-523			300兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2516-MMSZ4692TTR	Ear99	8541.10.0080	8,000															900 mv @ 10 ma		10 µA @ 5.1 V						6.8 v
卢比2002m	1.1600	RFQ	3410	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，20m卢比		标准		20m卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RS2002M	Ear99	8541.10.0080	1200															1.1 V @ 10 A		5 µA @ 100 V		20 a		单相	100 v
RM40N40LD	0.1450	RFQ	4107	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM40N40LDTR		8541.10.0080	25,000			n通道	40 V	42A（TC）	4.5V，10V	11.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	1314 PF @ 15 V	-	34.7W（TC）
FM1500W	0.0420	RFQ	1448	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-FM1500WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1500 v	2 V @ 500 MA		5 µA @ 1500 V	-55°C〜150°C	500mA	35pf @ 4V，1MHz
SLDB102S	0.3500	RFQ	4674	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		SLDBS	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-SLDB102STR	Ear99	8541.10.0080	40,000															1 V @ 1 A		1 µA @ 100 V		1 a		单相	100 v
RM5N800LD	0.6900	RFQ	2148	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM5N800LDTR		8541.10.0080	25,000			n通道	800 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	680 pf @ 50 V	-	81W（TC）
RM4503S8	0.1900	RFQ	1978年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RM4503	MOSFET （金属 o化物）	2.5W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM4503S8TR		8541.10.0080	40,000	n和p通道			30V	10a（10a），9.1A（9.1A）		10mohm @ 10a，10v，20mohm @ 9.1a，10v	3V @ 250µA	13nc @ 4.5V，30nc @ 10V		1550pf @ 15V，1600pf @ 15V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²