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离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
RS801	0.9100	RFQ	4235	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-8	标准	RS-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS801	Ear99	8541.10.0080	1,600															1.2 V @ 8 A		5 µA @ 50 V		8 a		单相	50 V
RBU401M	0.7900	RFQ	3665	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，rbu	标准	RBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RBU401M	Ear99	8541.10.0080	2,000															1 V @ 4 A		1 µA @ 50 V		4 a		单相	50 V
RM21N650TI	1.2500	RFQ	1150	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM21N650TI		8541.10.0080	5,000		n通道	650 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA	±30V	2600 PF @ 50 V	-	33.8W（TC）
mp351	2.2000	RFQ	8538	美国直发	-	托盘	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，MP-35	标准	MP-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-mp351	Ear99	8541.10.0080	400															1.05 V @ 17.5 A		500 NA @ 100 V		35 a		单相	100 v
RM5N800T2	0.6700	RFQ	6990	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N800T2		8541.10.0080	5,000		n通道	800 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	±30V	1320 PF @ 50 V	-	98W（TC）
RM5N700IP	0.4700	RFQ	8989	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	MOSFET （金属 o化物）	TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N700IP		8541.10.0080	4,000		n通道	700 v	5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	460 pf @ 50 V	-	49W（TC）
RM6N100S4	0.1400	RFQ	9965	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6N100S4TR		8541.10.0080	30,000		n通道	100 v	6a（6a）	10V	140MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	±20V	690 pf @ 25 V	-	（3W）（TA）
RM135N100HD	0.9400	RFQ	5381	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MOSFET （金属 o化物）	TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM135N100HDTR		8541.10.0080	8,000		n通道	100 v	135a（TC）	10V	4.6mohm @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	±20V	6400 PF @ 50 V	-	210W（TC）
RM16P60LD	0.2600	RFQ	3845	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM16P60LDTR		8541.10.0080	25,000		P通道	60 V	16A（TC）	4.5V，10V	48mohm @ 8a，10v	2.2V @ 25µA	±20V	1810 PF @ 30 V	-	25W（TC）
RM15P60LD	0.1500	RFQ	6517	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM15P60LDTR		8541.10.0080	25,000		P通道	60 V	13A（TC）	10V	90mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	1080 pf @ 15 V	-	31.2W（TC）
RM20N60LD	0.1400	RFQ	3021	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM20N60LDTR		8541.10.0080	25,000		n通道	60 V	20A（TC）	10V	35mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	500 pf @ 30 V	-	45W（TC）
MMBD1503A	0.0350	RFQ	8805	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	标准	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MMBD1503ATR	Ear99	8541.10.0080	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度											1对系列连接	200 v	200mA	1.3 V @ 200 ma		10 na @ 180 V	150°C （最大）
DRS303K	0.4500	RFQ	1839年	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-ESIP	标准	D3K	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-DRS303K	Ear99	8541.10.0080	9,000															1.1 V @ 3 A		1 µA @ 200 V		3 a		单相	200 v
DB103S	0.3200	RFQ	5259	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	标准	DB-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-DB103STR	Ear99	8541.10.0080	8,000															1 V @ 1 A		1 µA @ 200 V		1 a		单相	200 v
DRS406K	0.4500	RFQ	5756	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-ESIP	标准	D3K	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-DRS406K	Ear99	8541.10.0080	9,000															1.05 V @ 4 A		5 µA @ 800 V		4 a		单相	800 v
RS2006ML	1.2000	RFQ	7868	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-20毫升	标准	RS-20毫升	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS2006ML	Ear99	8541.10.0080	2,000															1 V @ 10 A		5 µA @ 800 V		20 a		单相	800 v
3508m卢比	2.7000	RFQ	5431	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，Rs-35m	标准	Rs-35m卢比卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS3508M	Ear99	8541.10.0080	1200															1.1 V @ 17.5 A		2 µA @ 1200 V		45 a		单相	1.2 kV
RM8N650HD	0.5200	RFQ	3581	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MOSFET （金属 o化物）	TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N650HDTR		8541.10.0080	8,000		n通道	650 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	680 pf @ 50 V	-	80W（TC）
MP154	1.8500	RFQ	9124	美国直发	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，MP-15	标准	MP-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MP154	Ear99	8541.10.0080	400															1.05 V @ 7.5 A		500 NA @ 400 V		15 a		单相	400 v
RM47N600T7	2.9600	RFQ	3602	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM47N600T7		8541.10.0080	1,800		n通道	600 v	47A（TJ）	10V	81MOHM @ 15.6A，10V	4V @ 250µA	±20V	3111.9 pf @ 25 V	-	417W
RM185N30DF	0.7300	RFQ	8931	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM185N30DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道	30 V	185a（TC）	4.5V，10V	1.4MOHM @ 95A，10V	2V @ 250µA	±20V	8800 pf @ 15 V	-	95W（TC）
RM3415	0.0560	RFQ	8856	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3415TR		8541.10.0080	30,000		P通道	20 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	45mohm @ 4A，4.5V	900mv @ 250µA	±10V	950 pf @ 10 V	-	1.4W（TA）
RM1A5N30S3AE	0.0390	RFQ	6517	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	MOSFET （金属 o化物）	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM1A5N30S3AETR		8541.10.0080	30,000		n通道	30 V	1.5A（TA），1.4a（tc）	2.5V，4.5V	144MOHM @ 1A，4.5V	1.5V @ 250µA	±10V	105 pf @ 15 V	-	400MW（TA），500MW（（（（（（（（（（（
4.07亿卢比	0.7800	RFQ	3989	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，4M卢比	标准	4m卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS407M	Ear99	8541.10.0080	1,800															1.05 V @ 4 A		5 µA @ 1000 V		4 a		单相	1 kV
RL1N1000F	0.0380	RFQ	7323	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	轴向	标准	A-405	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RL1N1000FTR	Ear99	8541.10.0080	20,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1000 v		1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
DB103	0.3400	RFQ	5774	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）	标准	DB-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-DB103	Ear99	8541.10.0080	2,500															1 V @ 1 A		1 µA @ 200 V		1 a		单相	200 v
UMB2F	0.3800	RFQ	1680年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	标准	4-SOF2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-umb2ftr	Ear99	8541.10.0080	48,000															1.1 V @ 400 mA		5 µA @ 200 V		500 MA		单相	200 v
RS3507MH	1.7500	RFQ	9907	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，Rs-35m	标准	Rs-35m卢比卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS3507MH	Ear99	8541.10.0080	1200															1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 1000 V		35 a		单相	1 kV
RS1004M-C-LV	1.3500	RFQ	9109	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，卢比10m	标准	10m卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS1004M-C-LV	Ear99	8541.10.0080	1,800															900 mv @ 5 a		5 µA @ 400 V		10 a		单相	400 v
MDA202G	0.5500	RFQ	5728	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-1	标准	RS-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MDA202G	Ear99	8541.10.0080	4,800															1.1 V @ 3.14 A		5 µA @ 200 V		2 a		单相	200 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²